-
公开(公告)号：CN103123808B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110372303.2
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速写操作方法。该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法的写电路中，多米诺逻辑部分为执行单元写入操作的驱动电路，其求值管组M1-M4分别接收来自灵敏放大器放大的单元读出小信号和外界写入信号，当写驱动使能信号WPCH开启时，多米诺逻辑预充点prenode电平根据求值管组M1-M4导通与否而变化，使驱动反相器INV输出端WBL电平摆动，完成对单元的写入。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生了困难等技术问题。
-
公开(公告)号：CN102867539B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110188441.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出了一种改善增益型eDRAM器件结构。本发明的一种增益eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线，读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点，写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质，其特征在于，所述的写MOS管、读MOS管具有沟槽沟道，写MOS管、读MOS管的栅极介质位于硅衬底沟槽中，栅极为向下凸起的凸面圆柱状。本发明可以明显改善器件的数据保持特性。
-
公开(公告)号：CN103123808A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372303.2
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速写操作方法。该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法的写电路中，多米诺逻辑部分为执行单元写入操作的驱动电路，其求值管组M1-M4分别接收来自灵敏放大器放大的单元读出小信号和外界写入信号，当写驱动使能信号WPCH开启时，多米诺逻辑预充点prenode电平根据求值管组M1-M4导通与否而变化，使驱动反相器INV输出端WBL电平摆动，完成对单元的写入。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生了困难等技术问题。
-
公开(公告)号：CN112837811A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110241613.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院
Abstract: 本发明涉及一种药物性肾损伤的预警系统，包括医院信息管理系统和移动查房系统，所述移动查房系统设有医师移动查房系统和药师移动查房系统；所述医师移动查房系统设有第一肾功能警示模块，所述药师移动查房系统设有第二肾功能警示模块；所述第一肾功能警示模块和第二肾功能警示模块均用于从所述医院信息管理系统中自动获取肾功能相关检测数据并判断是否超出阈值，超出时发送语音提示和文字提示。本发明的药物性肾损伤预警系统能够全方位、及时、快速地发现住院患者出现的药物性肾损伤，以便立即采取措施，降低院内肾损伤发生率。
-
公开(公告)号：CN102867540A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110186888.9
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/407 , G11C7/12
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出了一种提高多端口、多沟道存储器器件存储性能的操作方法。本发明中提供了多端口，多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道。本发明提供了一种90nm及以下节点多沟道嵌入式动态随机存储器的一种解决方案，可以明显改善器件的操作窗口、数据保持特性、正确率、可靠性等存储特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544012A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010592942.5
申请日：2010-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/108 , H01L29/10 , H01L21/8242 , G11C11/401
Abstract: 本发明提供一种MOS结构的存储单元、阵列、存储器及其操作方法，属于嵌入式存储器技术领域。该存储单元包括其包括源极、漏极和栅极的MOS晶体管结构，所述MOS晶体管结构的栅介质层为具有阻变存储特性的栅存储介质层。该存储阵列包括多个按行和列排列的该存储单元，该存储器包括该存储阵列。该发明突破性地在MOS晶体管的栅介质层上应用具有阻变存储特性的材料，在使其具有多次可编程存储、非挥发存储特性的同时，其易集成于前端结构中，并易于与32nm高kCMOS逻辑工艺前端兼容。另外，读写操作简单，尤其适合于嵌入式非挥发存储应用。
-
公开(公告)号：CN119526493A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411757345.1
申请日：2024-12-03
Applicant: 复旦大学附属中山医院厦门医院
Abstract: 本发明提供一种全自动病理组织切片装置。所述全自动病理组织切片装置包括底座，所述底座的顶部设有往复运动锁止机构，所述往复运动锁止机构上设有水平推进机构，所述往复运动锁止机构上设有石蜡病理组织块固定机构，所述石蜡病理组织块固定机构的一侧设有安装在所述底座顶部的切刀机构；所述石蜡病理组织块固定机构用于对石蜡病理组织块进行固定；所述往复运动锁止机构用于对病理组织进行纵向往复运动，同时配合切刀机构对病理组织进行切片。本发明提供的全自动病理组织切片装置具有使用高效、省时省力、节约人力成本、能够自主可控进行石蜡病理组织切片、及时清除碎屑交叉污染的优点。
-
公开(公告)号：CN103123807A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372157.3
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速读操作方法，该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法中还包括：采用在灵敏放大器开启之前启动读列选通管的读电路及操作，其中，读串联驱动电路RDG由读出位线驱动管M1-M2和读列选通管M3-M4构成，M3-M4漏端接读出数据线对RDB/BRDB，M1-M2源端和SA地端GND在版图上共享。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生困难等技术问题。
-
公开(公告)号：CN103123804A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372160.5
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列结构，及其操作方法。本发明包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线连接到所述晶体管的漏极；源线连接到所述晶体管的源极；其中，读管201起到选通、限流的作用，202为编程部件，203为位线，204为201的字线，205为编程字线。栅极具有高阻、低阻不同状态，之间转变可逆，在位线和字线间施加一定电压，会有不同大小的电流。本发明解决了传统的1T1C DRAM单元的困难以及与标准CMOS工艺兼容性较差的问题，可以与标准逻辑的CMOS HfOx high k metal gate技术兼容。
-
公开(公告)号：CN102867539A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110188441.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出了一种改善增益型eDRAM器件结构。本发明的一种增益eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线，读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点，写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质，其特征在于，所述的写MOS管、读MOS管具有沟槽沟道，写MOS管、读MOS管的栅极介质位于硅衬底沟槽中，栅极为向下凸起的凸面圆柱状。本发明可以明显改善器件的数据保持特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.018 seconds)
