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11.

发明公开
用于嵌入式管芯及其在集成电路封装上的组装的深腔金属化和基准布置审中-公开

公开(公告)号：CN119742292A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411206609.4

申请日：2024-08-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 康征 , T·恩杜库姆 , Y·金冈 , J·埃克顿 , 段刚 , J·卡普兰 , Y·Y·李 , 刘铭禄 , B·C·马林 , 聂白 , S·皮耶塔姆巴拉姆 , S·塞沙德里 , 单博涵 , D·图兰 , V·B·扎德

IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60

Abstract: 一种电子封装，包括：衬底芯；一个或多个电介质材料层，在所述衬底芯之上，并具有下电介质材料层以及包括最上金属化层的多个金属化层；集成电路(IC)管芯，嵌入所述电介质材料层内且在所述最上金属化层下方；以及至少一个导电特征，在所述IC管芯下方并耦合到所述IC管芯。所述导电特征的面朝下的表面位于所述下电介质材料层上，并在所述导电特征与所述下电介质材料层之间的结处限定水平平面。所述下电介质材料层具有面向上的表面，所述面向上的表面面向与所述导电特征相邻的所述IC管芯的方向，所述面向上的表面从所述水平平面垂直偏移。

12.

发明公开
包括具有基于电介质的衬垫材料的玻璃衬底的微电子结构审中-公开

公开(公告)号：CN119725296A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411189064.0

申请日：2024-08-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , S·派塔尔 , 谢之昕 , R·马内帕利 , 孔㛃莹

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

Abstract: 本发明涉及包括具有基于电介质的衬垫材料的玻璃衬底的微电子结构。微电子集成电路封装结构包括一种装置，该装置具有包括玻璃层的衬底，该衬底包括延伸穿过玻璃层的一个或多个穿玻璃过孔(TGV)。个体TGV包括TGV侧壁、在TGV侧壁上的有机电介质层和在有机电介质层上的导电层。

13.

发明公开
玻璃芯衬底上的无电镀晶种层沉积审中-公开

公开(公告)号：CN119725235A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411176276.5

申请日：2024-08-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E·扎马尼 , U·普拉萨德 , L·迈尔斯 , S·卡维亚尼 , D·杜鲁伊契奇 , E·塔瓦科利 , M·默罕默迪加勒尼 , R·尚穆加姆 , R·G·吉龙 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚

IPC: H01L23/15 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/498

Abstract: 本文公开的实施例包括具有贯穿玻璃过孔(TGV)的玻璃芯。在实施例中，一种设备包括衬底，衬底是实心玻璃层。在实施例中，穿过衬底的厚度提供开口，并且衬层的第一表面在所述开口的侧壁上，衬层的第二表面背离所述开口的侧壁。在实施例中，衬层包括基质、以及基质中的填料颗粒。在实施例中，向衬层的第二表面中提供多个腔。在实施例中，过孔在开口中，其中，过孔是导电的。

14.

发明公开
用于堆叠的光子集成电路管芯的技术审中-公开

公开(公告)号：CN119452285A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202280096341.6

申请日：2022-06-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·T·董 , B·C·马林 , K·达尔马韦卡尔塔 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , S·加恩 , S·埃尔哈拉瓦蒂 , M·M·赛义德 , 崔立强 , V·阿迪瓦拉汉

IPC: G02B6/43 , G02B6/30

Abstract: 公开了用于堆叠的光子集成电路(PIC)管芯的技术。在说明性实施例中，两个或更多个PIC管芯彼此堆叠，其中电子集成电路(EIC)管芯堆叠在顶部上。PIC管芯可以以任何合适的方式光学耦合，诸如光桥中的反射镜、光桥中的直写波导、或光子引线键合。堆叠PIC管芯可以增加良率、减少占用空间、降低成本且允许将不同PIC技术集成到一个装置中。

15.

发明公开
多管芯面板级高性能计算部件审中-公开

公开(公告)号：CN119404315A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380048761.1

申请日：2023-04-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 段刚 , H·R·阿齐米 , R·马内帕利 , S·V·皮坦巴拉姆

IPC: H01L23/538 , H01L25/16 , H01L23/42 , H01L23/532

Abstract: 公开了面板级高性能计算(HPC)计算架构以及用于制造其的方法。具有和不具有玻璃芯的面板架构包括具有互连结构(通孔、导电迹线)的电介质层，以将以细节距布置的管芯级引出线转换为以更粗节距布置的面板级引出线。局部互连和局部互连部件提供了面板中集成电路管芯之间的电通信。无芯面板架构可以包括玻璃增强层，以提供附加的机械刚度。玻璃增强层可以具有互连结构和局部互连部件。具有玻璃芯或玻璃增强层的面板实施例可以包括波导以及液体冷却剂通过其中的通道，并且可以进一步包括光子集成电路。面板级制造技术可以使得面板具有大于(例如，大于300mm)使用晶片级制造技术制造的部件的尺寸。

16.

发明公开
用以提高集成电路封装的玻璃基板中的过孔的可靠性的方法、系统、设备和制品审中-公开

公开(公告)号：CN118645488A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202311806060.8

申请日：2023-12-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·阿林顿 , 单博涵 , 陈昊博 , 聂白 , S·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , Z·林 , 冯红霞 , Y·白 , X·郭 , 徐定颖

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

Abstract: 公开了用以提高集成电路封装的玻璃基板中的过孔的可靠性的方法、系统、设备和制品。一种示例性集成电路(IC)封装基板包括：玻璃基板；在该玻璃基板的第一表面和第二表面之间延伸的过孔；以及在过孔中提供的导电材料，该导电材料包括镓和银。

17.

发明公开
可变形半导体装置连接审中-实审

公开(公告)号：CN115841998A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210998101.7

申请日：2022-08-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： O·厄兹坎 , E·卡特根 , S·卓 , N·S·黑恩 , J·韦霍恩斯基 , 段刚

IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/603

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括第一板状元件，所述第一板状元件具有带有第一连接焊盘的第一基本上平面的连接表面；以及第二板状元件，所述第二板状元件具有带有对应于所述第一连接焊盘的第二连接焊盘的第二基本上平面的连接表面。该装置还可以包括电和物理耦接所述第一和第二板状元件并且布置于所述第一和第二连接焊盘之间的连接件。该连接件可以包括布置于第一连接焊盘上并且朝向第二连接焊盘延伸的变形细长元件，以及与第二连接焊盘和细长元件接触的焊料。

18.

发明公开
通过封装衬底中的介电材料配置设计的最佳信号布线性能审中-公开

公开(公告)号：CN111834327A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010207455.6

申请日：2020-03-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 钱治国 , 段刚 , K.艾金 , 孔莹

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

Abstract: 通过封装衬底中的介电材料配置设计的最佳信号布线性能。实施例包括封装衬底和形成封装衬底的方法。一种封装衬底包括：在第一电介质中的第一导电层、在第一电介质上方的第二电介质、以及在第二电介质中的第二导电层，其中第二导电层包括第一迹线和第二迹线。该封装衬底还包括在第二电介质上方的第三导电层，以及在第一和第二电介质中的高介电常数（Dk）和低DK区，其中高Dk区围绕第一迹线，并且其中低Dk区围绕第二迹线。高Dk区可以处于第一导电层与第三导电层之间。低Dk区可以处于第一导电层与第三导电层之间。该封装衬底可以包括在第一和第二电介质中的介电区，其中该介电区将高Dk区和低Dk区分离。