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公开(公告)号：CN112689882A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980059434.X
申请日：2019-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 乔·波鲁 , 詹姆士·P·布诺德诺
IPC: H01J37/147 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 在一个实施例中，提供一种用于萃取多个离子束的离子萃取光学器件。所述离子萃取光学器件可包括萃取板，所述萃取板界定切口区域，所述切口区域沿第一方向伸长。所述萃取装置可包括可滑动插入件，所述可滑动插入件被设置成与所述切口区域重叠，且能够相对于所述萃取板沿所述第一方向可滑动地移动，其中所述可滑动插入件及所述切口区域界定第一开孔及第二开孔。
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公开(公告)号：CN107078010B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置与系统以及控制离子束的方法，该装置包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。本发明的等离子体处理装置能对离子角分布作出更进一步的控制。
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公开(公告)号：CN107078010A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J2237/061 , H01J2237/30472
Abstract: 一种处理装置可包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。
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公开(公告)号：CN105340049B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480037223.3
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01L21/425
CPC classification number: C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供一种离子源及其操作方法。所述离子源包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧等离子体的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧等离子体中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。该方案除了减少离子源表面的金属蚀刻外，使用硅做为反应性插件的实施例的优点包括没有额外的金属物种从硅插件被引入至电弧等离子体中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104885186A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。
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公开(公告)号：CN102934195B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
Abstract: 揭示一种用于提取带离子束的电感耦合等离子源，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN102449739B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080024190.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 杰·T·舒尔 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265 , H05H1/24 , H05H1/34
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , H01L31/206 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。
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公开(公告)号：CN102113094A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130611.5
申请日：2009-06-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/024 , H01J2237/0458 , H01J2237/061
Abstract: 在离子源腔室的清洁过程中，定位于所述离子源腔室外部的电极包含抑制插塞。当将清洁气体引入至所述源腔室中时，所述抑制插塞可与所述源腔室的提取孔啮合，以便调整所述腔室内的气压，从而经由等离子增强化学反应而增强腔室清洁。可在清洁过程期间调整所述源腔室孔与所述抑制插塞之间的气体传导率，以便提供最佳清洁条件并排出不当沉积物。
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公开(公告)号：CN102105966A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980129479.6
申请日：2009-06-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/0817 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/304
Abstract: 揭示一种提供多模式离子源的技术。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为用于离子植入的设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。
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