公开(公告)号：CN101409104B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810040932.3

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  廖启宏 ,  胡倍源 ,  徐乐

IPC: G11C11/00

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第一选通器件和一个相变存储电阻组成，动态存储单元由第二选通器件和一个存储电容组成，相变存储单元和动态存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的字线相连，相变存储单元和动态存储单元共用同一根位线。其优点在于既利用了动态存储器功耗低，速度快的优点，又实现了不挥发存储。

公开(公告)号：CN101409104A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810040932.3

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  廖启宏 ,  胡倍源 ,  徐乐

IPC: G11C11/00

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第一选通器件和一个相变存储电阻组成，动态存储单元由第二选通器件和一个存储电容组成，相变存储单元和动态存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的字线相连，相变存储单元和动态存储单元共用同一根位线。其优点在于既利用了动态存储器功耗低，速度快的优点，又实现了不挥发存储。

公开(公告)号：CN101354910A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810040935.7

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  廖启宏 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  胡倍源 ,  徐乐

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型相变存储器的读操作方法。每个相变存储器结构的位线在多路选择器进行选择，然后分成两路分别经过第一选通开关和第二选通开关连接到读出放大器的两端。读出放大器两端接到第三开关的两端。其优点在于功耗低，静态电流小，并且由于是自参考，降低了工艺波动性对它的影响。

公开(公告)号：CN101359503A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810040934.2

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  薛晓勇 ,  张佶 ,  吴雨欣 ,  胡倍源 ,  廖启宏 ,  徐乐

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用相变材料(如Ge2Sb2Te5)或者二元以上(包括二元)的多元金属氧化物(如CuxO1＜x≤2、WOx2≤x≤3、钛的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物等)作为存储电阻，每个存储单元中都包括两个存储电阻，每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接，第二电极与不同的位线耦连，形成同一存储单元中若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。这种存储器不仅大大提高存储集成密度，而且提供更强的写操作信号。

公开(公告)号：CN101359502B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810040931.9

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  徐乐 ,  胡倍源 ,  廖启宏

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。

公开(公告)号：CN101359502A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810040931.9

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  徐乐 ,  胡倍源 ,  廖启宏

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。

公开(公告)号：CN101339805A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810040933.8

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  徐乐 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  廖启宏 ,  胡倍源

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括两个相变存储单元和两个选通器件。两个相变存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的位线相连，共用同一根字线。其优点在于可以实现高读取速度的应用，并可防止存储操作时产生对选中单元的误读操作。