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公开(公告)号：CN102237491B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010167501.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开一种包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法。所述氧化锰基电阻型存储器包括上电极、下电极以及设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。MnSixOy存储介质层相对比MnOz存储介质层更加致密，其低阻态的电阻相对较高，使该电阻型存储器具有相对低功耗的特点；MnSixOy存储介质层更容易与45纳米工艺节点以下的铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN102244193A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010175641.2
申请日：2010-05-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为包含钌掺杂的氧化钽基电阻型存储器。该电阻型存储器包括上电极、下电极、以及设置在上电极和下电极之间的包含钌掺杂的氧化钽基存储介质层。包含Ru掺杂的氧化钽基存储介质层中，通过分布的Ru元素，可以有效控制氧化钽基存储介质层中导电灯丝中形成的位置以及数量，避免了随机形成的可能。因此，该存储器性能更加稳定，器件性能参数的波动小。同时，易于与32纳米或者32纳米以下铜互连工艺集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237491A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167501.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开一种包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法。所述氧化锰基电阻型存储器包括上电极、下电极以及设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。MnSixOy存储介质层相对比MnOz存储介质层更加致密，其低阻态的电阻相对较高，使该电阻型存储器具有相对低功耗的特点；MnSixOy存储介质层更容易与45纳米工艺节点以下的铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN102237309B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010167004.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L45/00 , H01L27/24
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法。该工艺集成的方法中，采用对铜引线上的盖帽层中的锰金属先硅化形成MnSi化合物层、在对该MnSi化合物层氧化以形成MnSixOy存储介质层，并且采用锰硅氧化合物层作为铜互连后端中铜引线的阻挡层。该方法具有易于与45纳米或者45纳米工艺节点以下铜互连后端工艺兼容的优点，氧化锰基电阻型存储器制备成本低，并且可靠性高、功耗低。
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公开(公告)号：CN102820425A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110154094.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域，器件的稳定性和均匀性更好，可有效提高器件可靠性，同时由于采用多层结构，阻态也较单层结构高，降低功耗。
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公开(公告)号：CN102810632A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110146823.1
申请日：2011-06-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，涉及一种并联电阻型存储器及其制备方法。所述的并联电阻型存储器，包括若干存储块，每个存储块由一个晶体管与若干并联存储单元串联构成，其中，并联存储单元由具有整流特性的器件与具有阻变特性的器件构成。本发明解决了1T1R结构无法达到NAND Flash存储密度的情况，及交叉点存储阵列漏电流大的问题；所述的制备方法能有效的提高存储密度，解决漏电流大的问题。本发明中的二极管由多晶硅制成，其与于氧化物二极管相比，具有较好的整流特性，同时所述的多晶硅二极管采用脉冲激光退火的方式，避免了高温处理对存储器产生的影响。
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公开(公告)号：CN102237309A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167004.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L45/00 , H01L27/24
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法。该工艺集成的方法中，采用对铜引线上的盖帽层中的锰金属先硅化形成MnSi化合物层、在对该MnSi化合物层氧化以形成MnSixOy存储介质层，并且采用锰硅氧化合物层作为铜互连后端中铜引线的阻挡层。该方法具有易于与45纳米或者45纳米工艺节点以下铜互连后端工艺兼容的优点，氧化锰基电阻型存储器制备成本低，并且可靠性高、功耗低。
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