公开(公告)号：CN111681748A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010532597.X

申请日：2020-06-11

Applicant: 北京航空航天大学 ,  复旦大学附属中山医院 ,  博恒科技(杭州)有限公司

Inventor： 单光存 ,  曾祥睿 ,  宋振举 ,  尹明 ,  苏银沛 ,  王田 ,  文博 ,  秦飞

IPC: G16H40/20 ,  G16H70/20 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提供一种基于智能视觉感知的医疗行为动作规范性评价方法，包括：利用13D网络提取包含待评价医疗行为的视频的双流特征向量；利用所述双流特征向量通过残差空洞因果卷积模块进行动作概率分析；利用所述动作概率分析的结果通过边界决策分析获取待选动作提名片段集ψp；对待选动作提名片段集ψp进行联合概率动作密度排序处理，得到待评价医疗行为视频中的有效动作提名片段；获取标准动作片段；利用所述标准动作片段和所述有效动作提名片段通过训练好的孪生神经网络评价所述医疗行为动作规范性。本发明基于智能视觉感知的医疗行为动作规范性评价方法可以准确的判断动作规范性，在医疗领域有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101872649A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910050100.4

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  金钢 ,  吴雨欣 ,  张佶

IPC: G11C29/00

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次可编程电阻型存储器的产品出厂良率。

公开(公告)号：CN101872647A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910050101.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  金钢 ,  尹明 ,  张佶 ,  吴雨欣 ,  解玉凤

IPC: G11C17/14

Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。

公开(公告)号：CN101315969A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810039607.5

申请日：2008-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  周鹏

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种具有掺杂控制层的电阻存储器。该电阻存储器包括：上电极、下电极、用于实现电阻值的存储转换的电阻存储介质层、用来实现对所述电阻存储介质层的金属元素掺杂及其掺杂含量控制的掺杂控制层。掺杂控制层与电阻存储介质层直接，上电极或者下电极中的金属元素透过掺杂控制层向存储介质层表面扩散，以实现对电阻存储介质层的可控低掺杂，从而达到稳定电阻存储器的电学性能的目的。

公开(公告)号：CN101110393A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1＜x≤2。形成CuxO存储介质的方法可是等离子氧化方法，也可以热氧化方法。本发明方法工艺简便，成本低，效果好。

公开(公告)号：CN111681748B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202010532597.X

申请日：2020-06-11

Applicant: 北京航空航天大学 ,  复旦大学附属中山医院 ,  博恒科技(杭州)有限公司

Inventor： 单光存 ,  曾祥睿 ,  宋振举 ,  尹明 ,  苏银沛 ,  王田 ,  文博 ,  秦飞

IPC: G16H40/20 ,  G16H70/20 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/096

Abstract: 本发明提供一种基于智能视觉感知的医疗行为动作规范性评价方法，包括：利用13D网络提取包含待评价医疗行为的视频的双流特征向量；利用所述双流特征向量通过残差空洞因果卷积模块进行动作概率分析；利用所述动作概率分析的结果通过边界决策分析获取待选动作提名片段集ψp；对待选动作提名片段集ψp进行联合概率动作密度排序处理，得到待评价医疗行为视频中的有效动作提名片段；获取标准动作片段；利用所述标准动作片段和所述有效动作提名片段通过训练好的孪生神经网络评价所述医疗行为动作规范性。本发明基于智能视觉感知的医疗行为动作规范性评价方法可以准确的判断动作规范性，在医疗领域有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101159310B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710047974.5

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  傅秀峰 ,  陈邦明 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。

公开(公告)号：CN101145598B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN101393768A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810201661.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  万海军 ,  尹明 ,  周鹏 ,  宋雅丽

IPC: G11C11/21 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：(1)在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；(2)保持所述电信号偏置；(3)该电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换后，取消所述电信号偏置。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。

公开(公告)号：CN101159310A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710047974.5

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  傅秀峰 ,  陈邦明 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。