公开(公告)号：CN119517851A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411560964.1

申请日：2024-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱肇玮 ,  郭炫廷 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括衬底、具有接合至衬底的半导体管芯的半导体封装组件、附接至衬底的盖子以及位于半导体封装组件和盖子之间的第一复合金属部件。第一复合金属部件可以包括具有第一材料的第一金属部件和具有第二材料的第二金属部件。第一材料可以是金属间化合物。第二材料可以不同于第一材料。

公开(公告)号：CN115775787A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210797626.4

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  江宗宪 ,  曾明鸿 ,  蔡豪益 ,  胡毓祥 ,  林志伟 ,  庄立朴 ,  蔡玮伦 ,  江铠名 ,  林敬尧 ,  李兆伟 ,  谢静华

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠，将器件管芯密封在密封剂中，以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件。

公开(公告)号：CN110265310B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201910023496.7

申请日：2019-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  黄贵伟 ,  蔡钰芃 ,  郑佳申 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。

公开(公告)号：CN110957305A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910922374.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊麟 ,  林修任 ,  郭炫廷 ,  吴凯强 ,  何明哲 ,  陈威宇 ,  蔡钰芃 ,  张家纶 ,  郑佳申 ,  曹智强 ,  汤子君 ,  谢静华 ,  洪端佑 ,  翁正轩

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装，其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间，其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN110875196A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910774022.6

申请日：2019-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊毅 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  王守怡 ,  陈建勋

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了制造半导体器件的方法和封装件。该方法包括形成器件结构，该方法包括在半导体器件上方形成电连接至半导体器件的第一再分布结构，形成围绕第一再分布结构和半导体器件的模塑材料，在模塑材料和第一再分布结构上方形成第二再分布结构，第二再分布结构电连接至第一再分布结构，将互连结构附接至第二再分布结构，互连结构包括核心衬底，互连结构电连接至第二再分布结构，在互连结构的侧壁上以及第二再分布结构和互连结构之间形成底部填充材料。

公开(公告)号：CN110391146A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910318651.8

申请日：2019-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄英叡 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  谢静华 ,  黄见翎 ,  萧义理 ,  杨素纯

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/67

Abstract: 一种方法包括：拾取第一封装组件，去除第一封装组件的电连接件上的氧化物层，在去除氧化物层之后，将第一封装组件放置在第二封装组件上，以及将第一封装组件接合到第二封装组件。本发明的实施例还涉及利用预先去氧化物工艺的接合及其执行装置。

公开(公告)号：CN109786340A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810996129.0

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 裴浩然 ,  陈威宇 ,  郑佳申 ,  曹智强 ,  陈正庭 ,  张家纶 ,  林志伟 ,  林修任 ,  谢静华 ,  刘重希

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。

公开(公告)号：CN109560076A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201711131655.2

申请日：2017-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪艾蒂 ,  陈星兆 ,  谢静华 ,  林志伟 ,  林敬尧

IPC: H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种集成扇出型封装包括第一管芯及第二管芯、包封体、及重布线结构。第一管芯及第二管芯分别具有有源表面、与有源表面相对的后表面、及位于有源表面上的导电柱。第一与第二管芯是不同类型的管芯。第一管芯的有源表面及后表面分别与第二管芯的有源表面及后表面齐平。第一管芯的导电柱的顶表面与第二管芯的导电柱的顶表面齐平。第一管芯的导电柱与第二管芯的导电柱被相同的材料包绕。包封体包封第一管芯的侧壁及第二管芯的侧壁。包封体的第一表面与有源表面齐平且第二表面与后表面齐平。重布线结构设置在第一管芯、第二管芯、及包封体上。

公开(公告)号：CN108807196A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711130777.X

申请日：2017-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 裴浩然 ,  曹智强 ,  陈威宇 ,  林修任 ,  郑明达 ,  谢静华 ,  刘重希

IPC: H01L21/56

Abstract: 根据一些实施例，提供芯片封装体的形成方法。上述方法包含形成保护层，以围绕半导体管芯，其中保护层具有相对的第一表面及第二表面。上述方法包含形成介电层于保护层的第一表面及半导体管芯上方。上述方法包含形成导电部件于介电层上方，使得导电部件电性连接至半导体管芯的导电元件。上述方法还包括将翘曲控制元件压印至保护层的第二表面及半导体管芯上，使得半导体管芯位于翘曲控制元件与介电层之间。

公开(公告)号：CN107342267A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710138495.8

申请日：2017-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡钰芃 ,  翁圣丰 ,  邱圣翔 ,  林志伟 ,  林威宏 ,  郑明达 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  陈孟泽

IPC: H01L23/31

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H05K9/0073 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3114

Abstract: 提供封装结构及其形成方法。封装结构包含位于基底层上的集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包含封装层，封住集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包括第二遮蔽部件，从基底层的侧表面朝向第一遮蔽部件延伸，以与第一遮蔽部件电性连接。第二遮蔽部件的侧表面背向基底层的侧表面，且大致上与封装层的侧表面共平面。