公开(公告)号：CN101872649B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910050100.4

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  金钢 ,  吴雨欣 ,  张佶

IPC: G11C29/00

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次可编程电阻型存储器的产品出厂良率。

公开(公告)号：CN101908373A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910052483.9

申请日：2009-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  张佶 ,  金钢 ,  陈怡

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的读操作电压漂移，稳定读过程中位线上电压，结构相对简单，同时不需要明显增加芯片面积。

公开(公告)号：CN101354910A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810040935.7

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  廖启宏 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  胡倍源 ,  徐乐

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型相变存储器的读操作方法。每个相变存储器结构的位线在多路选择器进行选择，然后分成两路分别经过第一选通开关和第二选通开关连接到读出放大器的两端。读出放大器两端接到第三开关的两端。其优点在于功耗低，静态电流小，并且由于是自参考，降低了工艺波动性对它的影响。

公开(公告)号：CN101872647B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200910050101.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  金钢 ,  尹明 ,  张佶 ,  吴雨欣 ,  解玉凤

IPC: G11C17/14

Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。

公开(公告)号：CN101452740B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200810207839.7

申请日：2008-12-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  金钢 ,  张佶 ,  解玉凤

IPC: G11C8/10

Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。

公开(公告)号：CN101329905A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810040938.0

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  胡倍源 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  廖高宏 ,  徐乐

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C13/0004

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型双端口动态随机存储器及其存储操作方法，其特征在于包括数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元、两个选通管、一条写字线，一条读字线、一条写位线、一条读位线，其中第一选通器件与读字线和读位线相连，第二选通器件与写字线和写位线相连。此种相变存储器可以起到节约操作时间，提高读写效率的作用。

公开(公告)号：CN102237132B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201010167521.8

申请日：2010-05-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  李萌

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体提供一种具有冗余阵列的存储器。该存储器通过采用阻变存储器阵列替代现有技术的熔丝阵列，用来存储该存储器的基本存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息以提高存储器的可靠性。因此，该存储器具有面积小、用来存储所述存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息的存储器易于编程、并且易按比例缩小的特点。

公开(公告)号：CN101872649A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910050100.4

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  金钢 ,  吴雨欣 ,  张佶

IPC: G11C29/00

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次可编程电阻型存储器的产品出厂良率。

公开(公告)号：CN101872647A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910050101.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  金钢 ,  尹明 ,  张佶 ,  吴雨欣 ,  解玉凤

IPC: G11C17/14

Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。

公开(公告)号：CN101452740A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810207839.7

申请日：2008-12-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  金钢 ,  张佶 ,  解玉凤

IPC: G11C8/10

Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。