公开(公告)号：CN101110393B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1

公开(公告)号：CN101159284B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710045938.5

申请日：2007-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明 ,  宋雅丽 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。

公开(公告)号：CN101159284A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710045938.5

申请日：2007-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明 ,  宋雅丽 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。

公开(公告)号：CN101118784A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710045649.5

申请日：2007-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  丁益青 ,  唐立

IPC: G11C11/4072

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器不挥发存储器的复位操作方法。本发明设计了一种脉冲幅度以步进式增长的复位编程方式，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。

公开(公告)号：CN101106151A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710042326.0

申请日：2007-06-21

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  唐立 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/528 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法。相变存储器件中包括：具有半导体薄膜特性的字线、一个或多个金属电极、具有半导体薄膜特性的相变材料、具有半导体薄膜特性的位线。以所述字线或位线与相变薄膜材料形成的异质结二极管，或所述字线或位线与金属电极形成的肖特基二极管，作为1D/1R结构存储器的选通功能单元。本发明的相变存储器结构管理、制造方法简单，并不依赖与衬底硅层，可实现多层相变存储器阵列堆叠，从而大大提高其存储密度。

公开(公告)号：CN1832219A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610025693.5

申请日：2006-04-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  汤庭鳌

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于电加工技术制备相变存储器的方法。该方法是在电介质上加一电信号，使电介质完全击穿，形成唯一的微小的孔洞；同时击穿产生的热量使相变材料熔化，填入其对应的孔洞中，从而形成3D结构式相变存储单元。本发明在存储器3D结构实现方面摆脱了光刻等传统技术，并能实现与集成电路制造工艺兼容。采用本发明制造相变存储器具有自对准、制造工艺简单、可阵列加工等优点。

公开(公告)号：CN101118922B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710045407.6

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞，位于孔洞底部的铜氧化形成的CuxO存储介质，以自对准方式形成于所述的CuxO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层作为CuxO存储介质的保护层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，可避免制作过程中的工艺步骤导致存储器件电阻波动和不均匀，提高可靠性。

公开(公告)号：CN101159309A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710047973.0

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降低。所插入的金属氧化物介质层具有容易制作形成、工艺兼容性强的优点。

公开(公告)号：CN101145598A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN101118922A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710045407.6

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞，位于孔洞底部的铜氧化形成的CuxO存储介质，以自对准方式形成于所述的CuxO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层作为CuxO存储介质的保护层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，可避免制作过程中的工艺步骤导致存储器件电阻波动和不均匀，提高可靠性。