公开(公告)号：CN118676120A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311797633.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·德什潘德 ,  韩程圭 ,  段刚 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了具有封装衬底连接盘侧基准结构的微电子器件、系统和技术，所述封装衬底连接盘侧基准结构在封装衬底的连接盘侧的配准期间可容易地与相邻互连结构区分开。与相邻互连结构的圆形、正方形或矩形形状相比，基准结构包括环形形状、双环形形状、面包圈形形状、三角形形状、H形状或I形状。基准结构形状也可以具有相对于互连结构形状不同的尺寸。

公开(公告)号：CN115842002A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211002924.6

申请日：2022-08-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·派塔尔 ,  段刚 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  Y·金冈 ,  T·恩杜库姆

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了将寄主管芯嵌入到衬底中的方法和设备。一种设备包括具有第一面和与第一面相反的第二面的第一管芯。第一面包括与第二管芯电耦接的第一触点。第二面包括第二触点。该设备进一步包括衬底，该衬底包括金属层和位于该金属层上的电介质材料。第一管芯被包封到该电介质材料内。第一管芯的第二触点键合至该金属层，该键合不依赖于粘合剂。

公开(公告)号：CN117223096A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280026445.X

申请日：2022-03-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·董 ,  S·加恩 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  W·李 ,  K·达尔马韦卡尔塔 ,  A·阿格拉瓦尔 ,  R·马哈詹

IPC: H01L23/00

Abstract: IC芯片封装，其具有与电气布线再分布层一起集成到中介层上的硅光子特征。IC芯片的有源侧可以通过第一层级互连电耦合到中介层的第一侧。中介层可以包括芯(例如，硅或玻璃的芯)，所述芯具有延伸穿过所述芯的电通孔。再分布层可以从通孔构建在中介层的第二侧上，并且终止于适于通过第二层级互连将封装耦合到主机部件的接口处。可以使用例如350℃或更高的高温处理在中介层的硅层内制造硅光子特征(例如，光子集成电路芯片中的类型的硅光子特征)。光子特征可以在制造金属化再分布层之前制造，所述金属化再分布层可以随后使用较低温度处理在电介质材料内构建。

公开(公告)号：CN114270507A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080058507.6

申请日：2020-06-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 孔㛃莹 ,  段刚 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  P·郭 ,  D·塞纳维拉特纳

IPC: H01L23/498

Abstract: 本公开内容的实施例可以总体上涉及针对用于封装的制造工艺流程的系统、装置和/或工艺，该封装包括一个或多个玻璃层，该玻璃层包括封装内的图案化特征，例如导电迹线、RDL和过孔。在实施例中，封装可以包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的玻璃层，其中，玻璃层是电介质层。封装可以包括与玻璃层的第一侧耦接的另一层，以及在玻璃层的第二侧上的图案，以在图案的至少一部分中接收沉积材料。

公开(公告)号：CN111902932A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980020514.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  R·马内帕利 ,  段刚

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L23/538 ,  H01L23/34 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装以及形成这样的封装的方法。在实施例中，微电子器件封装可以包括再分布层(RDL)和RDL之上的内插器。在实施例中，玻璃芯可以形成在RDL之上并且包围内插器。在实施例中，微电子器件封装还可以包括内插器之上的多个管芯。在实施例中，多个管芯与内插器通信耦合。

公开(公告)号：CN105431292B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480003748.5

申请日：2014-07-11

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·利万德 ,  T·安徳留先科夫 ,  D·斯坦斯 ,  M·科布林斯基 ,  A·阿列克索夫 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  J·索托冈萨雷斯 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  R·伊斯拉姆

IPC: B32B27/08 ,  B23B5/16 ,  H05K1/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L23/4985 ,  B23B5/16 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/7265 ,  B32B2439/00 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15791 ,  H05K1/0283 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本文总体上论述了可以包括可拉伸并且可弯曲的器件的系统和方法。根据示例，方法可以包括(1)将第一弹性体材料沉积在面板上；(2)将迹线材料层压在所述弹性体材料上，(3)处理所述迹线材料以将所述迹线材料图案化成一个或多个迹线以及一个或多个接合焊盘，(4)将管芯附接到所述一个或多个接合焊盘，或者(5)将第二弹性体材料沉积在所述一个或多个迹线、所述接合焊盘以及所述管芯上和周围，以包封所述第一和第二弹性体材料中的所述一个或多个迹线以及所述一个或多个接合焊盘。

公开(公告)号：CN118259513A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311268959.9

申请日：2023-09-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·纳德 ,  B·马林 ,  J·埃克顿 ,  段刚 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆

IPC: G02F1/35

Abstract: 公开了一种集成电路(IC)模块，其包括光子IC、电学IC和可开关波导器件，该可开关波导器件使用来自电学IC的信号控制通往和来自光子IC的光学信号。通过将金属化结构耦合在非线性光学材料的两侧上并使其位于与该非线性光学材料相同的层级或位于该非线性光学材料下方而形成可开关波导器件。所述金属化结构可以位于光子IC或电学IC中。所述非线性光学材料可以位于电学IC上方，处于光子IC中或玻璃基板上。光子IC和电学IC可以受到混合接合或者可以被焊接到一起。所述IC模块可以耦合到系统基板。

公开(公告)号：CN116072617A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211174771.3

申请日：2022-09-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 单博涵 ,  陈昊博 ,  O·卡尔哈德 ,  M·桑卡拉苏布拉玛尼安 ,  徐定颖 ,  段刚 ,  聂白 ,  X·郭 ,  K·达尔马韦卡尔塔 ,  冯红霞 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆 ,  J·D·埃克顿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本文公开了一种非重熔焊接头，该非重熔焊接头可以消除下游回流工艺中的管芯或基板移动。在一个示例中，在两个基板之间的一个或多个焊接头可以形成为全IMC(金属间化合物)焊接头。在一个示例中，全IMC焊接头包括金属间化合物的连续层(例如，从顶部焊盘到底部焊盘)。在一个示例中，可以通过在将被接合在一起的一个或两个基板的焊盘中的一些焊盘上分配非重熔焊膏来形成全IMC接头。

公开(公告)号：CN115508955A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210563290.5

申请日：2022-05-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·阿格拉瓦尔 ,  B·董 ,  R·马哈詹 ,  D·马利克 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆

IPC: G02B6/42

Abstract: 可以形成集成电路封装，其包括第一集成电路组件、第二集成电路组件和在其间传输光信号的装置。可以利用与第一集成电路组件的至少一个波导相邻的第一透镜或第一微透镜阵列以及与第二集成电路组件的至少一个波导相邻的第二透镜或第二微透镜阵列来有助于该光信号传输，其中光信号跨第一透镜/微透镜阵列与第二透镜/微透镜阵列之间的间隙传送。在另外的实施例中，光信号传输组件可以包括在第一集成电路组件的至少一个波导和第二集成电路组件的至少一个波导之间的至少一个光子桥。

公开(公告)号：CN113327909A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202011470117.8

申请日：2020-12-14

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·C·马林 ,  T·易卜拉欣 ,  P·查特吉 ,  H·哈里里 ,  Y·邓 ,  S·C·李 ,  S·皮耶塔姆巴拉姆

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 一种集成电路(IC)封装衬底，其包括嵌入在电介质材料内的磁性材料。电介质材料的第一表面在磁性材料下方，并且电介质材料的与第一表面相对的第二表面在磁性材料之上。包括第一金属特征的金属化层嵌入在磁性材料内。第二金属特征在磁性材料和电介质材料的界面处。第二金属特征具有与电介质材料接触的第一侧壁和与磁性材料接触的第二侧壁。