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公开(公告)号：CN104714364B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201410681509.7
申请日：2014-11-24
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成器件图案的方法。该方法包括：定义要在器件层中创建的器件图案；在器件层上形成牺牲层；识别压印模具，该压印模具在沿着其高度的一个位置具有代表器件图案的水平截面形状；将压印模具均匀地推挤到牺牲层中，直至压印模具的至少所述位置到达正在由压印模具推挤的牺牲层内的一水平面；将压印模具从牺牲层移除；在由压印模具在牺牲层中创建的凹槽中形成硬掩模，硬掩模具有代表器件图案的图案；以及将硬掩模的图案转移到下面的器件层中。
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公开(公告)号：CN104183569B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410217142.3
申请日：2014-05-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5228 , H01L23/525 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开的实施例涉及一种集成突触元件的结构和方法。公开了一种互连结构中使用电迁移的突触元件，其中对所述互连结构进行最优化以给予跟随电流流动的电阻率变化的控制。突触元件展现取决于电流流动的数量(电荷)和方向的电阻率，其中通过控制互连结构中设计的空隙的容量来获得持续可变的电阻。
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公开(公告)号：CN104183569A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410217142.3
申请日：2014-05-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5228 , H01L23/525 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开的实施例涉及一种集成突触元件的结构和方法。公开了一种互连结构中使用电迁移的突触元件，其中对所述互连结构进行最优化以给予跟随电流流动的电阻率变化的控制。突触元件展现取决于电流流动的数量(电荷)和方向的电阻率，其中通过控制互连结构中设计的空隙的容量来获得持续可变的电阻。
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公开(公告)号：CN100517621C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580046544.0
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76852 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。
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公开(公告)号：CN101390203A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680012049.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种镶嵌布线及形成所述布线的方法。所述方法包括：在介质层的顶表面上形成掩模层；在所述掩模层中形成开口；在所述介质层未被所述掩模层保护处的所述介质层中形成沟槽；凹入在所述掩模层之下的所述沟槽的侧壁；在所述沟槽和所述硬掩模层的所有暴露的表面上形成保形导电衬里；使用芯导体填充所述沟槽；去除在所述介质层的所述顶表面之上延伸的所述导电衬里的部分并去除所述掩模层；以及在所述芯导体的顶表面上形成导电帽。所述结构包括导电衬里中的芯导体覆层和与未被所述导电衬里所覆盖的所述芯导体的顶表面接触的导电盖帽层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119769191A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061218.5
申请日：2023-09-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10B63/10
Abstract: 一种IC存储器装置包括衬底和衬底上的存储器单元阵列。每个存储单元包括在所述装置的与衬底相邻的层中的至少一个存储单元晶体管。在同一层中，该装置还包括多个分流晶体管。该装置还包括掩埋金属信号轨，所述掩埋金属信号轨在存储器单元阵列和多个分流晶体管之间被设置在掩埋层中，该掩埋层被嵌入到晶体管下面的衬底中。该装置还包括单层过孔，所述单层过孔与晶体管在同一层中，并且通过掩埋金属信号轨将存储器单元晶体管电连接到分流晶体管。
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公开(公告)号：CN116438628A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180076269.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种方法可包括获得晶片的特性数据。特性数据可对应于处于处理状态的晶片，并且可包括晶片的一组应力值。该晶片可以包括前侧、与前侧相对的后侧、以及一组区域。该一组应力值可以包括对应于第一区域的第一应力值。在处理状态下，可以在晶片的前侧上完成一个或多个前侧处理。该方法可以包括确定第一应力值超过应力阈值并生成补偿图。补偿图可以标识用于形成一个或多个沟槽的一个或多个区域。该方法可以包括基于补偿图，发起在第一区域中的晶片的后侧上形成第一沟槽。
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公开(公告)号：CN101490842A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780001659.7
申请日：2007-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/01
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/28114 , H01L21/823456 , H01L21/84 , H01L29/42376 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶体管器件及其形成方法，所述晶体管器件包括：衬底；在所述衬底之上的第一栅极电极；在所述衬底之上的第二栅极电极；以及接合衬垫，其包括一对凸缘端部覆盖所述第二栅极电极，其中所述第二栅极电极的结构与所述接合衬垫的结构是不连续的。
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公开(公告)号：CN101160655A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012051.X
申请日：2006-04-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8242 , H01L21/20
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种镶嵌MIM电容器以及制造所述MIM电容器的方法。所述MIM电容器包括具有顶和底表面的介质层；所述介质层中的沟槽，所述沟槽从所述顶表面延伸到所述介质层的所述底表面；包括沿所述沟槽的底延伸并在所有侧壁上形成的保形导电衬里的MIM电容器的第一板，所述沟槽的所述底与所述介质层的所述底表面共面；在所述保形导电衬里的顶表面之上形成的绝缘层；以及包括与所述绝缘层直接物理接触的芯导体的MIM电容器的第二板，所述芯导体填充所述沟槽中未被所述保形导电衬里和所述绝缘层填充的空间。所述方法包括与镶嵌互连布线同时地形成所述MIM电容器的各部分。
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公开(公告)号：CN101099235A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580046544.0
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76852 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。
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