公开(公告)号：CN107546202A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201611047705.4

申请日：2016-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱嘉 ,  余振华 ,  黄章斌 ,  刘重希 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  梁世纬 ,  刘人瑄

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/206

Abstract: 提供一种集成电路上的导电端子。所述导电端子包括导电接垫、介电层及导通孔。所述导电接垫配置于所述集成电路上并电连接至所述集成电路。所述介电层覆盖所述集成电路及所述导电接垫，所述介电层包括排列成阵列的多个接触开口，且所述导电接垫被所述接触开口局部地暴露出。所述导通孔配置于所述介电层上并经由所述接触开口电连接至所述导电接垫。所述导通孔包括排列成阵列的多个凸出部。所述凸出部分布于所述导通孔的顶表面上，且所述凸出部对应于所述接触开口。

公开(公告)号：CN106898596A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610959360.3

申请日：2016-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄章斌 ,  杜贤明 ,  杨庆荣 ,  梁世纬 ,  郭鸿毅 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L21/76877

Abstract: 半导体结构包括：管芯，管芯包括设置在管芯上方的管芯焊盘；导电构件，设置在管芯焊盘上方并且与管芯焊盘电连接；模制件，围绕管芯和导电构件；以及再分布层(RDL)，设置在模制件、导电构件和管芯上方，并且包括介电层和互连结构，其中，互连结构包括接合部分和多个通孔部分，接合部分设置在介电层上方，并且多个通孔部分从接合部分突出穿过介电层到达导电构件，以及多个通孔部分中的每一个都与导电构件至少部分地接触。本发明还提供了制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN106098665B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201510801245.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  苏柏荣 ,  黄章斌 ,  邱建嘉 ,  杜贤明 ,  林俊宏 ,  赖昱嘉

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法。在一些实施例中，互连结构包括第一后钝化互连(PPI)层。第一PPI层包括接合焊盘和靠近接合焊盘的阴影焊盘材料。聚合物层位于第一PPI层上方，并且第二PPI层位于聚合物层上方。第二PPI层包括PPI焊盘。PPI焊盘通过聚合物层中的通孔耦合至接合焊盘。阴影焊盘材料靠近PPI焊盘并且包括比PPI焊盘的尺寸更大的尺寸。阴影焊盘材料设置为横向围绕PPI焊盘。

公开(公告)号：CN107046007A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611222512.8

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  杜贤明 ,  杨庆荣 ,  黄章斌 ,  赖昱嘉

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/564 ,  F16J10/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L23/24

Abstract: 本发明实施例提供了具有密封环结构的集成电路结构。密封环结构包括低k介电层、第一密封环和第二密封环。第一密封环和第二密封环彼此隔开。第一密封环和第二密封环的每个包括金属层。金属层嵌入在低k介电层中，并且金属层包括具有多个开口的主体图案。第一密封环和第二密封环的主体图案与金属层的面积比大于或等于50％且小于100％。本发明实施例涉及集成电路结构和密封环结构。

公开(公告)号：CN105990263A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510453961.2

申请日：2015-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  黄章斌 ,  杜贤明 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  梁世纬 ,  赖昱嘉

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/522 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明一些实施例提供了一种封装件，封装件包括无机介电层和电容器。电容器包括：底部电极，底部电极的顶面与无机介电层的顶面接触；位于底部电极上方的绝缘体；以及位于绝缘体上方的顶部电极。封装件还包括覆盖电容器的聚合物层，聚合物层的部分与电容器共平面并且环绕电容器。聚合物层接触无机介电材料层的顶面。本发明还涉及MIM电容器及其形成方法。

公开(公告)号：CN107644863A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610891691.8

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱嘉 ,  余振华 ,  黄章斌 ,  刘重希 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  梁世纬 ,  刘人瑄

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体结构包括集成电路组件、导电接垫、密封环结构、导电通孔、环型阻障及模塑材料。导电接垫配置于且电性连接于集成电路组件。密封环结构配置于集成电路组件且环绕导电接垫。导电通孔配置于且电性连接于导电接垫。环型阻障配置于密封环结构上。密封环结构环绕导电通孔。模塑材料覆盖集成电路组件的多个侧面。本发明提供的半导体结构具有较佳的结构强度与可靠性。

公开(公告)号：CN106601633A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610719555.0

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄章斌 ,  余振华 ,  杨庆荣 ,  刘重希 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  梁世纬 ,  赖昱嘉

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/08 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02381

Abstract: 本发明的实施例提供了一种方法，包括：提供具有凹槽的载体以及将管芯附接至载体，其中管芯至少部分地设置在凹槽中。该方法还包括：在载体上方并且围绕管芯的至少一部分形成模塑料，在模塑料上方形成多输出再分布层并且多输出再分布层电连接至管芯，以及去除载体。本发明的实施例还提供了集成多输出(INFO)封装件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102347288A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010597690.5

申请日：2010-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  黄章斌 ,  刘醇鸿 ,  唐修敏 ,  陈英儒 ,  邵栋梁 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/24

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，位于上述焊球下金属层的上方且电性耦合至上述焊球下金属层。本发明可提升接合强度。

公开(公告)号：CN110010544A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811481018.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  陈宪伟 ,  杜贤明 ,  黄章斌 ,  赖昱嘉 ,  邵栋梁

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括在金属焊盘的一部分上方形成钝化层，在钝化层上方形成聚合物层，以及使用光刻掩模来曝光聚合物层。光刻掩模具有不透明部分、透明部分以及局部透明部分。对经曝光的聚合物层进行显影以形成开口，其中金属焊盘通过开口被暴露。后钝化互连件(PPI)形成在聚合物层上方，其中PPI包括延伸至开口内的部分以与金属焊盘连接。本发明还公开了具有与凹槽对准的焊料区的封装件。

公开(公告)号：CN105990263B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201510453961.2

申请日：2015-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  黄章斌 ,  杜贤明 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  梁世纬 ,  赖昱嘉

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/522 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明一些实施例提供了一种封装件，封装件包括无机介电层和电容器。电容器包括：底部电极，底部电极的顶面与无机介电层的顶面接触；位于底部电极上方的绝缘体；以及位于绝缘体上方的顶部电极。封装件还包括覆盖电容器的聚合物层，聚合物层的部分与电容器共平面并且环绕电容器。聚合物层接触无机介电材料层的顶面。本发明还涉及MIM电容器及其形成方法。