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公开(公告)号:CN117406820A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311438419.0
申请日:2023-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电子器件领域,公开了一种零极点负载跟随补偿的低压差线性稳压器及其电路,包括低压差线性稳压器电路以及相互连接的电流采样电路和阻容网络电路;电流采样电路与低压差线性稳压器电路的电源端以及低压差线性稳压器电路的误差放大器的输出端均连接;阻容网络电路与低压差线性稳压器电路的误差放大器的负输入端、低压差线性稳压器电路的输出端以及低压差线性稳压器电路的两个反馈电阻的连接线均连接。实现补偿位置随负载自适应变化,调节自由度高,即便在误差放大器主极点附近存在其它额外的零极点加速电路相位下降,也会由于负载跟随补偿的相位起点位于0°附近,使得所能兼容的相位或增益衰减范围更大,保证系统的稳定。
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公开(公告)号:CN116909343A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310926907.X
申请日:2023-07-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法,涉及集成电路设计领域,在PMOS管的体端增加电位调节电路,这与原有阻容反馈网络、误差放大器组成的控制环路相互独立,对IP1的调节速度是叠加关系。体端电位调节电路是逻辑电路与小型开关电路,静态功耗低、面积小,不影响低压差线性稳压器的效率、体积。在控制环路功耗不变、Class‑AB静态偏置电流不变、不增加额外功率管的情况下,利用开关型电位转换电路改变Class‑AB中NMOS管体电位,实现额外的LDO输出电流变化,从而提高LDO速度。本发明在不用大幅增加静态功耗的条件下提高输出电流IOUT调节速度,降低VOUT在输出负载跳变后的恢复时间。
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公开(公告)号:CN116301154A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310182351.8
申请日:2023-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56 , H03K19/003
Abstract: 本发明一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构,包括电压基准、误差放大器、输出驱动电路、PMOS功率调整管P1、NMOS晶体管N1和反馈电阻;电压基准与误差放大器反相端连接,误差放大器的输出端与输出驱动电路的输入端连接,输出驱动电路的输出端与PMOS功率调整管P1栅极连接,PMOS功率调整管P1源极与输入节点VIN连接,PMOS功率调整管P1漏极与输出节点VOUT连接,NMOS晶体管N1栅极与输入节点VIN连接,NMOS晶体管N1漏极与输出节点VOUT连接,NMOS晶体管N1源极通过反馈电阻与误差放大器正相端连接。本发明能减少LDO输出电压在经受γ瞬时辐照时的扰动幅度和辐照后输出电压恢复时间。
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