-
公开(公告)号：CN105823904A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610160263.8
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/09 , G01C19/5656
CPC classification number: G01P15/09 , G01C19/5656 , G01P2015/0862
Abstract: 本发明提供一种双自由度MEMS压电梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极背面纵向的一侧；一第一压电层，其制作在衬底电极上；一夹层电极，其制作在第一压电层上；一第二压电层，其制作在夹层电极上；一第一上电极，其制作在第二压电层上横向的一侧，其宽度小于第二压电层的二分之一；一第二上电极，其制作在第二压电层上横向的另一侧；一第三上电极，其制作在第二压电层上横向的中间；该第一上电极、第二上电极和第三上电极不接触。本发明具有正交误差小、机电转换效率高的特点。
-
公开(公告)号：CN105810813A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610159349.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/09
CPC classification number: H01L41/047 , H01L41/0475 , H01L41/094
Abstract: 本发明提供一种压电执行梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极上背面纵向的一侧；一压电层，其制作在衬底电极上；一第一上电极，其制作在压电层上横向的一侧；一第二上电极，其制作在压电层上横向的另一侧，该第一上电极和第二上电极不接触。本发明具有压电位移响应大、结构和制备工艺简单、可靠性高的特点。
-
公开(公告)号：CN105174209A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510326079.1
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种晶圆级光刻机键合方法，包括如下步骤：制作第一带通孔晶圆；取一第一支撑片，在支撑片上面的侧边制作第一保护片；在第一保护片上粘接第一带通孔晶圆，形成下底片；制作第二带通孔晶圆；取一第二支撑片，在第二支撑片上面的侧边制作第二保护片；在第二保护片上粘接第二带通孔晶圆，形成上盖片；在下底片上面的侧边制作键合材料层；通过光刻机将上盖片和下底片对准扣置，使第一带通孔晶圆和第二带通孔晶圆相对键合；去除下底片中的第一支撑片和第一保护片；去除上盖片中的第二支撑片和第二保护片，加热固化，完成键合。本发明通过在光刻机中实现带通孔圆片键合，提高了对准精度。该方法具有工艺简单和成本低的优势。
-
公开(公告)号：CN104876180A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510213917.4
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳化硅片上制备薄膜层或不制备第二碳化硅片；步骤5：将第一和第二碳化硅片制备有薄膜层的一面相对进行热压键合或者进行静电键合，将第一和第二碳化硅片键合在一起；步骤6：退火，完成制备。本发明解决了传统方法中高温高压的极端键合条件及中间异质层带来的问题，为SiC MEMS相关器件的研制和实用化提供一种有效方法。
-
公开(公告)号：CN104538294A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510002211.3
申请日：2015-01-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 刘胜北 , 何志 , 刘斌 , 杨香 , 刘兴昉 , 张峰 , 王雷 , 田丽欣 , 刘敏 , 申占伟 , 赵万顺 , 樊中朝 , 王晓峰 , 王晓东 , 赵永梅 , 杨富华 , 孙国胜 , 曾一平
CPC classification number: H01L29/401 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法。所述制作方法包括：提供SiC晶圆材料，并对所述SiC晶圆表面进行清洁；在所述SiC晶圆表面上淀积欧姆接触金属Ni；在所述欧姆接触金属Ni上面淀积TiW合金；对欧姆接触进行高温退火，完成SiC欧姆接触结构的制作。本发明中由于TiW合金具有一定的抗氧化性能，可以防止欧姆接触退火以及后续的工艺的过程中欧姆接触部分氧化失效；且TiW/Ni/SiC结构相对于Ni/SiC结构的欧姆接触具有更好的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103641063A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706907.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备图形化多孔硅结构的方法，包括：步骤1：在硅片上依次淀积氧化硅和氮化硅，形成双层掩膜结构；步骤2：在硅片上双层掩膜结构的表面定义氮化硅／氧化硅掩膜图形窗口区域，然后采用干法刻蚀依次去掉该图形窗口区域中的氮化硅和氧化硅层，露出硅片的表面；步骤3：对露出的硅片表面进行湿法腐蚀，形成硅腔结构；步骤4：采用水热腐蚀方法在硅腔结构内形成多孔硅层，完成图形化多孔硅结构的制备。本发明提供的掩膜体系可以实现不同厚度和图形尺寸的多孔硅图形、单面／双面多孔硅图形及自支撑多孔硅图形等。
-
公开(公告)号：CN101644691B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810118013.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。
-
公开(公告)号：CN101447775B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710178327.8
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种采用立方相碳化硅材料制作的微机电系统谐振器件及其制作方法。本发明提出的谐振器件是一种静电感应激励方式的谐振器件，振动模式为横向振动和纵向振动。本发明提出的谐振器件采用衬底/隔离层1/隔离层2/牺牲层/立方相碳化硅结构层材料体系：即在衬底和立方相碳化硅材料层之间生长1-2层隔离层和1层牺牲层。以此来实现器件工作层和衬底之间的隔离和器件牺牲层厚度的精确控制。通过采用立方相碳化硅材料作为结构层材料能够有效提高谐振器件的工作频率。
-
公开(公告)号：CN101644691A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810118013.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。
-
公开(公告)号：CN101492835A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810056727.6
申请日：2008-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理，用于去除表面划痕等缺陷，将表面刻蚀平整；步骤3：对绝缘衬底进行高温氮化处理，用于活化外延表面，使后续碳化硅易于附着在衬底表面且与衬底保持相同晶向关系；步骤4：在绝缘衬底上外延六方相单晶态碳化硅；步骤5：将碳化硅中的硅原子蒸发掉，完成在绝缘衬底上制备石墨烯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.032 seconds)
