公开(公告)号：CN1848423B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200510121788.2

申请日：2005-12-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体株式会社

Inventor： 佐藤明弘 ,  关口智 ,  镰土清和 ,  黑川和成 ,  坪野谷诚 ,  三田清志 ,  锅田洋一 ,  泽井彻郎 ,  今冈俊一

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/645 ,  H01F2017/008 ,  H01F2017/0086 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12034 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，包括基板，固定地紧固到基板一侧上的半导体芯片，形成于基板的另一侧上并与半导体芯片电连接的螺旋状线圈，和为了稳定线圈的电感特性而形成于基板与半导体芯片面对的一侧表面上的导电图案。

公开(公告)号：CN101286507A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810109212.8

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大塚健志 ,  今冈俊一

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置，具备：布线基板、安装在布线基板上的第一半导体元件、层积在第一半导体元件上且突出部从第一半导体元件的外缘突出的第二半导体元件、以及密封各半导体元件的密封树脂层。而且，第二半导体元件在其上面具有第一模拟单元和相比该第一模拟单元更容易在高温下发热的第二模拟单元，该第二模拟单元配置为含有突出部。

公开(公告)号：CN100411156C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510059137.5

申请日：2005-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  山口健 ,  臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  成瀬俊道 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，半导体片(30)及片状部件(40)设置在绝缘基础部件(20)上，且被利用注入膜模制法成形的模制树脂密封。片状部件(40)包围半导体片(30)的四边配置。包围半导体片(30)的片状部件(40)的纵向朝向一定的方向。在进行树脂注入时，使片状部件(40)的纵向实质上垂直于注入树脂的流向地将绝缘基础部件(20)置于模型成型器内。

公开(公告)号：CN1848423A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510121788.2

申请日：2005-12-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体株式会社

Inventor： 佐藤明弘 ,  关口智 ,  镰土清和 ,  黑川和成 ,  坪野谷诚 ,  三田清志 ,  锅田洋一 ,  泽井彻郎 ,  今冈俊一

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/645 ,  H01F2017/008 ,  H01F2017/0086 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12034 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，包括基板，固定地紧固到基板一侧上的半导体芯片，形成于基板的另一侧上并与半导体芯片电连接的螺旋状线圈，和为了稳定线圈的电感特性而形成于基板与半导体芯片面对的一侧表面上的导电图案。

公开(公告)号：CN1681118A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200410095155.4

申请日：2004-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  臼井良辅 ,  中野敦史 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H05K3/46 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置(100)。其包含设置在绝缘树脂膜(106)的两个表面的第一导电膜(102)和第二导电膜(104)。在第二导电膜(104)上载置电路元件(120)，电路元件(120)与第二导电膜(104)电连接。第二导电膜(104)设置成覆盖贯通插塞(110)。另外，贯通插塞(110)形成直径沿从第一导电膜(102)向第二导电膜(104)的方向缩小的锥形。

公开(公告)号：CN1674265A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059137.5

申请日：2005-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  山口健 ,  臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  成瀬俊道 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，半导体片(30)及片状部件(40)设置在绝缘基础部件(20)上，且被利用注入模制法成形的模制树脂密封。片状部件(40)包围半导体片(30)的四边配置。包围半导体片(30)的片状部件(40)的纵向朝向一定的方向。在进行树脂注入时，使片状部件(40)的纵向实质上垂直于注入树脂的流向地将绝缘基础部件(20)置于模型成型器内。

公开(公告)号：CN101924091B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201010194363.5

申请日：2006-01-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  泽井彻郎 ,  斋田敦 ,  山口健

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H05K1/16

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01F17/0006 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/645 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/165 ,  H05K3/4685 ,  H05K2201/0715 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电路装置，抑制来自螺旋图案的电磁场的泄漏，满足小型化的要求。该电路装置包括：电介质层；配线层，其设于所述电介质层的一个面上，具有形成螺旋状的配线图案；电路元件，其设于与所述配线图案重叠的位置，在所述配线层的越过所述配线图案的外缘的位置具有外缘。

公开(公告)号：CN101286500B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200710185789.2

申请日：2007-12-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  大塚健志 ,  泽井彻郎

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/552 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种能够将积层后的电路元件间的噪声传播进行适当地抑制的半导体模块。该半导体模块具有：第1电路元件；导体部，其设于第1电路元件的上层，起到环形天线的作用；第2电路元件，其在导体部的上层积层。这样，由于在第1电路元件与第2电路元件之间设有起环形天线作用的导体部，能够由该导体部来吸收并遮挡第1电路元件与第2电路元件之间噪声的传播。因此，能够有助于半导体模块运行的稳定化并可提高其可靠性。

公开(公告)号：CN1744314B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200510098020.8

申请日：2005-09-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  臼井良辅

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/00 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/183 ,  H05K1/185 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4644 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种具有层积结构的半导体装置及其制造方法。其提供一种使半导体装置小型化的方法。半导体装置(100)包括：基体部件(20)，半导体芯片(10a)、10b)，片状部件(12a、12b)，绝缘基体部件(30)，配线图案(34)，通路塞(32)，外部引出电极(36)，凹部(40)，树脂(50)。绝缘基体部件(30)具有多层结构，是层积多个绝缘膜而形成的。半导体芯片(10a)及片状部件(12a)安装在基体部件(20)，埋入绝缘基体部件(30)中。半导体装置(100)的表面形成有凹部(40)，其深度直至某配线导体层，在凹部(40)安装有半导体芯片(10b)、片状部件(12b)。

公开(公告)号：CN1825579B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200610004551.0

申请日：2006-01-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  泽井彻郎 ,  斋田敦 ,  山口健 ,  坪野谷诚 ,  黑川和成

IPC: H01L23/488 ,  H05K1/16 ,  H03B5/12

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01F17/0006 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/645 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/165 ,  H05K3/4685 ,  H05K2201/0715 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种抑制电磁场的产生，并满足小型化要求的电路衬底装置。在本发明的电路衬底装置(100)中，第一配线层(110)具有第一电感器(12)和第二电感器(14)。电介质层(115)具有与第一电感器(12)及第二电感器(14)分别电连接的第一通路(70)及第二通路(72)。第二配线层(120)具有：桥接线路(30)，其将第一通路(70)及第二通路(72)电连接；导体图案(50)，其设于桥接线路(30)的周围，在第一配线层(110)的越过第一配线图案及第二配线图案的外缘的位置具有外缘。桥接线路(30)作为共面线路起作用，抑制电磁场的产生。