公开(公告)号：CN101492835A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810056727.6

申请日：2008-01-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  孙国胜 ,  李晋闽 ,  赵永梅 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  王亮 ,  纪刚 ,  杨挺 ,  曾一平

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理，用于去除表面划痕等缺陷，将表面刻蚀平整；步骤3：对绝缘衬底进行高温氮化处理，用于活化外延表面，使后续碳化硅易于附着在衬底表面且与衬底保持相同晶向关系；步骤4：在绝缘衬底上外延六方相单晶态碳化硅；步骤5：将碳化硅中的硅原子蒸发掉，完成在绝缘衬底上制备石墨烯。

公开(公告)号：CN102064187B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910237845.1

申请日：2009-11-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙国胜 ,  刘兴昉 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  杨挺 ,  吴海雷 ,  闫果果 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料，包括：N型碳化硅衬底；位于该N型碳化硅衬底上的N-变浓度缓冲层；位于该N-变浓度缓冲层上的本征层；以及位于该本征层上的P+帽层。本发明同时公开了一种碳化硅PIN微结构材料的制作方法。本发明能制备表面光亮、电阻率均匀的SiC外延材料，其本征外延层背景载流子浓度可低至1015数量级，适用于半导体大功率电子电力器件。

公开(公告)号：CN102064187A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200910237845.1

申请日：2009-11-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙国胜 ,  刘兴昉 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  杨挺 ,  吴海雷 ,  闫果果 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料，包括：N型碳化硅衬底；位于该N型碳化硅衬底上的N-变浓度缓冲层；位于该N-变浓度缓冲层上的本征层；以及位于该本征层上的P+帽层。本发明同时公开了一种碳化硅PIN微结构材料的制作方法。本发明能制备表面光亮、电阻率均匀的SiC外延材料，其本征外延层背景载流子浓度可低至1015数量级，适用于半导体大功率电子电力器件。