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公开(公告)号：CN101384948B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200780005749.3
申请日：2007-02-15
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G02F1/13
Abstract: 一种用于测试平板显示器的系统，该平板显示器具有平面显示板组件，该系统包括：测试平台，其用于布置平面显示板组件；测量装置，其被配置在测试平台上并用于测量来自光源并穿过平面显示板组件的测量区域的透射光的光谱；传送装置，其用于使测量装置在测试平台上以等加速度移动；以及缺陷报告装置，其被电连接到测量装置并用于通过处理从测量装置传输的光谱的电信号来报告缺陷的存在、缺陷类型以及缺陷的严重程度。
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公开(公告)号：CN101392375B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810168643.1
申请日：2008-09-17
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C23F1/16
Abstract: 提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管-液晶显示装置(TFT-LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT-LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。
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公开(公告)号：CN101792626A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010107702.1
申请日：2010-01-29
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09D11/10 , C08F283/00 , C08F283/01 , H01B3/44
Abstract: 本发明涉及适用于辊印法的有机绝缘膜形成用油墨组合物，提供一种油墨组合物，其在利用辊印法形成电子元件的有机绝缘膜的时候能够改善透光率、耐药品性、高温高压下不引起变形的收缩率、与多种基板的粘结力等特性，适用于热固化或者光固化，通过增进薄膜的精密度来使收率改善和提高工序的效率。根据本发明的适用于辊印法的有机绝缘膜形成用油墨组合物，包含a)丙烯酸系共聚合树脂1～10重量份；b)丙烯酸类单体5～55重量份；c)具有2个以上的双键的交联性单体0.9999～40重量份；和d)有机溶剂5～93重量份。
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公开(公告)号：CN101451241A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810186959.3
申请日：2008-12-08
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C23F1/16
Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管－液晶装置(TFT－LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT－LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。
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公开(公告)号：CN103526206B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201310136179.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103571495B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201310319674.3
申请日：2013-07-26
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213 , H01L21/465 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
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公开(公告)号：CN104451681A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410497650.1
申请日：2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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公开(公告)号：CN101265579B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200810085047.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
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公开(公告)号：CN102234805A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110120139.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。
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公开(公告)号：CN101030046B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710086161.7
申请日：2007-03-05
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置，其特别适于经济性较好地对使用含各种专门的胺化合物的剥离液的剥离工序时以及使用各种抗蚀剂和剥离液时所产生的抗蚀剂剥离废液进行再生。所述再生装置适用于该再生方法。本发明所述的再生方法是对含有水、抗蚀剂、胺化合物、有机溶剂的抗蚀剂剥离废液进行再生的方法，该方法的特征在于，其含有：(a)添加酸的工序，所述酸与抗蚀剂剥离废液的胺化合物发生反应而使得胺化合物以胺-酸化合物的形式从剥离废液中析出；(b)将上述(a)工序中析出的胺-酸化合物从剥离废液中滤出的工序；和(c)对上述(b)工序中除去胺的剥离废液进行分别蒸馏而仅获取有机溶剂的工序。
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