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公开(公告)号:CN1797765A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510127249.X
申请日:2005-11-24
Applicant: 通用电气公司
Inventor: L·D·斯特瓦诺维克 , E·C·德尔加多 , M·J·舒滕 , R·A·博普雷 , M·A·德鲁伊
IPC: H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/2076 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , H05K1/147 , H05K3/0061 , H05K3/361 , H05K2201/044 , H05K2201/0715 , H05K2201/10189 , H05K2201/10287 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率模块(10),包括衬底(12),该衬底(12)包括上层(16)、电绝缘体(26)和热耦合层(28)。上层包括导电图案(17)并且被构成为接收功率器件(14)。电绝缘体设置在上层和热耦合层之间。热耦合层被构成为与散热片热耦合。该功率模块还包括至少一个薄层互连(18),该薄层互连包括第一和第二导电层(20、24)以及设置在第一和第二导电层之间的绝缘层(22)。薄层互连的该第一导电层电连接到衬底的上层。电连接(42)将功率器件的顶面(19)连接到薄层互连的第二导电层。
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公开(公告)号:CN1740475A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200510097721.X
申请日:2005-08-24
Applicant: 通用电气公司
IPC: E04D13/18 , H01L31/042
CPC classification number: H02S20/23 , E04D3/38 , F24S25/632 , H01L31/048 , Y02B10/12 , Y02B10/20 , Y02E10/47 , Y02E10/50
Abstract: 一种用于住宅或轻型商业建筑的建筑结构构件,包括:一个PV层板和一个塑料框架(60、160、260),它至少包围该PV层板设置。该塑料框(60、160、260)包含一个第一电连接件(50、150、250),用来与PV层板连通并接受相邻PV层板的电连接。该第一电连接件(50、150、250)的形状做成便于与相邻PV层板作电气和机械连接,同时框架(60、160、260)有一个便于固定到建筑结构上的装置。
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公开(公告)号:CN102869236B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201210323662.3
申请日:2012-06-25
Applicant: 通用电气公司
IPC: H05K7/20 , H01L23/473 , H01L23/467
CPC classification number: H01L23/473 , H01L2924/0002 , Y10T29/49817 , H01L2924/00
Abstract: 公开用于功率模块的冷却装置及其相关方法,该功率模块具有经由基片布置在基板上的电子模块。冷却装置包括具有至少一个冷却区段的散热板。冷却区段包括用于冷却介质的进入的入口室、多个入口歧管通道、多个出口歧管通道和出口室。多个入口歧管通道正交地联接于入口室,用于从入口室接收冷却介质。多个出口歧管通道布置成平行于入口歧管通道。出口室正交地联接于多个出口歧管通道,用于冷却介质的排出。多个毫通道在基板中布置成正交于入口歧管通道和出口歧管通道。多个毫通道将冷却介质从多个入口歧管通道引导到多个出口歧管通道。
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公开(公告)号:CN102076203B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN200910252631.1
申请日:2009-11-24
Applicant: 通用电气公司
Inventor: S·S·冈图里 , M·巴拉苏布拉马尼亚姆 , R·V·马利娜 , R·A·博普雷 , L·颜 , R·S·张 , L·D·斯特瓦诺维克 , A·G·保世 , S·A·索洛维奇
IPC: H05K7/20 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于紧压包装的散热器和冷却及包装叠层。提供了用于直接冷却至少一个电子装置包装(20)的散热器(300)。电子装置包装具有上接触表面(22)和下接触表面(24)。散热器包括由至少一种热传导性材料形成的冷却件(310)。冷却件限定构造成用以接收冷却剂的多个进入歧管(12),以及构造成用以排放冷却剂的多个排出歧管(14)。进入歧管和排出歧管是交错的。冷却件还限定了构造成用以接收来自于进入歧管的冷却剂且将冷却剂输送给排出歧管的多个毫通道(16)。毫通道及进入歧管和排出歧管还构造成用以通过与冷却剂的直接接触来直接冷却电子装置包装的上接触表面和下接触表面中的一者,使得散热器构成一体式散热器。
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公开(公告)号:CN102543946A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110427046.8
申请日:2011-12-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/56 , H01L23/3164 , H01L23/3192 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L29/0657 , H01L2224/24 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24227 , H01L2224/76155 , H01L2224/82 , H01L2224/82102 , H01L2224/82105 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/12036 , H01L2924/1204 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明名称为半导体器件封装及其制造方法。一种半导体器件封装,包括具有其上形成的连接垫片的半导体器件,其中连接垫片在半导体器件的第一表面和第二表面上形成,半导体器件边缘在第一表面和第二表面之间延伸。在半导体器件上施加第一钝化层,并且半导体器件的第一表面附有基极介电层压材料,其厚度大于第一钝化层的厚度。在第一钝化层和半导体器件上方施加厚度大于第一钝化层厚度的第二钝化层,以覆盖半导体器件的第二表面和边缘,并且金属互连耦合到连接垫片,其中金属互连贯穿穿过第一钝化层和第二钝化层及基极介电层压片形成的通孔,以形成与连接垫片的连接。
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公开(公告)号:CN102076203A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200910252631.1
申请日:2009-11-24
Applicant: 通用电气公司
Inventor: S·S·冈图里 , M·巴拉苏布拉马尼亚姆 , R·V·马利娜 , R·A·博普雷 , L·颜 , R·S·张 , L·D·斯特瓦诺维克 , A·G·保世 , S·A·索洛维奇
IPC: H05K7/20 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于紧压包装的散热器和冷却及包装叠层。提供了用于直接冷却至少一个电子装置包装(20)的散热器(300)。电子装置包装具有上接触表面(22)和下接触表面(24)。散热器包括由至少一种热传导性材料形成的冷却件(310)。冷却件限定构造成用以接收冷却剂的多个进入歧管(12),以及构造成用以排放冷却剂的多个排出歧管(14)。进入歧管和排出歧管是交错的。冷却件还限定了构造成用以接收来自于进入歧管的冷却剂且将冷却剂输送给排出歧管的多个毫通道(16)。毫通道及进入歧管和排出歧管还构造成用以通过与冷却剂的直接接触来直接冷却电子装置包装的上接触表面和下接触表面中的一者,使得散热器构成一体式散热器。
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公开(公告)号:CN100561735C
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:CN200610160598.6
申请日:2006-10-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/057 , H01L23/24 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/24 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3011 , H05K1/141 , H05K1/145 , H05K1/147 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率电路组件(10)包括基底(12),该基底(12)包括衬底(14),在衬底之上的多个互连电路层(16),每个互连电路层(16)包括形成有衬底电互连线(20)图案的衬底绝缘层(18),和从衬底的顶部表面延伸到至少一个衬底电互连线(20)的通路接线(22,24);以及包括功率半导体器件(28)的功率半导体模块(26),每个功率半导体器件(28)包括在各自功率半导体器件的顶部表面上的器件焊盘(30)和在各自功率半导体器件的底部表面上的背面触点(31),功率半导体器件与薄膜结构(32)耦合,该薄膜结构包括薄膜绝缘层(34)和在薄膜绝缘层之上并选择性地延伸到器件焊盘的薄膜电互连线(36),其中背面触点(31)与选择的衬底电互连线或者通路接线耦合。
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公开(公告)号:CN1917158A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200610115024.7
申请日:2006-08-17
Applicant: 通用电气公司
Inventor: R·A·费利昂 , R·A·博普雷 , A·埃拉塞尔 , R·J·沃纳洛夫斯基 , C·S·科尔曼
CPC classification number: H01L23/4822 , H01L23/4821 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/072 , H01L2224/2402 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/92135 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19042 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体芯片封装结构,包括电介质膜(10),该电介质膜(10)具有与至少一个功率半导体芯片(21)的一个或多个接触垫(22)和(23)对准的一个或多个通孔(11)。邻近电介质膜(10)的图案化的导电层(40)具有一个或多个导电柱(41),其延伸通过与接触垫(22)和(23)对准的该一个或多个通孔(11),以将导电层(40)电耦接至接触垫(22)和(23)。在特定实施例中,可在电介质膜(10)和该至少一个功率半导体芯片(21)的有源表面(24)之间形成一个或多个空气隙(91)。还公开了用于制备该半导体芯片封装结构的方法。
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