公开(公告)号：CN101894907A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200910051873.4

申请日：2009-05-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  周鹏 ,  王明

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。

公开(公告)号：CN101740717A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910145691.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  王明 ,  周鹏

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。

公开(公告)号：CN101232076A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810032764.3

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法。生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善CuxO电阻存储器的疲劳特性。

公开(公告)号：CN100379047C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510028247.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种纳米相变存储器件的制备方法。它利用边墙技术构建纳米电极，通过形成纳米电极来减小电极接触面积。纳米线和相变材料或包含相变材料的复合层进行边沿式接触，接触面积的大小就是纳米线横截面积的大小，从而构建成完全突破光刻条件限制的纳米相变存储器单元结构。采用本发明方法制备的器件具有较小的写操作电流、较低的功耗，较快的读写速度，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN101110393A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1＜x≤2。形成CuxO存储介质的方法可是等离子氧化方法，也可以热氧化方法。本发明方法工艺简便，成本低，效果好。

公开(公告)号：CN1971930A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610119296.4

申请日：2006-12-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种多值存储相变存储器件的制备方法。它通过构建并联单元，实现相变存储器的多值存储。采用本发明方法制备的器件可以极大的提高存储密度，降低生产成本。

公开(公告)号：CN1750289A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510028247.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种纳米相变存储器件的制备方法。它利用边墙技术构建纳米电极，通过形成纳米电极来减小电极接触面积。纳米线和相变材料或包含相变材料的复合层进行边沿式接触，接触面积的大小就是纳米线横截面积的大小，从而构建成完全突破光刻条件限制的纳米相变存储器单元结构。采用本发明方法制备的器件具有较小的写操作电流、较低的功耗，较快的读写速度，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN101989644A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910055813.X

申请日：2009-07-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  万海军 ,  周鹏 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，属于半导体存储器技术领域。该方法通过在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层，使电阻随机存储器的数据保持能力大大提高。

公开(公告)号：CN101226988A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810032765.8

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法。在生长CuxO存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在CuxO层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟CuxO材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高CuxO性能。

公开(公告)号：CN101159309A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710047973.0

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降低。所插入的金属氧化物介质层具有容易制作形成、工艺兼容性强的优点。