-
公开(公告)号：CN112436001B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010868186.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装件包括：封装衬底；中介层，位于封装衬底上方并且接合至封装衬底；第一晶圆，位于中介层上方并且接合至中介层；以及第二晶圆，位于第一晶圆上方并且接合至第一晶圆。第一晶圆中具有独立的无源器件管芯。第二晶圆中具有有源器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件的形成方法。
-
公开(公告)号：CN116435197A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310290020.6
申请日：2023-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 方法包括形成复合封装衬底。复合封装衬底的形成包括：将互连管芯密封在密封剂中，其中互连管芯中包括多个通孔；以及在互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个RDL。方法还包括：将有机封装衬底接合至复合封装衬底；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至第一多个RDL。第一封装组件和第二封装组件通过互连管芯和第一多个RDL电互连。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN106920787B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201611055735.X
申请日：2016-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；及第一电介质，其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含：导电层，其放置于所述第一电介质中；及第二电介质，其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中，所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线，所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中，所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。
-
公开(公告)号：CN107039287B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201611107415.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 一种用于形成贯通孔的方法包括在封装件上方形成介电层和在介电层上方形成RDL的步骤，其中，形成RDL包括形成晶种层，在晶种层上方形成第一图案化掩模，以及执行第一金属镀敷的步骤。该方法还包括在RDL的第一部分的顶部上形成贯通孔，其中，形成贯通孔包括在晶种层和RDL上方形成第二图案化掩模，以及执行第二金属镀敷。该方法还包括附接芯片至RDL的第二部分，以及将芯片和贯通孔包封在包封材料中。本发明实施例涉及双侧集成扇出封装件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN112103256A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910966876.4
申请日：2019-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法。在本揭露实施例中，半导体装置包括封装组件，所述封装组件包括：多个集成电路管芯；包封体，位于所述多个集成电路管芯周围；重布线结构，位于所述包封体及所述多个集成电路管芯之上，所述重布线结构电耦合到所述多个集成电路管芯；多个插座，位于所述重布线结构之上，所述多个插座电耦合到所述重布线结构；以及支撑环，位于所述重布线结构之上且环绕所述多个插座，所述支撑环沿所述重布线结构的最外边缘设置，所述支撑环在横向上至少部分地与所述重布线结构交叠。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117012709A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310861640.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/68 , H01L21/66
Abstract: 形成封装件的方法包括形成重建晶圆，形成重建晶圆包括在载体上方放置多个封装组件，在多个封装组件上方形成互连结构，并且互连结构电互连多个封装组件，在互连结构上方形成顶部电连接件，并且将顶部电连接件电连接至互连结构，以及在与顶部电连接件相同的层级处形成对准标记。探测顶部电连接件中的探针焊盘，并且使用对准标记用于对准探针焊盘来执行探测。通过焊料区域将附加封装组件接合至重建晶圆。焊料区域物理地结合至顶部电连接件。
-
公开(公告)号：CN114937663A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110801922.2
申请日：2021-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/50
Abstract: 一种半导体器件包括：第一多个管芯，由包封体包封；中介层，位于所述第一多个管芯之上；内连线结构，位于所述中介层之上且电连接到所述中介层；以及多个导电焊盘，位于所述内连线结构的与所述中介层相对的表面上。所述中介层包括多个嵌置式无源组件。所述第一多个管芯中的每一管芯电连接到所述中介层。所述内连线结构包括位于所述内连线结构的金属化层中的螺线管电感器。
-
公开(公告)号：CN111384010B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201911358161.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/40 , H01L23/485 , H01L21/50
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：封装部件，包括集成电路管芯、位于集成电路管芯周围的密封剂、位于密封剂和集成电路管芯上方的再分布结构以及位于再分布结构上方的插座；机械支架，物理耦合到插座，机械支架具有开口，每个开口暴露相应的一个插座；热模块，物理地和热耦合到密封剂和集成电路管芯；以及螺栓，延伸穿过热模块、机械支架和封装部件。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN112436001A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010868186.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装件包括：封装衬底；中介层，位于封装衬底上方并且接合至封装衬底；第一晶圆，位于中介层上方并且接合至中介层；以及第二晶圆，位于第一晶圆上方并且接合至第一晶圆。第一晶圆中具有独立的无源器件管芯。第二晶圆中具有有源器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件的形成方法。
-
公开(公告)号：CN110880457A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910831648.6
申请日：2019-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/485 , H01L23/498
Abstract: 一种方法包括在载体上方形成复合材料层，该复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒，在复合材料层的第一侧上方形成一组通孔，将管芯附接在复合材料层的第一侧上方，管芯与该组通孔间隔开，在复合材料层的第一侧上方形成模制材料，模制材料最少横向密封管芯和该组通孔的通孔，在管芯和模制材料上方形成再分布结构，再分布结构电连接到通孔，在与第一侧相对的复合材料层的第二侧中形成开口，以及在开口中形成导电连接件，导电连接件电连接到通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.046 seconds)
