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公开(公告)号：CN102169722B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010113790.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02D10/14
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法。该电阻随机存储器通过增加反馈电阻和比较器，实时反馈电阻随机存储器中存储电阻在初始化操作或者位置操作时电阻状态的变化，可以省去初始化操作或者位置操作成功后不必要的初始化电压或者位置电压偏置时间，因此能大大降低该电阻随机存储器的功耗。同时，该电阻随机存储器的初始化操作方法或者位置操作方法不需要其后的读验证操作步骤，从而可将电阻随机存储器的读写通路分开优化设计。
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公开(公告)号：CN101872647B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200910050101.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/14
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。
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公开(公告)号：CN101452740B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810207839.7
申请日：2008-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C8/10
Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。
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公开(公告)号：CN101123120A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710045644.2
申请日：2007-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/08
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种一次编程存储器及其存储操作方法，在该器件中采用具有多次编程能力的二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储介质。通过施加大小和极性不同的电压于存储介质的两端，来对其进行编程和擦除操作。本发明的存储介质具有多次编程的能力，所以可以对本发明的存储器进行智能擦除和多次编程测试，提高存储器的产品良率和可靠性。本发明的器件具有低功耗、高良率、高容量的阵列块的优点。
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公开(公告)号：CN101872645B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200910050102.3
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102169723A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113797.8
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管，第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。该电阻随机存储器可以用于高安全性的抗功耗分析攻击领域的数据存储。
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公开(公告)号：CN102169719A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113753.5
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电阻随机存储器技术领域，具体为一种一次可编程(OTP)电阻随机存储器、读写电路及其编程方法。该OTP电阻随机存储器利用OTP电阻随机存储器采用对称的2T2R结构、并依靠分别通过两个存储电阻R的电流大小的相互比对以判别数据存储状态，同时，结合OTP电阻随机存储器用户只需要一次编程的特点，将OTP电阻随机存储器中存储电阻R均置于高阻态交付给用户编程使用。该OTP电阻随机存储器具有用编程功耗低、面积小、抗功耗分析攻击的特点，尤其适用于嵌入式应用。
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公开(公告)号：CN101908373A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910052483.9
申请日：2009-06-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的读操作电压漂移，稳定读过程中位线上电压，结构相对简单，同时不需要明显增加芯片面积。
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公开(公告)号：CN101872645A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910050102.3
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。
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