公开(公告)号：CN105086865A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510251344.4

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC: C09J7/02 ,  C09J183/04 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T428/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066

Abstract: 本发明提供切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法，所述切割带一体型半导体背面用薄膜可以抑制由加热导致的切割带与倒装芯片型半导体背面用薄膜之间的剥离力上升。一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和形成在基材上的粘合剂层的切割带、以及形成在切割带的粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用薄膜，设粘合剂层的表面自由能为γ1，设倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能为γ2时，表面自由能γ2与表面自由能γ1之差(γ2-γ1)为10mJ/m2以上。

公开(公告)号：CN105027271A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480009322.0

申请日：2014-02-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J161/10 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  C09K3/10 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/563 ,  B32B27/38 ,  B32B2264/102 ,  B32B2457/14 ,  C08G59/621 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/08 ,  C08J2333/12 ,  C08J2361/10 ,  C08J2433/08 ,  C08J2433/12 ,  C08J2433/20 ,  C08J2463/00 ,  C08L33/06 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84862 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明提供一种底部填充片，其可良好地将半导体元件的电路面的凹凸埋入，可将半导体元件的端子与被粘接体的端子良好地连接，可减少脱气。本发明涉及一种底部填充片，其在150℃、0.05～0.20转/分钟时的粘度为1000～10000Pa·s，在100～200℃、0.3～0.7转/分钟时的最低粘度为100Pa·s以上。

公开(公告)号：CN105027266A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012151.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  盛田浩介 ,  福井章洋 ,  花园博行 ,  铃木彰

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B27/08 ,  B32B2270/00 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/08 ,  C08J2333/12 ,  C08J2461/06 ,  C08J2463/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其能够在自借助暂时固定层接合有晶片与支承体的带有支承体的晶片剥离支承体时，抑制粘贴于带有支承体的晶片的另一面的片状树脂组合物被溶解的情形。本发明的半导体装置的制造方法具备：工序A，准备在形成有贯通电极的晶片的一面借助暂时固定层而接合有支承体的带有支承体的晶片；工序B，准备在切割胶带上形成有外形小于晶片的另一面的片状树脂组合物的切割胶带一体型片状树脂组合物；工序C，将带有支承体的晶片的另一面粘贴于切割胶带一体型片状树脂组合物的片状树脂组合物；以及工序D，利用溶剂溶解暂时固定层，自晶片剥离支承体。

公开(公告)号：CN101776631B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200910258187.4

申请日：2009-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎博司 ,  内藤俊树 ,  花园博行

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01R27/08 ,  G01N27/125 ,  G01N27/126

Abstract: 本发明提供一种物质检测传感器，该物质检测传感器包括：绝缘层；2个电极，该2个电极在上述绝缘层上相互隔有间隔地相对配置；导电性层，该导电性层在上述绝缘层上，在2个上述电极之间，以与2个上述电极电连接的方式形成，该导电性层的溶胀的比率相应于指定物质的种类和/或数量而发生变化，导电性层在2个电极之间被分开形成多个。

公开(公告)号：CN102413630A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110216978.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 井上真一 ,  花园博行 ,  长谷川峰快

IPC: H05K1/02 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K3/108 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/2054

Abstract: 本发明提供一种布线电路基板及其制造方法。该布线电路基板具有由多孔质体膜构成的基底绝缘层。在由多孔质体膜构成的基底绝缘层上形成有导体图案。在基底绝缘层上以覆盖导体图案的方式形成有覆盖绝缘层。被用作基底绝缘层的多孔质体膜对400nm～800nm的波长区域内的至少一部分的波长的光具有50％以上的反射率。

公开(公告)号：CN102378483A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110217062.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长谷川峰快 ,  奥村圭佑 ,  井上真一 ,  花园博行

IPC: H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K1/034 ,  H01B3/445 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/06 ,  H05K3/108 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/015

Abstract: 本发明提供一种布线电路板及其制造方法。该布线电路板在由多孔质的ePTFE构成的多孔质的基底绝缘层之上形成多个导体图案。各导体图案具有晶种层和导体层的层叠构造。以覆盖各导体图案的方式在基底绝缘层之上形成覆盖绝缘层。用作多孔质的基底绝缘层的ePTFE具有连续孔。ePTFE的平均孔径为0.05μm以上、1.0μm以下。

公开(公告)号：CN102064294A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010544025.X

申请日：2010-11-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 花园博行

IPC: H01M2/06 ,  H01M2/30 ,  H01M8/10

CPC classification number: H05K1/16 ,  H01M8/0269 ,  H01M8/1011 ,  H05K1/0272 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/244 ,  H05K2201/056 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09481 ,  Y02E60/523

Abstract: 本发明提供一种布线电路基板以及燃料电池。在第一绝缘部和第二绝缘部上分别形成矩形的集电部。在第一绝缘部上以覆盖集电部的方式设置覆盖层，在第二绝缘部上以覆盖集电部的方式设置覆盖层。在第一绝缘部上以包围覆盖层的方式设置密封区域。另外，在第二绝缘部上以包围覆盖层的方式设置密封区域。在基底绝缘层的背面形成矩形的引出导体部。集电部与引出导体部相互电连接。

公开(公告)号：CN101662028A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910169346.3

申请日：2009-08-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎博司 ,  相本展明 ,  末吉太树 ,  花园博行

IPC: H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M2/30 ,  H01M8/00 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/1011 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/0239 ,  H01M8/0243 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/2475 ,  H01M2250/30 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/249 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0191 ,  Y02B90/18 ,  Y02E60/523

Abstract: 本发明提供一种配线电路基板和燃料电池。该配线电路基板在基底绝缘层的一面形成有一对矩形集电部以及从集电部呈长条状地延伸的引出导体部。在基底绝缘层上以覆盖集电部以及引出导体部的除了端部之外的部分的方式形成含碳层。另外，在基底绝缘层上以覆盖集电部以及引出导体部的除了端部之外的部分的方式形成含碳层以及树脂层。树脂层形成为覆盖引出导体部的位于弯折部上的部分。

公开(公告)号：CN102559000B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110276216.7

申请日：2011-09-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 井上真一 ,  花园博行 ,  江部宏史

IPC: C09D161/06 ,  C09D163/00 ,  C09D167/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  H05K1/02

CPC classification number: C08K5/3472 ,  C08G18/4219 ,  C08G18/8061 ,  C08G59/50 ,  C08G59/508 ,  C08K3/04 ,  C08K3/041 ,  C08K3/08 ,  C09D17/005 ,  C09D163/00 ,  C09D175/06 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/0221 ,  H01M8/0226 ,  H01M8/0247 ,  H01M8/1011 ,  H01M8/2475 ,  Y02E60/523 ,  C08L63/00

Abstract: 本发明提供一种糊剂组合物及布线电路基板。在糊剂绝缘层的一面形成导体层。导体层由一对矩形的集电部和从集电部以长条状延伸出的引出导体部构成。以覆盖导体层的规定部分的方式在基底绝缘层上形成被覆层。作为被覆层的材料，使用含有式(1)所示的化合物的糊剂组合物：[化学式1]。

公开(公告)号：CN105143344A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021494.X

申请日：2014-04-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC: C08L63/00 ,  C08G59/62 ,  C08K3/00 ,  C09J7/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: C08L61/06 ,  C08G59/62 ,  C08L63/00 ,  C08L2203/206 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  C08L61/24

Abstract: 提供一种热固性树脂组合物和使用该热固性树脂组合物的半导体装置的制造方法，该热固性树脂组合物通过缓和半导体元件与被粘物的热响应行为的差异，能够确保构件材质的可利用性，并且能够制造连接可靠性高的半导体装置。本发明为包含环氧树脂和羟基当量为200g/eq以上的线型酚醛型酚醛树脂的半导体装置制造用的热固性树脂组合物。上述线型酚醛型酚醛树脂优选包含由下述结构式表示的结构(式中，n为0～12的整数)。