公开(公告)号：CN102081962A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910199380.5

申请日：2009-11-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  孟超 ,  董存霖 ,  程宽 ,  马亚楠 ,  严冰 ,  解玉凤

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/409

Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。

公开(公告)号：CN102737725A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110092561.5

申请日：2011-04-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  严冰

IPC: G11C29/56

Abstract: 一种自动优化存储器性能的可编程内建自测系统的内建自测系统和方法，所述方法包括以下步骤：在一种测试工作方案下对存储器进行测试，故障计数与暂存模块（110）记录在此过程中检测到的故障数量；改变测试工作方案，重复上述操作；当遍历所有的方案后，通过工作方案比较与确定模块（111）比较各种工作方案并确定最优的方案作为存储器的测试工作方案。

公开(公告)号：CN102081963A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910199382.4

申请日：2009-11-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  董存霖 ,  孟超 ,  程宽 ,  马亚楠 ,  严冰

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4063

Abstract: 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低刷新频率，减小由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的功耗。同时由于所增加的MOS电容可以与标准MOS工艺兼容，因此具有制备成本低的特点。

公开(公告)号：CN102081963B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200910199382.4

申请日：2009-11-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  董存霖 ,  孟超 ,  程宽 ,  马亚楠 ,  严冰

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4063

Abstract: 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低刷新频率，减小由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的功耗。同时由于所增加的MOS电容可以与标准MOS工艺兼容，因此具有制备成本低的特点。

公开(公告)号：CN102081962B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200910199380.5

申请日：2009-11-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  孟超 ,  董存霖 ,  程宽 ,  马亚楠 ,  严冰 ,  解玉凤

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/409

Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。