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公开(公告)号：CN101371328B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780002667.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/244 , G01B15/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
Abstract: 一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置。感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
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公开(公告)号：CN112352188A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980042758.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
IPC: G02B27/44
Abstract: 公开了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括在衬底顶部提供蚀刻终止层；以及在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层。所述方法还可包括在所述光栅层之上提供图案化掩模层；以及对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所述光栅可包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，并且其中所述蚀刻在所述多个成角构件之间的所述蚀刻终止层中形成过蚀刻区域。
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公开(公告)号：CN102934195A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
Abstract: 揭示一种离子源(200)，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN111566520A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201980007141.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
Abstract: 本文中的实施例提供用于形成光学组件的系统及方法。一种方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
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公开(公告)号：CN103620730B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280027207.7
申请日：2012-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 约瑟·欧尔森 , 克里斯多夫·J·里维特 , 派崔克·M·马汀
IPC: H01J37/32
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/3174 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111788684B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201880078139.4
申请日：2018-11-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
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公开(公告)号：CN112400132B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201980044880.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
Abstract: 提供了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括提供透光衬底以及在所述衬底上形成光栅层。所述方法包括在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述光栅的第一侧壁可具有第一角度，且所述光栅的第二侧壁具有不同于所述第一角度的第二角度。改变包括选择性及束角度扩展在内的工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。
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公开(公告)号：CN115097559A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210862953.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
IPC: G02B5/18
Abstract: 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
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公开(公告)号：CN111788684A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880078139.4
申请日：2018-11-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
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公开(公告)号：CN115097559B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210862953.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
IPC: G02B5/18
Abstract: 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
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