公开(公告)号：CN1096704C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN97120672.4

申请日：1997-09-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 水原秀树 ,  渡辺裕之 ,  児岛则章

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76859 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提高有两层结构的绝缘膜之间的粘接强度，改善平面化和膜特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上形成至少有上下层的两层结构的绝缘膜。以后，在杂质至少到达上下绝缘膜之间的界面的条件下给上层绝缘膜引入杂质。使上下绝缘膜之间的粘接强度提高，上层绝缘膜不易剥离。

公开(公告)号：CN1677651A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062815.3

申请日：2005-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  児岛则章 ,  渡辺裕之

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/287 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H05K2201/068 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种搭载元件的元件搭载基板，其中，构成光致抗焊剂层(328)的材料使用作为母料的卡尔多型聚合物和规定的添加剂，可以抑制空穴和凹凸等发生的状态形成薄膜。因此，构成光致抗焊剂层(328)的材料可使用25μm程度厚度的薄膜，作为光致抗焊剂层(328)的材料与通常使用的树脂材料的厚度35μm程度比较，约为2/3的厚度。因此，可实现元件搭载基板(400)的小型化。

公开(公告)号：CN100411154C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510074717.1

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  中村岳史

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L41/083

CPC classification number: H05K3/4655 ,  H01L21/565 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/284 ,  H05K3/421 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/096 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电路装置，其中，第二绝缘层(17B)由第一树脂膜(17B1)以及第二树脂膜(17B2)构成，混入有无机填充物的树脂构成的第一树脂膜覆盖第一配线层(18A)而形成。另外，该第一树脂膜(17B1)的上层层叠有第二树脂膜(17B2)。连接部(25)贯通第二绝缘层(17B)，为第一配线层(18A)和第二配线层(18B)电连接的部位，设于第一树脂膜(17B1)的第一通孔(32A)上填充有第二树脂膜(17B2)，在该填充部分的第二树脂膜(17B2)上贯穿设置有第二通孔(32B)。在第二通孔(32B)的内壁上形成有镀敷膜构成的连接部(25)，因此通过设置于第一通孔(32A)的内壁的第二树脂膜(17B2)，可以提高连接部(25)的连接可靠性。

公开(公告)号：CN1705106A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510074717.1

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  中村岳史

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L41/083

CPC classification number: H05K3/4655 ,  H01L21/565 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/284 ,  H05K3/421 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/096 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，可容易地形成将配线层相互连接的连接部。本发明混合集成电路装置(10)的制造方法中，形成第一树脂膜(17B1)，使其覆盖第一配线层(18A)。然后，贯通第一树脂膜(17B1)，形成使第一配线层(18A)从底部露出的第一通孔。然后，形成第二树脂膜(17B2)，使其埋入第一通孔(32A)中。在填充于第一通孔(32A)的第二树脂膜(17B)上形成第二通孔(32B)，形成连接部(25)。

公开(公告)号：CN100429767C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200510062815.3

申请日：2005-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  児岛则章 ,  渡辺裕之

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/287 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H05K2201/068 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种搭载元件的元件搭载基板，其中，构成光致抗焊剂层(328)的材料使用作为母料的卡尔多型聚合物和规定的添加剂，可以抑制空穴和凹凸等发生的状态形成薄膜。因此，构成光致抗焊剂层(328)的材料可使用25μm程度厚度的薄膜，作为光致抗焊剂层(328)的材料与通常使用的树脂材料的厚度35μm程度比较，约为2/3的厚度。因此，可实现元件搭载基板(400)的小型化。

公开(公告)号：CN100411156C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510059137.5

申请日：2005-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  山口健 ,  臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  成瀬俊道 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，半导体片(30)及片状部件(40)设置在绝缘基础部件(20)上，且被利用注入膜模制法成形的模制树脂密封。片状部件(40)包围半导体片(30)的四边配置。包围半导体片(30)的片状部件(40)的纵向朝向一定的方向。在进行树脂注入时，使片状部件(40)的纵向实质上垂直于注入树脂的流向地将绝缘基础部件(20)置于模型成型器内。

公开(公告)号：CN1674265A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059137.5

申请日：2005-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  山口健 ,  臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  成瀬俊道 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，半导体片(30)及片状部件(40)设置在绝缘基础部件(20)上，且被利用注入模制法成形的模制树脂密封。片状部件(40)包围半导体片(30)的四边配置。包围半导体片(30)的片状部件(40)的纵向朝向一定的方向。在进行树脂注入时，使片状部件(40)的纵向实质上垂直于注入树脂的流向地将绝缘基础部件(20)置于模型成型器内。

公开(公告)号：CN1180925A

公开(公告)日：1998-05-06

申请号：CN97120672.4

申请日：1997-09-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 水原秀树 ,  渡辺裕之 ,  児岛则章

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76859 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提高有两层结构的绝缘膜之间的粘接强度,改善平面化和膜特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法中,在半导体衬底上形成至少有上下层的两层结构的绝缘膜。以后,在杂质至少到达上下绝缘膜之间的界面的条件下给上层绝缘膜引入杂质。使上下绝缘膜之间的粘接强度提高,上层绝缘膜不易剥离。