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公开(公告)号：CN103123808B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110372303.2
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速写操作方法。该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法的写电路中，多米诺逻辑部分为执行单元写入操作的驱动电路，其求值管组M1-M4分别接收来自灵敏放大器放大的单元读出小信号和外界写入信号，当写驱动使能信号WPCH开启时，多米诺逻辑预充点prenode电平根据求值管组M1-M4导通与否而变化，使驱动反相器INV输出端WBL电平摆动，完成对单元的写入。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生了困难等技术问题。
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公开(公告)号：CN102867539B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110188441.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出了一种改善增益型eDRAM器件结构。本发明的一种增益eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线，读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点，写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质，其特征在于，所述的写MOS管、读MOS管具有沟槽沟道，写MOS管、读MOS管的栅极介质位于硅衬底沟槽中，栅极为向下凸起的凸面圆柱状。本发明可以明显改善器件的数据保持特性。
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公开(公告)号：CN103123808A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372303.2
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速写操作方法。该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法的写电路中，多米诺逻辑部分为执行单元写入操作的驱动电路，其求值管组M1-M4分别接收来自灵敏放大器放大的单元读出小信号和外界写入信号，当写驱动使能信号WPCH开启时，多米诺逻辑预充点prenode电平根据求值管组M1-M4导通与否而变化，使驱动反相器INV输出端WBL电平摆动，完成对单元的写入。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生了困难等技术问题。
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公开(公告)号：CN112837811A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110241613.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院
Abstract: 本发明涉及一种药物性肾损伤的预警系统，包括医院信息管理系统和移动查房系统，所述移动查房系统设有医师移动查房系统和药师移动查房系统；所述医师移动查房系统设有第一肾功能警示模块，所述药师移动查房系统设有第二肾功能警示模块；所述第一肾功能警示模块和第二肾功能警示模块均用于从所述医院信息管理系统中自动获取肾功能相关检测数据并判断是否超出阈值，超出时发送语音提示和文字提示。本发明的药物性肾损伤预警系统能够全方位、及时、快速地发现住院患者出现的药物性肾损伤，以便立即采取措施，降低院内肾损伤发生率。
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公开(公告)号：CN102867540A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110186888.9
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/407 , G11C7/12
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出了一种提高多端口、多沟道存储器器件存储性能的操作方法。本发明中提供了多端口，多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道。本发明提供了一种90nm及以下节点多沟道嵌入式动态随机存储器的一种解决方案，可以明显改善器件的操作窗口、数据保持特性、正确率、可靠性等存储特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544012A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010592942.5
申请日：2010-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/108 , H01L29/10 , H01L21/8242 , G11C11/401
Abstract: 本发明提供一种MOS结构的存储单元、阵列、存储器及其操作方法，属于嵌入式存储器技术领域。该存储单元包括其包括源极、漏极和栅极的MOS晶体管结构，所述MOS晶体管结构的栅介质层为具有阻变存储特性的栅存储介质层。该存储阵列包括多个按行和列排列的该存储单元，该存储器包括该存储阵列。该发明突破性地在MOS晶体管的栅介质层上应用具有阻变存储特性的材料，在使其具有多次可编程存储、非挥发存储特性的同时，其易集成于前端结构中，并易于与32nm高kCMOS逻辑工艺前端兼容。另外，读写操作简单，尤其适合于嵌入式非挥发存储应用。
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公开(公告)号：CN116564554A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310516420.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院(上海市青浦区中心医院)
IPC: G16H70/40 , G16H40/20 , G06Q10/087 , G16H20/13
Abstract: 本发明涉及一种医疗机构药品带量采购管理方法及系统，所述方法包括以下步骤：S1、药品模块存储医疗机构的药品数据，在药品属性中增加带量药品标签设置，标明带量采购同通用名药品；S2、药品处方权限模块在输入处方药品名称时，提醒处方医师优先选用带量采购同通用名药品；S3、带量采购任务量计算模块根据医疗机构临床管理单元带量采购同通用名药品的既往用量情况，测算医疗机构临床管理单元同通用名药品带量采购任务量，以便医疗机构集中带量采购药品。有益效果是对医疗机构带量采购药品进行科学合理的测算、对临床科室用药进行精准的干预和调控。
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公开(公告)号：CN103123807B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201110372157.3
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速读操作方法，该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法中还包括：采用在灵敏放大器开启之前启动读列选通管的读电路及操作，其中，读串联驱动电路RDG由读出位线驱动管M1‑M2和读列选通管M3‑M4构成，M3‑M4漏端接读出数据线对RDB/BRDB，M1‑M2源端和SA地端GND在版图上共享。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生困难等技术问题。
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公开(公告)号：CN105842604A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510014939.8
申请日：2015-01-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/28 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种集成电路后端工艺(BEOL)波动检测电路以及检测方法，属于集成电路的工艺波动的检测表征技术领域。所述BEOL波动检测电路，包括：包括环形振荡器以及流控MOS管的压控振荡器；包括多个测试单元测试单元阵列；第一开关单元，其设置于测试单元测试单元的等效负载电阻R与流控MOS管的栅端之间；以及第二开关单元，其设置于测试单元测试单元的等效负载电容C与压控振荡器的输出端之间。该BEOL波动检测电路可以分别独立地检测BEOL的电阻波动和电容波动，易于区分地检测随机波动和系统波动，BEOL波动检测和表征更加有效准确。
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公开(公告)号：CN101853697B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010217173.0
申请日：2010-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063 , G11C11/401 , H01L21/8242
Abstract: 本发明属于动态随机存储器（DRAM）技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法。该增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写MOS晶体管的漏端与读MOS晶体管的栅极电连接，写MOS晶体管的漏端的深度大于写MOS晶体管的源端的深度，设置写MOS晶体管的漏端掺杂浓度分布以减小漏端的PN结的漏电流。该增益单元eDRAM具有数据保持时间长的特点，由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的刷新频率低、功耗小。
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