公开(公告)号：CN102113094A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130611.5

申请日：2009-06-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·R·钱尼 ,  艾利克·R·科布 ,  本雄·具 ,  威尔汉·P·普拉托

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/061

Abstract: 在离子源腔室的清洁过程中，定位于所述离子源腔室外部的电极包含抑制插塞。当将清洁气体引入至所述源腔室中时，所述抑制插塞可与所述源腔室的提取孔啮合，以便调整所述腔室内的气压，从而经由等离子增强化学反应而增强腔室清洁。可在清洁过程期间调整所述源腔室孔与所述抑制插塞之间的气体传导率，以便提供最佳清洁条件并排出不当沉积物。