公开(公告)号：CN100481373C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN03107903.2

申请日：2003-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  笹田一弘 ,  小田真弘

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底(1)上形成缓冲膜(10)，形成元件隔离沟槽(2)，在元件隔离沟槽的表面上形成氧化膜(3)，以及用氢氟酸清洗半导体衬底。清洗去除了部分缓冲膜，缓冲膜的端部从元件隔离沟槽的顶边向内去除预定的距离(x)。距离和氧化膜的厚度(d)由表达式0≤x≤(d/2sinθ)表示，其中x表示距离，θ表示平行于半导体衬底的平面和元件隔离沟槽的侧面之间的角度。

公开(公告)号：CN1484318A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03154047.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 泉诚 ,  冲川满 ,  笹田一弘 ,  松原直辉 ,  小出辰彦

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 提供一种即使在光学透镜和固体摄像元件一体化形成时，也能获得高度聚光能力的固体摄像装置。该固体摄像装置具备光学透镜、包含微型透镜的固体摄像元件、以及在光学透镜和固体摄像元件的微型透镜之间形成的树脂层。这样，即使在固体摄像元件和光学透镜之间形成树脂层，也能使来自树脂层入射于微型透镜的光发生折射。

公开(公告)号：CN1447443A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107500.2

申请日：2003-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  沖川滿 ,  泉誠

IPC: H01L29/765 ,  H01L27/148 ,  H01L21/339

CPC classification number: H01L29/66954 ,  H01L27/14812 ,  H01L29/76816

Abstract: 本发明涉及电荷耦合器件及其制造方法。采用本发明能够得到具有单层的栅极构造，而且性能良好的电荷耦合器件。该电荷耦合器件是具有单层的栅极构造的电荷耦合器件，具备：形成于半导体基板的栅极绝缘膜、由形成于栅极绝缘膜上的绝缘物构成的多个隔片、以及配置于相邻的隔片间，具有沿隔片的侧部形成的侧面的凹状的栅极。这样，如果以光刻下限尺寸以下的宽度形成隔片，则相邻的栅极间的间隔小于光刻下限尺寸。

公开(公告)号：CN101546781B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910127749.1

申请日：2009-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 藤田和范 ,  山下富生 ,  米田阳树 ,  笹田一弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明的半导体装置，具有：外延层；包括在外延层上形成的沟道区域的本体层；以与本体层重叠的方式形成的源极层；包围源极层，而在外延层上形成的环状的栅极绝缘膜；隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极；包围本体层，而在外延层上以环状形成的漂移层；和与源极层对置，而在外延层表面形成的漏极层。本体层以在栅极宽度方向端部，其边界面与上述栅极绝缘膜的下面相接的方式进行设置。另外，栅极绝缘膜在与栅极宽度方向端部的本体层的边界面相接的至少一部分，具有膜厚比栅极长度方向的沟道区域上部更厚的厚膜部。

公开(公告)号：CN1329964C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03141280.7

申请日：2003-06-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  泉诚 ,  笹田一弘 ,  小田真弘 ,  壇徹

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供了可提高栅绝缘膜的可靠性的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法是具有利用热处理在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序的方法，该形成栅绝缘膜的工序包括在含氧化性气体的氛围气中，以能使栅绝缘膜产生粘性流动的温度以上的温度进行热处理，在半导体层的主表面上形成栅绝缘膜的工序。

公开(公告)号：CN1162896C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN00103734.X

申请日：2000-03-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  井上恭典 ,  谷本绅一 ,  西田笃弘 ,  井原良和

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/665

Abstract: 一种能抑制高温热处理所引起的漏电流增加的半导体器件制造方法，包括：把杂质选择性地离子注入半导体衬底的主表面来形成杂质区；进行高温热处理来激活杂质区；在进行高温热处理后进行低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。依据此制造方法，通过高温热处理来恢复由离子注入所产生的晶体缺陷，并通过低温热处理来恢复由高温热处理所产生的晶体缺陷。因而，可有效地防止高温热处理所产生的晶体缺陷所引起的漏电流增加。

公开(公告)号：CN100342546C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03107500.2

申请日：2003-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  沖川滿 ,  泉誠

IPC: H01L29/765 ,  H01L27/148 ,  H01L21/339

CPC classification number: H01L29/66954 ,  H01L27/14812 ,  H01L29/76816

Abstract: 本发明涉及电荷耦合器件及其制造方法。采用本发明能够得到具有单层的栅极构造，而且性能良好的电荷耦合器件。该电荷耦合器件是具有单层的栅极构造的电荷耦合器件，具备：形成于半导体基板的栅极绝缘膜、由形成于栅极绝缘膜上的绝缘物构成的多个隔片、以及配置于相邻的隔片间，具有沿隔片的侧部形成的侧面的凹状的栅极。这样，如果以光刻下限尺寸以下的宽度形成隔片，则相邻的栅极间的间隔小于光刻下限尺寸。

公开(公告)号：CN1532941A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410007981.9

申请日：2004-03-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 泉诚 ,  冲川满 ,  笹田一弘

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14812

Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置，通过缩小邻接的栅电极之间的间隔而提高电荷的传送效率，在获得噪声较小的信号的同时，通过降低寄生电容可以降低耗电量。这种固态成像装置具有：形成于栅极绝缘膜上的、实质上具有平坦上面的第1栅电极；通过厚度小于光刻极限最小尺寸的绝缘膜，而在栅极绝缘膜上形成的第2栅电极，它与第1栅电极邻接而非重叠。

公开(公告)号：CN1447412A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107903.2

申请日：2003-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  笹田一弘 ,  小田真弘

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76235

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底(1)上形成缓冲膜(10)，形成元件隔离沟槽(2)，在元件隔离沟槽的表面上形成氧化膜(3)，以及用氢氟酸清洗半导体衬底。清洗去除了部分缓冲膜，缓冲膜的端部从元件隔离沟槽的顶边向内去除预定的距离(x)。距离和氧化膜的厚度(d)由表达式0≤x≤(d/2sinθ)表示，其中x表示距离，θ表示平行于半导体衬底的平面和元件隔离沟槽的侧面之间的角度。

公开(公告)号：CN101673739B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910205729.1

申请日：2009-06-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 米田阳树 ,  笹田一弘

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/38 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。从漏极层的下方经由元件分离绝缘膜的下方，形成扩展到源极层的下部的N型主体层的下方的N型外延层中的P型漂移层。该P型漂移层在漏极层的正下方的深度比在元件分离绝缘膜的下方的深度浅，此外，从元件分离绝缘膜的下方起越接近N型主体层越变浅，与N型主体层的底部连接。这样，由于P型漂移层在所述宽范围内扩散，因此形成从N型主体层到漏极层的宽的电流通路，可以提高电流驱动能力，还可以提高漏极耐压。