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公开(公告)号：CN101110393A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710043460.2
申请日：2007-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1＜x≤2。形成CuxO存储介质的方法可是等离子氧化方法，也可以热氧化方法。本发明方法工艺简便，成本低，效果好。
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公开(公告)号：CN101110393B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200710043460.2
申请日：2007-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1
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公开(公告)号：CN100521278C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710039648.X
申请日：2007-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种以CuxO作为存储介质的RRAM避免forming现象的制备方法，本发明方法是在按常规工艺制备以CuxO作为存储介质的RRAM过程中，在存储介质CuxO薄膜完成以后，将其与含有羟胺成分的稳定溶液接触，处理10～30分钟，将薄膜中的CuO成分还原成Cu2O，从而可以在器件使用前不再需要用一个高于正常操作电压的电压激活过程，即避免了forming现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101051670A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710039648.X
申请日：2007-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种以CuxO作为存储介质的RRAM避免forming现象的制备方法，本发明方法是在按常规工艺制备以CuxO作为存储介质的RRAM过程中，在存储介质CuxO薄膜完成以后，将其与含有羟胺成分的稳定溶液接触，处理10～30分钟，将薄膜中的CuO成分还原成Cu2O，从而可以在器件使用前不再需要用一个高于正常操作电压的电压激活过程，即避免了forming现象。
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公开(公告)号：CN101042933A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710039404.1
申请日：2007-04-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用。该非挥发SRAM以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管SRAM、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；存储电阻的下电极与SRAM的一个上拉pmos管的源端耦连，上电极与电源线耦连；由一mmos选通管与存储电阻串联，该选通管栅极与该上拉pmos管栅极耦连，漏端与存储电阻的下电极耦连，源端引入一个用于对存储电阻进行操作的信号。本发明可实现存储信息的非挥发。上述非挥发SRAM可作为编程单元应用于非挥发现场可编程门阵列中。
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公开(公告)号：CN101159310B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710047974.5
申请日：2007-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN101042933B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710039404.1
申请日：2007-04-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用。该非挥发SRAM以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管SRAM、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；存储电阻的下电极与SRAM的一个上拉pmos管的源端耦连，上电极与电源线耦连；由一mmos选通管与存储电阻串联，该选通管栅极与该上拉pmos管栅极耦连，漏端与存储电阻的下电极耦连，源端引入一个用于对存储电阻进行操作的信号。本发明可实现存储信息的非挥发。上述非挥发SRAM可作为编程单元应用于非挥发现场可编程门阵列中。
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公开(公告)号：CN101159310A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710047974.5
申请日：2007-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。
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