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公开(公告)号：CN119937714A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510056247.3
申请日：2025-01-14
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
IPC: G05F1/573
Abstract: 本发明涉及电源管理集成电路技术领域，公开了一种微功耗线性电源折返式限流保护电路及方法，该电路结构误差放大器通过比较基准电压VREF与反馈电压，能够精确控制第十八P型晶体管MP18的导通程度，从而调节输出电压VOUT至设定值。这种闭环反馈机制极大地提高了电源的稳定性，确保输出电压在各种负载条件下都能保持恒定。折返式限流保护电路通过监测输出电流，当输出电流超过设定阈值时，能够迅速响应并作用于误差放大器的输入端，调整其输出信号，进而减小第十八P型晶体管MP18的导通程度，实现限流保护。这种折返式限流机制能够有效防止因过流而导致的电源损坏或短路故障。
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公开(公告)号：CN119937704A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510056273.6
申请日：2025-01-14
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有模式控制功能的微功耗快速响应低压差线性稳压器，包括双模控制器，双模控制器的负相输入端接外部分压电阻的SET端，双模控制器的正相端接GND，双模控制器的输出端与误差放大器的控制器的正相输入端连接，双模控制器用于调节稳压器为固定输出电压模式或可调输出电压模式；误差放大器负相输入端与基准电压VREF连接，输出端与具有电压钳位功能的驱动电路输入端连接；具有电压钳位功能的驱动电路的输出端与Mp1高压PMOS晶体管的栅极连接，衬底和源极接输入电压VIN，漏极接稳压器输出端OUT；该线性稳压器应用时不需要考虑电容类型和电容串联等效电阻，可以满足微功耗电子系统供电及电池供电系统的需要。
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公开(公告)号：CN118981448A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410975716.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多核处理器的标准计算节点设计系统及方法，包括供电管理单元，供电管理单元与处理单元和健康管理单元连接，分别给处理单元和健康管理单元供电，处理单元与健康管理单元双向连通，其中，处理单元用于读取健康管理单元输出程序信息，实现程序加载，健康管理单元用于读取处理单元输出健康数据，对其进行状态监控，本发明旨在实现一种基于多核处理器的标准计算节点设计系统，作为星载高性能实时处理计算机的标准计算节点，可满足当前星载高性能图像实时处理的硬件需求，实现数据在星上的图像数据分类提取、实时处理和快速融合能力。
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公开(公告)号：CN118826647A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411034069.6
申请日：2024-07-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种RC振荡器放电晶体管防漏电电路，属于模拟集成电路设计技术领域。本发明提出的RC振荡器放电晶体管防漏电电路包括放电模块，用于设定放电电流，放电模块包括NPN型晶体管QN3和放电晶体管QSN1。NPN型晶体管QN3的集电极连接放电晶体管QSN1的发射极，放电晶体管QSN1的基极用于输出放电控制信号，放电晶体管QSN1的集电极连接CT端，NPN型晶体管QN3的基极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接NPN型晶体管QN1的集电极，NPN型晶体管QN3的发射极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地。与现有技术相比，本发明有效地解决了现有技术中放电晶体管发射极电位与接地电位直接相连导致放电晶体管静态工作点设计难度较大和对工艺偏差的兼容性较低的问题。
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公开(公告)号：CN113990983B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111243682.5
申请日：2021-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116303215A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211611133.3
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种主从式多DSP处理系统、方法、设备及存储介质，属于空间嵌入式计算机应用领域。本系统在整个系统间的复位做了级联控制，利用从DSP(协处理器)的复位将HPI的初始化由硬件电路改为FPGA控制，同时通过在线配置的加载模式，通过主处理器在线加载协处理器程序，节省了协处理器外部程序存储器，有效地解决了现有主从式多DSP系统中存在复位同步处理、HPI接口固定、加载模式固定、硬件电路设计复杂度高、系统扩展性差等问题，本系统降低了计算机的电路设计复杂度，提高计算机的灵活性、可扩展性及继承性，可广泛应用于空间嵌入式计算机产品中，具有较高的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN116301159A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310288936.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，公开了一种低温漂的双极带隙基准电压源，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接；带隙基准模块用于生成一阶补偿的带隙基准电压；温度补偿模块用于生成高阶PTAT电流，并通过高阶PTAT电流补偿带隙基准电压中负温度系数的高阶项，得到低温漂的带隙基准电压；直流偏置模块用于生成第一偏置电流和第二偏置电流，并分别发送至带隙基准模块和温度补偿模块。可让电路在不同温度的工作状态下，使带隙基准电压源输出的基准电压不受温度的变化，具有低温漂、适应双极型工艺的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性。
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公开(公告)号：CN113220062B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110500674.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。
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公开(公告)号：CN111521925A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010364331.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种4M 1553总线收发器系统级测试系统及测试方法，采用电阻网络单元、第一变压器单元和第二变压器单元组成4M 1553总线收发器系统级的测试系统，采用电阻网络单元作为收发器输出信号端的输出幅值调节，结合变压器单元实现信号的稳定传输，可覆盖4M 1553总线通信所有的应用环境下收发器的测试，电路结构简单，集成度好，测试结果准确，相对于搭建通信网络的测试方法，能够极大程度的降低了测试系统开发成本及周期，并且测试验证全面、可靠，为4M 1553总线收发器的应用发展提供了测试可靠性保证。
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公开(公告)号：CN116909343A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310926907.X
申请日：2023-07-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法，涉及集成电路设计领域，在PMOS管的体端增加电位调节电路，这与原有阻容反馈网络、误差放大器组成的控制环路相互独立，对IP1的调节速度是叠加关系。体端电位调节电路是逻辑电路与小型开关电路，静态功耗低、面积小，不影响低压差线性稳压器的效率、体积。在控制环路功耗不变、Class‑AB静态偏置电流不变、不增加额外功率管的情况下，利用开关型电位转换电路改变Class‑AB中NMOS管体电位，实现额外的LDO输出电流变化，从而提高LDO速度。本发明在不用大幅增加静态功耗的条件下提高输出电流IOUT调节速度，降低VOUT在输出负载跳变后的恢复时间。
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