公开(公告)号：CN1702863B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510074687.4

申请日：2005-05-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典 ,  五十岚优助 ,  中村岳史

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/12 ,  H05K1/05 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种电路装置，可抑制绝缘层从衬底剥离的现象。该电路装置包括：衬底，其以含有第一金属层、第二金属层、第三金属层的金属为主体，其中，第一金属层具有第一热膨胀系数，第二金属层形成于第一金属层上且具有第二热膨胀系数，第三金属层形成于第二金属层上且具有第三热膨胀系数；绝缘层，其形成于衬底上；导电层，其形成于绝缘层上；电路元件，其和导电层电连接。

公开(公告)号：CN100578762C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200510074718.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上恭典 ,  臼井良辅 ,  小原泰浩 ,  高草木宣久 ,  中村岳史

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/40 ,  H05K1/05

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/284 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/09772 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电路装置，提高了散热性。本发明混合集成电路装置(10)的制造方法中，在第一配线层(18A)上设有仿真图案(D1)。另外，在第二配线层(18B)上设有第二仿真图案(D2)。而且，第一仿真图案D1和第二仿真图案D2通过贯通绝缘层17的连接部25连接。因此，可主动地介由仿真图案散热。另外，即使在构成多层配线时，也可以确保散热性。

公开(公告)号：CN101331604A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680045139.1

申请日：2006-11-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柴田清司 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路装置及电路装置的制造方法，以把突起结构埋入绝缘树脂的方式来层叠配线层、绝缘树脂和电路元件，提高突起结构与电路元件的电极的连接可靠性。电路装置(10)具备把配线层(20)、绝缘树脂层(30)和电路元件(40)按该顺序压接层叠的结构。配线层(20)在与电路元件(40)的各元件电极(42)对应的位置处设置有突起电极(22)。绝缘树脂层(30)由加压时引起塑性流动的材料形成。突起电极(22)贯通绝缘树脂层(30)而与对应的元件电极(42)电连接。

公开(公告)号：CN100399551C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510077882.2

申请日：2005-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典 ,  五十岚优助 ,  中村岳史

IPC: H01L23/14 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一种元件搭载基板，用于搭载元件，其包括基材和设于基材一侧的面的绝缘树脂膜。基材和绝缘树脂膜含有含浸环氧系树脂的玻璃纤维。绝缘树脂膜中含有的玻璃纤维比基材中含有的玻璃纤维的环氧系树脂的含浸比率高。

公开(公告)号：CN1855477A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610089893.7

申请日：2006-03-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋田敦 ,  今冈俊一 ,  泽井彻郎 ,  井上恭典

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及一种电路装置，在具有多层叠层结构的电路装置中，降低了电路元件间传播的接地干扰。设置在第二电路元件表面上的接地用焊盘通过金等接地用引线与设置在导电层表面上的焊盘连接。进而，设置在导电层表面上的焊盘通过金等接地用引线与设置在接地配线上的导线连接。这样，在第二电路元件和导电层之间形成电容器，可以抑制第二电路元件向接地配线传播干扰。

公开(公告)号：CN1162896C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN00103734.X

申请日：2000-03-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  井上恭典 ,  谷本绅一 ,  西田笃弘 ,  井原良和

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/665

Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法，包括：把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区；进行高温热处理来激活杂质区；在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法，通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷，并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而，可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。

公开(公告)号：CN102027591A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980117207.4

申请日：2009-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  中里真弓 ,  伊藤克实

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备，在CSP型半导体模块的制造方法中，提高半导体模块的生产效率。该半导体模块的制造方法包含如下工序：将形成有多个半导体元件(10)的半导体晶片(1)粘接在具有伸展性的第一绝缘树脂层(20)上的工序，其中所述半导体元件(10)具有元件电极(12)；切割半导体晶片(1)的工序；拉伸第一绝缘树脂层(20)以扩大半导体元件(10)的间隔的工序；隔着第二绝缘树脂层将设置有电极的金属板和扩大了间隔的状态的多个半导体元件(10)压接，使电极与元件电极(12)电连接的压接工序；选择性地除去金属板以形成与各半导体元件(10)对应的配线层，并形成通过第一绝缘树脂层(20)和第二绝缘树脂层连结的多个半导体模块的工序；切断第一绝缘树脂层(20)及第二绝缘树脂层以实现半导体模块的单个化的工序。

公开(公告)号：CN101924085A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010165026.3

申请日：2006-11-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柴田清司 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路装置及电路装置的制造方法，以把突起结构埋入绝缘树脂的方式来层叠配线层、绝缘树脂和电路元件，提高突起结构与电路元件的电极的连接可靠性。电路装置(10)具备把配线层(20)、绝缘树脂层(30)和电路元件(40)按该顺序压接层叠的结构。配线层(20)在与电路元件(40)的各元件电极(42)对应的位置处设置有突起电极(22)。绝缘树脂层(30)由加压时引起塑性流动的材料形成。突起电极(22)贯通绝缘树脂层(30)而与对应的元件电极(42)电连接。

公开(公告)号：CN101803007A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106516.7

申请日：2008-07-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长松正幸 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/113 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09527 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板及其制造方法、电路装置及其制造方法、便携式设备。在以往的元件搭载用基板及使用该基板的电路装置中，在基板上形成有配线层，并使该配线层的一部分突出而用作凸起电极，因此，存在难以实现薄型化的问题。在本发明的元件搭载用基板及使用该基板的电路装置中，在绝缘基材(4)设有通孔(7)，配线层(5)经由通孔(7)在绝缘基材(4)表面突出。而且，配线层(5)的突出部(11)作为凸起电极而使用，在绝缘基材(4)上安装有半导体元件(2)。根据该结构，元件搭载用基板实现薄型化，使用该基板的电路装置也实现薄型化。

公开(公告)号：CN100541749C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200510059261.1

申请日：2005-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  水原秀树

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76814 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，敷金属夹层孔通过如下工序形成：照射激光在绝缘树脂膜上形成开口的第一工序；通过干式蚀刻在绝缘树脂膜上形成开口的第二工序；在等离子氛围气下进行反向溅射的第三工序。