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公开(公告)号：CN102237309A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167004.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L45/00 , H01L27/24
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法。该工艺集成的方法中，采用对铜引线上的盖帽层中的锰金属先硅化形成MnSi化合物层、在对该MnSi化合物层氧化以形成MnSixOy存储介质层，并且采用锰硅氧化合物层作为铜互连后端中铜引线的阻挡层。该方法具有易于与45纳米或者45纳米工艺节点以下铜互连后端工艺兼容的优点，氧化锰基电阻型存储器制备成本低，并且可靠性高、功耗低。
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公开(公告)号：CN102194513A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010121872.5
申请日：2010-03-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/401
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器。该电路通过读取分别存储数据“0”和数据“1”的冗余存储单元来判断其所监测的存储阵列的数据保持情况，其可以根据不同的工作条件、形成工艺条件等影响数据保持特性的因素来自动调整存储器的刷新操作频率。因此，该存储器具有刷新操作功耗低的特点。并且，该存储器的刷新操作是片上自动调整，不需要片外进行控制。
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公开(公告)号：CN102169722A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113790.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02D10/14
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法。该电阻随机存储器通过增加反馈电阻和比较器，实时反馈电阻随机存储器中存储电阻在初始化操作或者位置操作时电阻状态的变化，可以省去初始化操作或者位置操作成功后不必要的初始化电压或者位置电压偏置时间，因此能大大降低该电阻随机存储器的功耗。同时，该电阻随机存储器的初始化操作方法或者位置操作方法不需要其后的读验证操作步骤，从而可将电阻随机存储器的读写通路分开优化设计。
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公开(公告)号：CN102169720A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113783.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/02
Abstract: 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、写驱动电路、读驱动电路、输入/输出缓冲模块、检测电阻以及比较器，通过在电阻随机存储器中增加用于反馈的检测电阻和比较器，可以实现电阻随机存储器在写操作过程中避免过写或者误写操作现象，使电阻随机存储器相对其存储单元的工艺波动的敏感性降低。该电阻随机存储器具有可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN102081962A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199380.5
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409104B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810040932.3
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/00
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第一选通器件和一个相变存储电阻组成，动态存储单元由第二选通器件和一个存储电容组成，相变存储单元和动态存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的字线相连，相变存储单元和动态存储单元共用同一根位线。其优点在于既利用了动态存储器功耗低，速度快的优点，又实现了不挥发存储。
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公开(公告)号：CN101226988B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810032765.8
申请日：2008-01-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法。在生长CuxO存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在CuxO层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟CuxO材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高CuxO性能。
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公开(公告)号：CN101232076B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810032764.3
申请日：2008-01-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法。生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善CuxO电阻存储器的疲劳特性。
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公开(公告)号：CN101853697A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010217173.0
申请日：2010-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063 , G11C11/401 , H01L21/8242
Abstract: 本发明属于动态随机存储器（DRAM）技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法。该增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写MOS晶体管的漏端与读MOS晶体管的栅极电连接，写MOS晶体管的漏端的深度大于写MOS晶体管的源端的深度，设置写MOS晶体管的漏端掺杂浓度分布以减小漏端的PN结的漏电流。该增益单元eDRAM具有数据保持时间长的特点，由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的刷新频率低、功耗小。
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公开(公告)号：CN101159310B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710047974.5
申请日：2007-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。
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