公开(公告)号：CN107644865A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610894180.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄章斌 ,  刘重希 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  梁世纬 ,  赖昱嘉 ,  刘人瑄

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/566 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构。封装结构包括芯片、模制组件以及重布线电路结构。芯片包括半导体基板、连接件以及钝化层。半导体基板具有上表面。连接件配置于半导体基板的上表面上方。钝化层配置于半导体基板的上表面上方且暴露部分连接件。模制组件侧向围绕半导体基板，其中模制组件的上表面高于半导体基板的上表面且模制组件形成挂钩结构，挂钩结构挂在半导体基板的边缘部分上。重布线电路结构延伸于钝化层以及模制组件上方，以及电连接连接件。

公开(公告)号：CN103855100B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310165208.4

申请日：2013-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  邵栋樑 ,  杨庆荣 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  于宗源

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02 ,  H01L27/01

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/585 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。

公开(公告)号：CN106098665A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510801245.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  苏柏荣 ,  黄章斌 ,  邱建嘉 ,  杜贤明 ,  林俊宏 ,  赖昱嘉

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/488 ,  H01L24/27 ,  H01L24/30 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30104 ,  H01L2224/3012

Abstract: 本发明公开了互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法。在一些实施例中，互连结构包括第一后钝化互连(PPI)层。第一PPI层包括接合焊盘和靠近接合焊盘的阴影焊盘材料。聚合物层位于第一PPI层上方，并且第二PPI层位于聚合物层上方。第二PPI层包括PPI焊盘。PPI焊盘通过聚合物层中的通孔耦合至接合焊盘。阴影焊盘材料靠近PPI焊盘并且包括比PPI焊盘的尺寸更大的尺寸。阴影焊盘材料设置为横向围绕PPI焊盘。

公开(公告)号：CN104253053A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310422055.7

申请日：2013-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  陈宪伟 ,  杜贤明 ,  黄章斌 ,  赖昱嘉 ,  邵栋梁

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括在金属焊盘的一部分上方形成钝化层，在钝化层上方形成聚合物层，以及使用光刻掩模来曝光聚合物层。光刻掩模具有不透明部分、透明部分以及局部透明部分。对经曝光的聚合物层进行显影以形成开口，其中金属焊盘通过开口被暴露。后钝化互连件（PPI）形成在聚合物层上方，其中PPI包括延伸至开口内的部分以与金属焊盘连接。本发明还公开了具有与凹槽对准的焊料区的封装件。

公开(公告)号：CN222514911U

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202421129225.2

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  王誌鸿 ,  郭庭豪 ,  赖昱嘉

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/535 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体装置，半导体晶粒包括由介电区域分隔开的下晶粒；垂直堆叠在下晶粒和介电区域上的跨晶粒；模制结构填充介电区并环绕下晶粒和跨晶粒的侧表面；接合环，将跨晶粒连接至下晶粒，并包括：形成在跨晶粒的底表面中的上金属环；以及下金属环，形成在下晶粒的顶表面中并且延伸穿过介电区域中的模制结构。下金属环接合到上金属环。

公开(公告)号：CN221041106U

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202322634733.8

申请日：2023-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘重希 ,  赖昱嘉 ,  吴政杰 ,  张楙曮 ,  谢静华 ,  邓博元 ,  廖仁骏 ,  林修任 ,  蔡豪益 ,  潘国龙

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L23/485

Abstract: 提供一种包括电浮置金属线的半导体器件。半导体器件可以包括集成电路管芯、围绕集成电路管芯的包封体、位于包封体上的重布线结构、设置于重布线结构上的第一电浮置金属线、连接到重布线结构的第一电构件以及位于第一电构件与重布线结构之间的底部填充剂。底部填充剂中的第一开口可以暴露出第一电浮置金属线的顶表面。

公开(公告)号：CN220692002U

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202322107541.1

申请日：2023-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张楙曮 ,  林俊成 ,  林志伟 ,  蔡易达 ,  官翔彬 ,  曹智强 ,  郭炫廷 ,  林修任 ,  赖昱嘉 ,  潘国龙 ,  蔡豪益 ,  谢静华

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 本实用新型提供一种半导体封装。所述半导体封装包括封装、重布线路结构、第一模块及第二模块以及附加块，所述封装具有由包封体包封的管芯。重布线路结构设置于封装上。第一模块及第二模块设置于重布线路结构上且通过设置于第一模块及第二模块与重布线路结构之间的第一连接件及第二连接件分别电连接至重布线路结构。第一模块与第二模块彼此邻近且并排设置于重布线路结构上。附加块设置于重布线路结构上且位于第一模块及第二模块与重布线路结构之间。附加块包括位于第一模块下方的第一基脚部分、位于第二模块下方的第二基脚部分以及自第一模块及第二模块暴露出的暴露部分。附加块将第一模块及第二模块接合至重布线路结构。