公开(公告)号：CN111748290B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202010218433.X

申请日：2020-03-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/14 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供带粘接薄膜的切割带，对在为了得到带粘接薄膜的半导体芯片而使用带粘接薄膜的切割带进行的扩展工序中使切割带(DT)上的粘接薄膜良好地割断是适合的，且对抑制割断后的带粘接薄膜的半导体芯片自DT的浮起且实现拾取工序中的良好拾取是适合的。带粘接薄膜的切割带(X)具备切割带(10)和粘接薄膜(20)。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)具有的粘合2剂层(12)。相对于在22℃下受到300mJ/cm的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜cm2的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜(20)之间的剥离粘合力的比率为0.8～2。(20)之间的剥离粘合力的、在60℃下受到300mJ/

公开(公告)号：CN115368841A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534957.9

申请日：2022-05-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供下述粘合带等，其用于切割芯片接合薄膜的前述粘合剂层，所述切割芯片接合薄膜具备：粘合剂层、和重叠于该粘合剂层的芯片接合片，前述粘合带包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有烷基部分的碳数为12以上的(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元，前述丙烯酸类共聚物包含前述(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元10摩尔％以上且85摩尔％以下、并且包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元15摩尔％以上且35摩尔％以下。

公开(公告)号：CN111009488A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910936604.X

申请日：2019-09-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  大西谦司 ,  高本尚英 ,  福井章洋

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供切割芯片接合薄膜，其即使在制造后经过长时间之后也能够对割断后的带有粘接剂层的半导体芯片实现良好的拾取。切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层包含：聚合物，其具有来源于包含自由基聚合性官能团及除自由基聚合性官能团以外的第1官能团的交联剂的结构部，且维持前述自由基聚合性官能团的自由基聚合性；和，自由基聚合引发剂，其具有能够与前述第1官能团反应的第2官能团。

公开(公告)号：CN108735651A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810345580.6

申请日：2018-04-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供适合在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片使用切割芯片接合薄膜(DDAF)的扩展工序中使切割带上的粘接剂层良好地割断并对割断后的带有粘接剂层的半导体芯片实现良好的拾取的切割芯片接合薄膜。DDAF具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具备含有第1丙烯酸类聚合物的粘合剂层(12)，第1丙烯酸类聚合物包含(甲基)丙烯酸月桂基酯和(甲基)丙烯酸2-羟乙基酯作为构成单体。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合，包含具有腈基的第2丙烯酸类聚合物。第2丙烯酸类聚合物的红外吸收光谱中来源于腈基的2240cm-1附近的峰的高度相对于来源于羰基的1730cm-1附近的峰的高度之比为0.01～0.1。

公开(公告)号：CN107227123A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710183427.3

申请日：2017-03-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  福井章洋 ,  杉村敏正

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J175/14 ,  C08G18/62 ,  C09J11/08 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683 ,  C08F220/18 ,  C08F8/30

CPC classification number: C09J133/00 ,  C08F8/30 ,  C08F220/18 ,  C08G18/62 ,  C08L2205/025 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J163/00 ,  C09J175/14 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  C09J2423/046 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2475/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68336 ,  C08F2220/281 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08K7/26 ,  C08L33/00

Abstract: 本发明提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述切割芯片接合薄膜能够抑制在冷却扩展工序中芯片接合薄膜从切割片浮起，并且能够在拾取工序中从切割片适宜地剥离带芯片接合薄膜的半导体芯片。一种切割芯片接合薄膜，具有：切割片；和层叠在切割片上的芯片接合薄膜，切割片与芯片接合薄膜的23℃下的剥离力A处于0.1N/20mm以上且0.25N/20mm以下的范围内，切割片与芯片接合薄膜的‑15℃下的剥离力B在下述剥离力B的测定条件下处于0.15N/20mm以上且0.5N/20mm以下的范围内，芯片接合薄膜是通过施加拉伸张力而断裂来使用的。

公开(公告)号：CN105086865A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510251344.4

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC: C09J7/02 ,  C09J183/04 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T428/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066

Abstract: 本发明提供切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法，所述切割带一体型半导体背面用薄膜可以抑制由加热导致的切割带与倒装芯片型半导体背面用薄膜之间的剥离力上升。一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和形成在基材上的粘合剂层的切割带、以及形成在切割带的粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用薄膜，设粘合剂层的表面自由能为γ1，设倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能为γ2时，表面自由能γ2与表面自由能γ1之差(γ2-γ1)为10mJ/m2以上。

公开(公告)号：CN105027271A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480009322.0

申请日：2014-02-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J161/10 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  C09K3/10 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/563 ,  B32B27/38 ,  B32B2264/102 ,  B32B2457/14 ,  C08G59/621 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/08 ,  C08J2333/12 ,  C08J2361/10 ,  C08J2433/08 ,  C08J2433/12 ,  C08J2433/20 ,  C08J2463/00 ,  C08L33/06 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84862 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明提供一种底部填充片，其可良好地将半导体元件的电路面的凹凸埋入，可将半导体元件的端子与被粘接体的端子良好地连接，可减少脱气。本发明涉及一种底部填充片，其在150℃、0.05～0.20转/分钟时的粘度为1000～10000Pa·s，在100～200℃、0.3～0.7转/分钟时的最低粘度为100Pa·s以上。

公开(公告)号：CN105027266A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012151.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  盛田浩介 ,  福井章洋 ,  花园博行 ,  铃木彰

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B27/08 ,  B32B2270/00 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/08 ,  C08J2333/12 ,  C08J2461/06 ,  C08J2463/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其能够在自借助暂时固定层接合有晶片与支承体的带有支承体的晶片剥离支承体时，抑制粘贴于带有支承体的晶片的另一面的片状树脂组合物被溶解的情形。本发明的半导体装置的制造方法具备：工序A，准备在形成有贯通电极的晶片的一面借助暂时固定层而接合有支承体的带有支承体的晶片；工序B，准备在切割胶带上形成有外形小于晶片的另一面的片状树脂组合物的切割胶带一体型片状树脂组合物；工序C，将带有支承体的晶片的另一面粘贴于切割胶带一体型片状树脂组合物的片状树脂组合物；以及工序D，利用溶剂溶解暂时固定层，自晶片剥离支承体。

公开(公告)号：CN113004817B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202011446409.8

申请日：2020-12-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  田中俊平 ,  田村彰规

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割芯片接合薄膜具备在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，所述切割芯片接合薄膜的汉森溶解度参数距离Ra为3以上且14以下，所述汉森溶解度参数距离Ra是使用由三维坐标表示的前述粘合剂层的汉森溶解度参数(δdA、δpA、δhA)和由三维坐标表示的前述芯片接合层的汉森溶解度参数(δdD、δpD、δhD)而算出的。

公开(公告)号：CN119447003A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411020068.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 角野雅俊 ,  福井章洋 ,  中浦宏 ,  土生刚志

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  C09J7/29

Abstract: 本发明涉及切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法。提供一种切割带等，其具备基材层、以及重叠于该基材层的单面的粘合剂层，前述基材层具有层叠的多个层，作为该多个层，至少具有包含乙烯‑丙烯酸共聚树脂的第一基材层和包含除前述乙烯‑丙烯酸共聚树脂之外的树脂的第二基材层，在前述第一基材层与前述粘合剂层之间配置有前述第二基材层。