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公开(公告)号：CN101872647A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910050101.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/14
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。
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公开(公告)号：CN101452740A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810207839.7
申请日：2008-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C8/10
Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。
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公开(公告)号：CN101359503A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810040934.2
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115 , G11C16/10
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用相变材料(如Ge2Sb2Te5)或者二元以上(包括二元)的多元金属氧化物(如CuxO1＜x≤2、WOx2≤x≤3、钛的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物等)作为存储电阻，每个存储单元中都包括两个存储电阻，每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接，第二电极与不同的位线耦连，形成同一存储单元中若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。这种存储器不仅大大提高存储集成密度，而且提供更强的写操作信号。
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公开(公告)号：CN102169720B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010113783.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、写驱动电路、读驱动电路、输入/输出缓冲模块、检测电阻以及比较器，通过在电阻随机存储器中增加用于反馈的检测电阻和比较器，可以实现电阻随机存储器在写操作过程中避免过写或者误写操作现象，使电阻随机存储器相对其存储单元的工艺波动的敏感性降低。该电阻随机存储器具有可靠性高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102169720A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113783.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/02
Abstract: 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、写驱动电路、读驱动电路、输入/输出缓冲模块、检测电阻以及比较器，通过在电阻随机存储器中增加用于反馈的检测电阻和比较器，可以实现电阻随机存储器在写操作过程中避免过写或者误写操作现象，使电阻随机存储器相对其存储单元的工艺波动的敏感性降低。该电阻随机存储器具有可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN101409104B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810040932.3
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/00
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第一选通器件和一个相变存储电阻组成，动态存储单元由第二选通器件和一个存储电容组成，相变存储单元和动态存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的字线相连，相变存储单元和动态存储单元共用同一根位线。其优点在于既利用了动态存储器功耗低，速度快的优点，又实现了不挥发存储。
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公开(公告)号：CN101409104A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810040932.3
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/00
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第一选通器件和一个相变存储电阻组成，动态存储单元由第二选通器件和一个存储电容组成，相变存储单元和动态存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的字线相连，相变存储单元和动态存储单元共用同一根位线。其优点在于既利用了动态存储器功耗低，速度快的优点，又实现了不挥发存储。
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公开(公告)号：CN101872647B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200910050101.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/14
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。
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