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公开(公告)号:CN101644691B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200810118013.3
申请日:2008-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电学测试的汞探针装置,其特征在于,包括:一基座,该基座为扁平状的圆柱体,在基座的中心处纵向开有一细水银槽,在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽;在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽,该左水银槽与圆环形的水银槽连通;与左水银槽相对的位置开有一右水银槽,该右水银槽与细水银槽垂直连通;与左、右水银槽垂直,在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道;一左推杆,该左推杆的一端插入在左水银槽内;一右推杆,该右推杆的一端插入在右水银槽内。
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公开(公告)号:CN101644691A
公开(公告)日:2010-02-10
申请号:CN200810118013.3
申请日:2008-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电学测试的汞探针装置,其特征在于,包括:一基座,该基座为扁平状的圆柱体,在基座的中心处纵向开有一细水银槽,在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽;在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽,该左水银槽与圆环形的水银槽连通;与左水银槽相对的位置开有一右水银槽,该右水银槽与细水银槽垂直连通;与左、右水银槽垂直,在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道;一左推杆,该左推杆的一端插入在左水银槽内;一右推杆,该右推杆的一端插入在右水银槽内。
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公开(公告)号:CN101492835A
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200810056727.6
申请日:2008-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一绝缘衬底;步骤2:采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理,用于去除表面划痕等缺陷,将表面刻蚀平整;步骤3:对绝缘衬底进行高温氮化处理,用于活化外延表面,使后续碳化硅易于附着在衬底表面且与衬底保持相同晶向关系;步骤4:在绝缘衬底上外延六方相单晶态碳化硅;步骤5:将碳化硅中的硅原子蒸发掉,完成在绝缘衬底上制备石墨烯。
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