公开(公告)号：CN102171810A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138898.6

申请日：2009-07-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·M·吉纳克 ,  C·胡 ,  S·米塔尔 ,  C·杨

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构，其包括含有贵金属的帽盖，所述帽盖至少存在于嵌入互连介电材料中的至少一个导电材料的上表面的某部分上。在一个实施例中，含有贵金属的帽盖是非连续的，例如，作为至少一个导电材料的上表面上的核或岛而存在。在另一实施例中，含有贵金属的帽盖具有跨至少一个导电材料的表面的非均匀厚度。

公开(公告)号：CN101160655A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012051.X

申请日：2006-04-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·杨 ,  L·A·克莱文格 ,  T·J·达尔顿 ,  L·C·苏

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种镶嵌MIM电容器以及制造所述MIM电容器的方法。所述MIM电容器包括具有顶和底表面的介质层；所述介质层中的沟槽，所述沟槽从所述顶表面延伸到所述介质层的所述底表面；包括沿所述沟槽的底延伸并在所有侧壁上形成的保形导电衬里的MIM电容器的第一板，所述沟槽的所述底与所述介质层的所述底表面共面；在所述保形导电衬里的顶表面之上形成的绝缘层；以及包括与所述绝缘层直接物理接触的芯导体的MIM电容器的第二板，所述芯导体填充所述沟槽中未被所述保形导电衬里和所述绝缘层填充的空间。所述方法包括与镶嵌互连布线同时地形成所述MIM电容器的各部分。

公开(公告)号：CN101160655B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680012051.X

申请日：2006-04-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·杨 ,  L·A·克莱文格 ,  T·J·达尔顿 ,  L·C·苏

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种镶嵌MIM电容器以及制造所述MIM电容器的方法。所述MIM电容器包括具有顶和底表面的介质层；所述介质层中的沟槽，所述沟槽从所述顶表面延伸到所述介质层的所述底表面；包括沿所述沟槽的底延伸并在所有侧壁上形成的保形导电衬里的MIM电容器的第一板，所述沟槽的所述底与所述介质层的所述底表面共面；在所述保形导电衬里的顶表面之上形成的绝缘层；以及包括与所述绝缘层直接物理接触的芯导体的MIM电容器的第二板，所述芯导体填充所述沟槽中未被所述保形导电衬里和所述绝缘层填充的空间。所述方法包括与镶嵌互连布线同时地形成所述MIM电容器的各部分。