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公开(公告)号：CN103871893B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310613247.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN103871893A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310613247.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN1992273A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610146589.1
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/84
Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)结构，其包括位于半导体衬底的表面上的至少一个nFET器件区和至少一个pFET器件区。根据本发明，所述nFET和pFET均包括至少单一栅极金属，且所述nFET栅极叠层被设计为具有没有净负电荷的栅极电介质叠层，而所述pFET栅极叠层被设计为具有没有净正电荷的栅极电介质叠层。具体地说，本发明提供一种CMOS结构，其中nFET栅极叠层被设计为包括带边功函数，而pFET栅极叠层被设计为具有1/4间隙功函数。在本发明的一个实施例中，所述第一栅极电介质叠层包括第一高k电介质和包含碱土金属的层或包含稀土金属的层，而所述第二高k栅极电介质叠层包括第二高k电介质。
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公开(公告)号：CN100485936C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610146589.1
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/84
Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)结构，其包括位于半导体衬底的表面上的至少一个nFET器件区和至少一个pFET器件区。根据本发明，所述nFET和pFET均包括至少单一栅极金属，且所述nFET栅极叠层被设计为具有没有净负电荷的栅极电介质叠层，而所述pFET栅极叠层被设计为具有没有净正电荷的栅极电介质叠层。具体地说，本发明提供一种CMOS结构，其中nFET栅极叠层被设计为包括带边功函数，而pFET栅极叠层被设计为具有1/4间隙功函数。在本发明的一个实施例中，所述第一栅极电介质叠层包括第一高k电介质和包含碱土金属的层或包含稀土金属的层，而所述第二高k栅极电介质叠层包括第二高k电介质。
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