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公开(公告)号：CN1992274A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610147073.9
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： V·纳拉亚南 , T-C·陈 , J·S·纽伯里 , B·B·多里斯 , B·P·林德 , V·K·帕鲁许里 , A·卡勒伽里 , M·L·斯特恩 , M·P·胡齐克 , J·C·阿诺德 , G·A·布莱里 , M·A·格里伯佑 , 金永希
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823842
Abstract: 本发明涉及互补金属－氧化物－半导体(CMOS)电路，其每个包含至少第一和第二栅极叠层。第一栅极叠层位于半导体衬底中的第一器件区域(例如，n－FET器件区域)上，且从底部至顶部包括至少，栅极介质层、金属栅极导体、和含硅栅极导体。第二栅极叠层位于半导体衬底中的第二器件区域(例如，p－FET器件区域)上，其从底部至顶部包括至少，栅极介质层和含硅栅极导体。第一和第二栅极叠层可以通过本发明各种方法以集成方式形成在半导体衬底上。
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公开(公告)号：CN101364600B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810131359.7
申请日：2008-08-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823807 , H01L29/49 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及电路结构及处理电路结构的方法。公开了具有PFET和NFET器件的FET器件结构，所述PFET和所述NFET器件具有高k介质栅极绝缘体、包含金属的栅极、以及阈值调整帽层。所述NFET栅极叠层和所述PFET栅极叠层均具有在所述NFET器件中和所述PFET器件中的相同的部分。所述相同的部分包含至少栅极金属层和帽层。由于所述相同的部分，简化了器件制造，需要较少数目的掩模。此外，作为使用单层金属用于两种类型的器件的栅极的结果，NFET和PFET的端电极可以以直接物理接触的方式彼此对接。还通过所述高k介质的氧暴露来调整器件阈值。阈值旨在用于低功耗器件操作。
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公开(公告)号：CN101364599A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810128077.1
申请日：2008-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/7833 , H01L29/7843
Abstract: 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。
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公开(公告)号：CN101563780B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200680039179.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/76
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28194 , H01L21/28238 , H01L21/823807 , H01L29/105 , H01L29/1083 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种半导体结构，具体为pFET，其包括具有大于SiO2的介电常数的介电常数以及大于50％的Ge或Si含量的电介质材料，以及用于通过材料叠层设计而调节阈值/平带电压的至少一种其它手段。在本发明中考虑的其它手段包括例如利用在用于电荷固定的电介质上面的绝缘夹层和/或通过形成经设计的沟道区。本发明还涉及一种制造这样的CMOS结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1992274B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610147073.9
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： V·纳拉亚南 , T-C·陈 , J·S·纽伯里 , B·B·多里斯 , B·P·林德 , V·K·帕鲁许里 , A·卡勒伽里 , M·L·斯特恩 , M·P·胡齐克 , J·C·阿诺德 , G·A·布莱里 , M·A·格里伯佑 , 金永希
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823842
Abstract: 本发明涉及互补金属-氧化物-半导体(CMOS)电路，其每个包含至少第一和第二栅极叠层。第一栅极叠层位于半导体衬底中的第一器件区域(例如，n-FET器件区域)上，且从底部至顶部包括至少，栅极介质层、金属栅极导体、和含硅栅极导体。第二栅极叠层位于半导体衬底中的第二器件区域(例如，p-FET器件区域)上，其从底部至顶部包括至少，栅极介质层和含硅栅极导体。第一和第二栅极叠层可以通过本发明各种方法以集成方式形成在半导体衬底上。
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公开(公告)号：CN101563780A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200680039179.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/76
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28194 , H01L21/28238 , H01L21/823807 , H01L29/105 , H01L29/1083 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种半导体结构，具体为pFET，其包括具有大于SiO2的介电常数的介电常数以及大于50％的Ge或Si含量的电介质材料，以及用于通过材料叠层设计而调节阈值/平带电压的至少一种其它手段。在本发明中考虑的其它手段包括例如利用在用于电荷固定的电介质上面的绝缘夹层和/或通过形成经设计的沟道区。本发明还涉及一种制造这样的CMOS结构的方法。
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公开(公告)号：CN119968942A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380069098.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种半导体器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底，第二区域与第一区域隔开一定距离以在其间限定空间。包括栅极电介质的第一半导体器件在第一区域上。第一半导体器件可以在第一区域中实现基于FinFet的输入/输出(I/O)器件。第二半导体器件不包括位于第二区域上的栅极电介质。第二半导体器件可以在第二区域中实现基于纳米片的逻辑器件。
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公开(公告)号：CN101364599B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810128077.1
申请日：2008-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/7833 , H01L29/7843
Abstract: 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。
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公开(公告)号：CN101364600A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810131359.7
申请日：2008-08-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823807 , H01L29/49 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及电路结构及处理电路结构的方法。公开了具有PFET和NFET器件的FET器件结构，所述PFET和所述NFET器件具有高k介质栅极绝缘体、包含金属的栅极、以及阈值调整帽层。所述NFET栅极叠层和所述PFET栅极叠层均具有在所述NFET器件中和所述PFET器件中的相同的部分。所述相同的部分包含至少栅极金属层和帽层。由于所述相同的部分，简化了器件制造，需要较少数目的掩模。此外，作为使用单层金属用于两种类型的器件的栅极的结果，NFET和PFET的端电极可以以直接物理接触的方式彼此对接。还通过所述高k介质的氧暴露来调整器件阈值。阈值旨在用于低功耗器件操作。
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