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公开(公告)号：CN112563229A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011007355.5
申请日：2020-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装包括半导体管芯、重布线结构及连接端子。重布线结构设置在半导体管芯上且包括设置在一对介电层之间的第一金属化层级。第一金属化层级包括电连接到半导体管芯的路由导电迹线以及与半导体管芯电绝缘的屏蔽板片。连接端子包括虚设连接端子及有效连接端子。虚设连接端子设置在重布线结构上且电连接到屏蔽板片。有效连接端子设置在重布线结构上且电连接到路由导电迹线。虚设连接端子的垂直投影落在屏蔽板片上。
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公开(公告)号：CN106098665A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510801245.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/105 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/488 , H01L24/27 , H01L24/30 , H01L24/83 , H01L2224/3003 , H01L2224/30104 , H01L2224/3012
Abstract: 本发明公开了互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法。在一些实施例中，互连结构包括第一后钝化互连(PPI)层。第一PPI层包括接合焊盘和靠近接合焊盘的阴影焊盘材料。聚合物层位于第一PPI层上方，并且第二PPI层位于聚合物层上方。第二PPI层包括PPI焊盘。PPI焊盘通过聚合物层中的通孔耦合至接合焊盘。阴影焊盘材料靠近PPI焊盘并且包括比PPI焊盘的尺寸更大的尺寸。阴影焊盘材料设置为横向围绕PPI焊盘。
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公开(公告)号：CN106098665B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510801245.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法。在一些实施例中，互连结构包括第一后钝化互连(PPI)层。第一PPI层包括接合焊盘和靠近接合焊盘的阴影焊盘材料。聚合物层位于第一PPI层上方，并且第二PPI层位于聚合物层上方。第二PPI层包括PPI焊盘。PPI焊盘通过聚合物层中的通孔耦合至接合焊盘。阴影焊盘材料靠近PPI焊盘并且包括比PPI焊盘的尺寸更大的尺寸。阴影焊盘材料设置为横向围绕PPI焊盘。
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公开(公告)号：CN108400122B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710482330.2
申请日：2017-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装件包括第一介电层，位于第一介电层上方且附接至第一介电层的器件管芯，有源贯通孔和伪贯通孔以及密封器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔的密封材料。封装件还包括位于器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔上方并与其接触的第二介电层。有源金属帽位于第二介电层上方并与第二介电层接触并电连接至有源贯通孔。有源金属帽与有源贯通孔重叠。伪金属帽位于第二介电层上方并接触第二介电层。伪金属帽与伪贯通孔重叠。通过间隙将伪金属帽分成第一部分和第二部分。再分布线穿过伪金属帽的第一部分和第二部分之间的间隙。本发明实施例涉及伪金属帽和再分布线的路由设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108400122A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710482330.2
申请日：2017-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装件包括第一介电层，位于第一介电层上方且附接至第一介电层的器件管芯，有源贯通孔和伪贯通孔以及密封器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔的密封材料。封装件还包括位于器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔上方并与其接触的第二介电层。有源金属帽位于第二介电层上方并与第二介电层接触并电连接至有源贯通孔。有源金属帽与有源贯通孔重叠。伪金属帽位于第二介电层上方并接触第二介电层。伪金属帽与伪贯通孔重叠。通过间隙将伪金属帽分成第一部分和第二部分。再分布线穿过伪金属帽的第一部分和第二部分之间的间隙。本发明实施例涉及伪金属帽和再分布线的路由设计。
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公开(公告)号：CN107452700B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201710075202.6
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种导电图案，其包括：导电垫，包括圆形垫部及连接至圆形垫部的第一收敛部，第一收敛部具有一对不平行的第一边缘，不平行的第一边缘界定第一锥度角，且不平行的第一边缘由圆形垫部的一对不平行的第一切线界定；以及缓冲延伸部，连接至导电垫的第一收敛部，缓冲延伸部至少包括具有一对不平行的第二边缘的第二收敛部，不平行的第二边缘界定第二锥度角，第一锥度角大于或等于第二锥度角。
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公开(公告)号：CN107452700A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710075202.6
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5386 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L2224/02122 , H01L2224/023 , H01L2224/061
Abstract: 一种导电图案，其包括：导电垫，包括圆形垫部及连接至圆形垫部的第一收敛部，第一收敛部具有一对不平行的第一边缘，不平行的第一边缘界定第一锥度角，且不平行的第一边缘由圆形垫部的一对不平行的第一切线界定；以及缓冲延伸部，连接至导电垫的第一收敛部，缓冲延伸部至少包括具有一对不平行的第二边缘的第二收敛部，不平行的第二边缘界定第二锥度角，第一锥度角大于或等于第二锥度角。
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公开(公告)号：CN106328628A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610326249.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162 , H01L24/27 , H01L2021/60007
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括包含衬底和接合焊盘的管芯。连接层设置在管芯上方。连接层包括支撑焊盘和导电沟道。导电沟道的部分至少部分地穿过支撑焊盘。至少一个介电区域，插入在所述支撑焊盘与所述导电沟道的部分之间。本发明实施例涉及后钝化互连结构及其方法。
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公开(公告)号：CN220873557U
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202322344199.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提供一种包括具有一或多个凹口的环结构的半导体封装。所述半导体封装可包括：衬底；第一封装组件，接合至衬底，其中第一封装组件可包括第一半导体晶粒；环结构，贴合至衬底，其中环结构在俯视图中可包围第一封装组件；以及盖结构，贴合至环结构。环结构可包括：第一段，沿衬底的第一边缘延伸；以及第二段，沿衬底的第二边缘延伸。第一段与第二段可在环结构的第一隅角处交会，且环结构的第一凹口可设置于环结构的第一隅角处。通过在环结构的选择位置处设置凹口，可防止或减少粘合剂自盖结构及环结构的分层，而可提高半导体封装的长期可靠性。
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