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公开(公告)号：CN115566022A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210961883.7
申请日：2022-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 集成电路装置包括基板与位于第一栅极结构及该第二栅极结构之间的鳍片隔离结构。第一栅极结构包绕位于第一鳍片上方的第一垂直纳米结构通道堆叠。第二栅极结构包绕位于第二鳍片上方的第二垂直纳米结构通道堆叠。鳍片隔离结构从第一栅极结构的上表面延伸至基板的上表面。沟槽隔离结构位于第一鳍片与鳍片隔离结构之间且具有与鳍片隔离结构不同的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN115377000A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210665495.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体结构。半导体结构包括环绕第一纳米结构的第一栅极堆叠件、环绕第二纳米结构的第二栅极堆叠件、介于第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件之间的栅极隔离结构、邻接第一纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二纳米结构的第二源极/漏极部件、以及介于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的源极/漏极间隔件结构。栅极隔离结构覆盖源极/漏极间隔件结构的侧壁。本发明的实施例还提供了一种形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN115207084A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210685849.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 半导体器件包括衬底、栅极结构、源极/漏极区域、第一硅化物层、第二硅化物层和接触件。栅极结构包裹至少一个纳米结构沟道垂直堆叠件。源极/漏极区域邻接栅极结构。第一硅化物层包括位于源极/漏极区域上的第一金属组分。第二硅化物层包括与第一金属组分不同的第二金属组分，并且位于第一硅化物层上。接触件位于第二硅化物层上。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN115148668A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210056896.X
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括形成在衬底上方的鳍结构和形成在鳍结构上方的栅极结构。半导体器件结构包括邻近栅极结构形成的第一源极/漏极(S/D)结构，以及形成在第一S/D结构上方的第一S/D接触结构。半导体器件结构包括形成在第一S/D结构上方的第一填充层，并且第一S/D接触结构由第一填充层围绕。半导体器件结构包括邻近栅极结构和第一填充层形成的介电层，且介电层与第一填充层由不同的材料制成。第一填充层由介电层围绕。本申请的实施例还涉及形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN114975435A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210320257.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 一种集成电路，包括在基板上的第一纳米片晶体管及第二纳米片晶体管。第一纳米片晶体管及第二纳米片晶体管各包括栅电极。栅电极隔离结构从基板栅电极之间的背面延伸。栅极隔离结构将第一栅电极与第二栅电极彼此物理和电性隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114975268A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210302849.9
申请日：2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供了一种具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体装置及其制造方法。此方法包括在基板上形成鳍状结构，在鳍状结构上形成超晶格结构，在超晶格结构内形成第一及第二源极/漏极区，在第一及第二源极/漏极区之间形成栅极结构，在第一及第二源极/漏极区的第一表面上形成第一及第二接触结构，在第一源极/漏极区的第二表面上形成具有功函数金属(work function metal,WFM)硅化层和双金属衬层的第三接触结构。第二表面相反于第一源极/漏极区的第一表面，相较于第一源极/漏极区的材料的价带能量，功函数金属硅化层的功函数值更接近该材料的导带能量。
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公开(公告)号：CN114975258A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210276200.4
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：接收具有前表面与背表面的基底；在基底形成一第一介电材料的隔离部件，定义被隔离部件围绕的主动区；在主动区上形成栅极堆叠物；在主动区上形成第一与第二源极/漏极部件；形成前接触部件而接触第一源极/漏极部件；从背表面将基底打薄，暴露出隔离部件；选择性蚀刻主动区，造成被隔离部件围绕的沟槽，第二源极/漏极部件暴露于沟槽内；在沟槽形成与第一介电材料不同的第二介电材料的衬垫层；形成背侧导孔部件，落在沟槽内的第二源极/漏极部件上；以及形成背侧金属线，落在背侧导孔部件上。
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公开(公告)号：CN114927476A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210187385.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了在半导体装置中形成双侧超级电源轨(dual‑side super power rail)的方法、以上述方法形成的半导体装置，以及测试半导体装置的方法。在一实施例中，一种半导体装置包括一晶体管结构；一前侧互连结构，位于此晶体管结构的一前侧上；及一背侧互连结构，位于此晶体管结构的一背侧上。此前侧互连结构包含一前侧电源输送网络(power delivery network；PDN)及一前侧输入/输出引脚。此背侧互连结构包含一背侧PDN。
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公开(公告)号：CN114883326A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210331166.6
申请日：2022-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。根据本公开，示例性的半导体装置包括多个第一通道纳米结构，位于第一装置区中彼此间隔开；多个第二通道纳米结构，位于第二装置区中彼此间隔开；介电鳍片，位于第一装置区与第二装置区之间的边界；高介电常数介电层，围绕每个第一通道纳米结构和每个第二通道纳米结构并位于介电鳍片上方；第一功函数层，围绕每个第一通道纳米结构并位于高介电常数介电层上方，其中第一功函数层完全填充第一通道纳米结构之间的空间并且具有位于介电鳍片上方的边缘；以及第二功函数层，围绕每个第二通道纳米结构并位于高介电常数介电层和第一功函数层上方，其中第二功函数层完全填充第二通道纳米结构之间的空间。
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公开(公告)号：CN110970426B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910916830.1
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括多个纳米结构。每个纳米结构包含半导体材料。多个第一间隔件周向地环绕纳米结构。多个第二间隔件周向地环绕第一间隔件。多个第三间隔件垂直设置在第二间隔件之间。栅极结构围绕第二间隔件和第三间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
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