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公开(公告)号：CN103021451B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110284656.7
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上。本发明克服了现有技术存在的，如每级的频率对应的温度范围大，阈值电压变化范围大，可能出现低效率或者不可靠问题。
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公开(公告)号：CN103035281B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110298531.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402 , G11C29/08
Abstract: 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。
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公开(公告)号：CN103035281A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110298531.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402 , G11C29/08
Abstract: 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。本发明还提出一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法。
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公开(公告)号：CN102194513A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010121872.5
申请日：2010-03-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/401
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器。该电路通过读取分别存储数据“0”和数据“1”的冗余存储单元来判断其所监测的存储阵列的数据保持情况，其可以根据不同的工作条件、形成工艺条件等影响数据保持特性的因素来自动调整存储器的刷新操作频率。因此，该存储器具有刷新操作功耗低的特点。并且，该存储器的刷新操作是片上自动调整，不需要片外进行控制。
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公开(公告)号：CN102081962A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199380.5
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021450B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110285030.8
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，尤其涉及一种紧凑式电荷转移刷新电路及其操作方法。本发明的紧凑式电荷转移刷新电路，包括大小为M*N的阵列，按列方向分成t个M×(N/t)子阵列，每个子阵列编号1～n，每个子阵列的灵敏放大器的虚电源端VHn相连，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连，M、N、n、t为自然数，每个子阵列的所有灵敏放大器虚电源端相连，记作VHn，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连。本发明既节省了刷新功耗，又显著降低了刷新时间，且控制电路简单，无需额外的面积开销。
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公开(公告)号：CN102169714B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010113756.9
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，或者由“弱0”变为“强0”状态；该方法并不利用Charge Bumping(电荷泵)效应进行刷新操作，因此具有刷新操作的可靠性高的特点。同时，对于FBC存储器单元或存储器，刷新操作过程中不存在读取过程，进而可以对FBC存储器的存储阵列进行整体刷新操作。
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公开(公告)号：CN103035283A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110295340.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，分频器(102)将输入频率frq分频成多个输出频率Refrq1，Refreq2，…Refrqn，衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)通过写入编码信号Code，即外部设置码，生成选择信号Refsel，提供给选择电路(300)，选择电路模块300在扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)的设置控制下从(VBB1，Refrq1)、(VBB2，Refrq2)、……(VBBn，Refrqn)中选择一组输出到DRAM阵列的刷新频率Refrq和晶体管衬底电压VBB上。
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公开(公告)号：CN103021451A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110284656.7
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上。本发明克服了现有技术存在的，如每级的频率对应的温度范围大，阈值电压变化范围大，可能出现低效率或者不可靠问题。
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公开(公告)号：CN103021450A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110285030.8
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，尤其涉及一种紧凑式电荷转移刷新电路及其操作方法。本发明的紧凑式电荷转移刷新电路，包括大小为M*N的阵列，按列方向分成t个M×(N/t)子阵列，每个子阵列编号1～n，每个子阵列的灵敏放大器的虚电源端VHn相连，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连，M、N、n、t为自然数，每个子阵列的所有灵敏放大器虚电源端相连，记作VHn，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连。本发明既节省了刷新功耗，又显著降低了刷新时间，且控制电路简单，无需额外的面积开销。
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