-
公开(公告)号：CN114975672B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110222821.X
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法，包括：衬底、π型层、p型层、n+层、贯穿p型层的沟道型保护槽、二氧化硅绝缘层以及第一电极；还包括位于结构下方的衬底掏空区域、硅柱区和第二电极。本发明通过设置硅柱区和沟道型保护槽，增强了光电探测器近红外波段下不同波长的响应，调控边缘电场分布，有效调节器件的击穿特性，降低了过剩噪声；此外本发明在制备过程中采用微米级工艺，较纳米级工艺精度要求低，工艺容错率高，达到了降低制备成本的有益效果。
-
公开(公告)号：CN114975672A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110222821.X
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法，包括：衬底、π型层、p型层、n+层、贯穿p型层的沟道型保护槽、二氧化硅绝缘层以及第一电极；还包括位于结构下方的衬底掏空区域、硅柱区和第二电极。本发明通过设置硅柱区和沟道型保护槽，增强了光电探测器近红外波段下不同波长的响应，调控边缘电场分布，有效调节器件的击穿特性，降低了过剩噪声；此外本发明在制备过程中采用微米级工艺，较纳米级工艺精度要求低，工艺容错率高，达到了降低制备成本的有益效果。
-
公开(公告)号：CN113794104A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111150917.6
申请日：2021-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体激光器，包括：有源层(6)；N型下波导层(5)，设置在有源层(6)下，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；以及光子晶体波导层(4)，设置在N型下波导层(5)下，包括多个波导组件，每个波导组件包括：高折射率层(41)，以及低折射率层(42)，设置在高折射率层(41)上，低折射率层(42)的折射率不高于高折射率层(41)的折射率，多个波导组件的高折射率层(41)和低折射率层(42)交替设置，其中，低折射率层(42)包括从高折射率层(41)依次形成的折射率下降部(421)、过渡部(422)、和折射率上升部(423)，折射率下降部(421)的折射率从高折射率层(41)的折射率逐渐下降到过渡部(422)的折射率，折射率上升部(423)的折射率从过渡部(422)的折射率逐渐上升到高折射率层(41)的折射率。
-
公开(公告)号：CN101468786B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710304217.1
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明是一种用于MEMS的碳化硅微通道、微通道阵列及其制备方法，它涉及半导体工艺加工衬底和化学气相沉积方法制备碳化硅。本发明在衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸包括深度、宽度和长度以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版。然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料，此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面，它还在凹槽顶部形成封闭结构，这样就在衬底上形成了以凹槽为模版的碳化硅微通道、微通道阵列。
-
公开(公告)号：CN117199995A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311283697.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，包括：条形波导，包括：欧姆接触层，欧姆接触层在半导体激光器的前腔面沿第一方向上的厚度逐渐递增，并形成为第一形状，用以平衡半导体激光器在第一方向上载流子的消耗，第一方向为半导体激光器的前腔面延伸至后腔面的方向；欧姆接触层的中心沿水平方向向两侧的厚度逐渐递增，并形成为第二形状，用以平衡半导体激光器在水平方向上载流子的消耗，水平方向垂直于第一方向。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116646815A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310308102.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本公开提供了一种激光器及其制备方法，应用于半导体激光器技术领域。该激光器包括N面电极层、衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、反型层和P面电极层，该反型层包括至少一个反型层单元，P面电极层还与所述欧姆接触层接触。本公开通过在传统外延结构上继续外延生长一层反型层，仅需一次光刻实现区域电流注入，无需沉积绝缘层或者离子注入，大大简化了芯片的制作过程，提升了制备效率。同时通过欧姆接触层或P型限制层与反型层之间形成的凹凸结构，有助于P面电极层的金属扩展，增加了芯片与金属之间的粘合力。且多个反型层单元的设置，可以实现不同反型层单元之间的相互耦合，进而改善光束质量。
-
公开(公告)号：CN102682299A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210146281.2
申请日：2012-05-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于字符整体特征的快速车牌验证方法，包括：对输入的静态彩色车辆图像进行车牌提取及车牌字符分割；计算车牌字符图像背景场赋值，提取字符图像的凹凸特征；使用车牌字符图像的凹凸特征对待确认车牌信息进行验证，给出各位字符的验证结果；以及使用决策融合技术组合各位车牌字符的验证结果，判断待确认车牌信息的正确性。本发明避免了直接的牌照字符识别，不需要对图像进行复杂的预处理，识别率高，识别速度快，能可靠地用于车辆身份合法性鉴别。
-
公开(公告)号：CN101471637A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304221.8
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种的碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法。滤波器由两个结构尺寸完全相同的谐振器和中间耦合梁组成。该发明设计的射频滤波器的中心频率为谐振器的频率，其带宽由中间耦合梁决定。优化谐振梁结构尺寸可以得到高的谐振频率，同时优化耦合梁尺寸可以调整带宽。碳化硅优越的材料性能可以使器件应用于高温及腐蚀性等恶劣环境中；碳化硅高的声学速率可以提高器件的中心频率，增加频率选择性。本发明提出的碳化硅滤波器可以与集成电路工艺兼容，实现单片无线通信系统，满足射频通信系统高频带、微型化发展要求。
-
公开(公告)号：CN101440481A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177782.6
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括：(1)在衬底上生长氧化硅层；(2)在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯(或丙烷)和硅烷作为源气体，优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原位掺杂的方法降低碳化硅的电学电阻，N型掺杂源气体为氨气或氮气，P型掺杂源气体为硼烷或三甲基铝。采用优化的生长条件在氧化硅上获得低阻且表面平整光滑的碳化硅膜层。该发明的材料结构可以用于微纳机械系统(MEMS和NEMS)中。碳化硅作为MEMS结构材料层，其优越的性能使得器件可以应用于高温以及抗腐蚀等恶劣环境中；碳化硅高的杨氏模量可以大大提高谐振器及滤波器的谐振频率，应用于射频通信系统中。
-
公开(公告)号：CN117220131A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311180165.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器，包括：衬底；外延组件，设置在衬底上，并被构造成产生激光，其中，沿外延组件的侧向的两端向下刻蚀，形成沟道；脊形波导组件，包括：两个第一电极波导，分别设置在沟道内且与外延组件的欧姆接触层形成欧姆接触，其中，第一电极波导的折射率低于欧姆接触层的折射率，以限制侧向光场的扩展，提高基模的限制因子；下电极，设置在衬底上的与外延组件相对的一侧；以及上电极，设置在脊形波导组件上，与欧姆接触层和脊形波导组件形成欧姆接触，适用于与下电极协作以形成电子注入通道。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.038 seconds)
