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公开(公告)号:CN104425516A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410377532.7
申请日:2014-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1218 , H01L2224/19 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于,高生产率地实现适于大面积化的柔性半导体装置以及图像显示装置。为此,本发明的柔性半导体装置以及图像显示装置,具有:具有可挠性的布线埋设层;以与布线埋设层的一个主面大致处于同一平面状态而埋设的加厚布线;以及与加厚布线电连接的TFT元件,所述柔性半导体装置以及图像显示装置在布线埋设层的所述一个主面上设置TFT元件,具有适于大面积化而且生产率非常高的构造和制造方法。
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公开(公告)号:CN101039014B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200710005407.3
申请日:2007-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/83385 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322
Abstract: 本发明公开了一种光半导体装置。目的在于:提供一种使施加在半导体激光芯片的残留应力施加在所希望的方向上且一定的范围内,以提高半导体激光的性能、可靠性,提高批量生产性的光半导体装置。本发明的光半导体装置20,包括:半导体激光芯片21、安装半导体激光芯片21的基台23、和夹在基台23的上表面与半导体激光芯片21的下表面之间的焊剂层24。半导体激光芯片朝上弯曲为凸起的形状。
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公开(公告)号:CN101540945A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200910128222.0
申请日:2009-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够实现小型化的传声器。传声器具备:基板2,其形成有音孔(1),且在上表面上具有基板电极(10);转换体(3),其设置在基板(2)的上表面上,并具有形成有背面空间(6)的主体(5)、设于主体(5)的背面空间(6)的底部的振动膜(7)、设于主体(5)的下表面中与基板电极(10)对置的区域的转换体电极(8);隆起焊盘(11),其连接基板电极(10)和转换体电极(8)。利用从音孔(1)传入的声音使振动膜(7)振动,在转换体(3)中声音被转换为信号。
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公开(公告)号:CN101128924A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200680005767.7
申请日:2006-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/563 , B23K35/0244 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11003 , H01L2224/1131 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2224/133 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83815 , H01L2224/83886 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/18161 , H01L2924/30105 , H05K3/323 , H05K3/3436 , H05K3/3484 , H05K2201/10977 , H05K2203/1361 , Y02P70/613 , Y10T29/53178 , H01L2224/05599
Abstract: 一种可应用于第二代LSI的倒装片安装中的、生产率及可靠性高的倒装片安装方法和凸起形成方法。在将具有多个电极端子(12)的半导体芯片(20),相对于具有多个连接端子(11)的电路基板(21)具有一定间隙地对置地保持的状态下,将半导体芯片(20)及电路基板(21)在放入了含有熔融焊锡粉的熔融树脂(14)的浸泡槽(40)内浸泡规定时间。在该浸泡工序中,熔融焊锡粉在电路基板(21)的连接端子(11)与半导体芯片(20)的电极端子(12)间自聚合,从而在该端子间形成连接体(22),然后,从浸泡槽(40)中取出半导体芯片(20)及电路基板(21),使渗透到半导体芯片(20)与电路基板(21)间的间隙内的熔融树脂(14)固化,完成倒装片安装体。
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公开(公告)号:CN1090324C
公开(公告)日:2002-09-04
申请号:CN96122837.7
申请日:1996-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01P15/09 , H01L41/083 , H01L41/113
CPC classification number: G01P15/0891 , G01L5/0052 , G01P1/127 , G01P15/0802 , G01P15/0922 , G01R31/2834 , G01R31/30 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49789
Abstract: 将由具有相对的2个主面的厚50μm、宽0.5m、长2mm的长方形的铌酸锂构成的压电基板(2a、2b)的主面之间以极化轴的方向成为相互相反的方向进行接合,构成压电元件(2)。将由铌酸锂构成的支持体(4a、4b)与压电元件(2)的一端直接接合。在压电元件(2)的相对的2个主面和支持体(4a、4b)上连续地形成由厚度0.2μm的铬-金构成的电极(3a、3b),构成悬臂梁结构的双压电晶片式机-电变换元件(1)。从而,构成本发明的加速度传感器。
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公开(公告)号:CN1266490A
公开(公告)日:2000-09-13
申请号:CN99800679.3
申请日:1999-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01P15/09 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/083
CPC classification number: G01P1/023 , G01P1/02 , G01P15/0922
Abstract: 本发明的加速度传感器抑制检测特性的离散剂,使低频检测特性提高,具有第1压电板(11)、通过直接接合与该第1压电板(11)相互贴合的第2压电板(12)、设于第1压电板(11)的主表面的第1外部电极(13)及设于第2压电板(12)的主表面的第2外部电极(14)。并且,第1压电板(11)与第2压电板(12)以极化轴倒置的状态相互贴合,并具有支承部(15)的厚度比其它部分(自由振动部分)的厚度要厚的大致L字形形状的剖面形状。
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公开(公告)号:CN1154478A
公开(公告)日:1997-07-16
申请号:CN96122837.7
申请日:1996-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0891 , G01L5/0052 , G01P1/127 , G01P15/0802 , G01P15/0922 , G01R31/2834 , G01R31/30 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49789
Abstract: 将由具有相对的2个主面的厚50μm、宽0.5m、长2mm的长方形的铌酸锂构成的压电基板2a、2b的主面之间以极化轴的方向成为相互相反的方向进行接合,构成压电元件2。将由铌酸锂构成的支持体4a、4b与压电元件2的一端直接接合。在压电元件2的相对的2个主面和支持体4a、4b上连续地形成由厚度0.2μm的铬-金构成的电极3a、3b,构成悬臂梁结构的双压电晶片式机-电变换元件1。从而,构成本发明的加速度传感器。
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公开(公告)号:CN100585822C
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200680005767.7
申请日:2006-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/563 , B23K35/0244 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11003 , H01L2224/1131 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2224/133 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83815 , H01L2224/83886 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/18161 , H01L2924/30105 , H05K3/323 , H05K3/3436 , H05K3/3484 , H05K2201/10977 , H05K2203/1361 , Y02P70/613 , Y10T29/53178 , H01L2224/05599
Abstract: 一种可应用于第二代LSI的倒装片安装中的、生产率及可靠性高的倒装片安装方法和凸起形成方法。在将具有多个电极端子(12)的半导体芯片(20),相对于具有多个连接端子(11)的电路基板(21)具有一定间隙地对置地保持的状态下,将半导体芯片(20)及电路基板(21)在放入了含有熔融焊锡粉的熔融树脂(14)的浸泡槽(40)内浸泡规定时间。在该浸泡工序中,熔融焊锡粉在电路基板(21)的连接端子(11)与半导体芯片(20)的电极端子(12)间自聚合,从而在该端子间形成连接体(22),然后,从浸泡槽(40)中取出半导体芯片(20)及电路基板(21),使渗透到半导体芯片(20)与电路基板(21)间的间隙内的熔融树脂(14)固化,完成倒装片安装体。
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公开(公告)号:CN101499480A
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200810188505.X
申请日:2008-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/36
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L2224/02351 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05548 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片及一种半导体装置。半导体芯片(10)包括基板(11)、形成在基板(11)的元件形成面一侧并具有多个半导体元件的集成电路(12)、形成在基板(11)中与多个半导体元件中的规定半导体元件(30)相对应的区域内的放热插塞(31)、以及形成在放热插塞(31)中除了放热插塞(31)的上端部以外的部分与基板(11)之间的第一绝缘膜(16)。放热插塞(31)由填充到在与元件形成面相反一侧的面上开口的非贯通孔内并且热导率高于基板(11)的热导率的材料形成,该放热插塞(31)的上端部与基板(11)接触。因此,能够实现从半导体基板的背面一侧高效地放热的半导体芯片。
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公开(公告)号:CN101477972A
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200810161743.1
申请日:2008-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49548 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49433 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T29/49117 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及引线框、具备引线框的电子元器件及其制造方法。电子元器件包括:裸芯片连接盘,装载元件;第一连接端子部,设在裸芯片连接盘的周围,底面成为外部端子;第二连接端子部,配置在裸芯片连接盘的周围,并与裸芯片连接盘电绝缘,顶面成为外部端子;弯曲部,在第一连接端子部和第二连接端子部之间,连接第一连接端子部和第二连接端子部,以及外框,弯曲部在相对于裸芯片连接盘的面的垂直方向被弯曲加工,在外框之内形成多个相邻的电子元器件区域,电子元器件区域是包括裸芯片连接盘、第一连接端子部及第二连接端子部的区域,相邻的多个电子元器件区域通过第一或第二连接端子部连接,在引线框不形成包围、连结并固定电子元器件区域的分离框。
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