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公开(公告)号：CN113035847B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201911355472.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。
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公开(公告)号：CN116613156A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310524487.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L25/07 , H01L23/485 , H01L23/367 , H01L23/14 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装结构，包括基板以及均布在所述基板上的多个衬板，所述衬板上具有多个金属层。多个所述衬板形成在所述基板上并列分布且彼此并联的多个功能单元，每个所述功能单元均包括两个相对设置的所述衬板，同一个所述功能单元中的两个所述衬板上的所述金属层的布局结构关于所述功能单元的中心中心对称，多个所述功能单元的所述金属层的布局结构以及相对所述基板的布局方位相同。本发明通过设计封装结构中的衬板、芯片的布局，以及改进键合结构和功率端子的结构，能够实现各种功率容量的低电感封装。
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公开(公告)号：CN114121915A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010900712.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/552 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供氮化镓宽禁带功率模块封装结构，包括：封装基板、封装管壳和氮化镓宽禁带功率模块；封装管壳的边框围设封装基板，形成容纳槽；功率模块设置在容纳槽内，形成低电感对称换流及控制电路结构；氮化镓宽禁带功率模块包括具有金属层的衬板和对称键合在金属层上的至少两个氮化镓芯片组、多个弹簧插针、对称型母排功率端子、多个电容以及设置在衬板上方的驱动控制板；衬板键合在基板上；氮化镓芯片组对称键合在金属层中部；多个弹簧插针设置在氮化镓芯片组的两侧；每个氮化镓芯片组均与对称型母排功率端子和弹簧插针连接通过金属层连接；与驱动控制板通过弹簧插针电连接；多个电容对称地键合在金属层的两个周向边缘侧，以形成低电感功率回路。
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公开(公告)号：CN111081566B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811217696.8
申请日：2018-10-18
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种用于功率半导体芯片的压力辅助银烧结装置，包括纳米银膜转移工装和银烧结工装。纳米银膜转移工装用于将纳米银膜附着到垫片上，其上开设有用于释放该工装在纳米银膜转移工艺过程中因受热不均匀产生的内应力的第一释压结构。银烧结工装用于将附着有纳米银膜的垫片与芯片进行银烧结，其上开设有用于释放该工装在银烧结封装工艺过程中因受热不均匀产生的内应力的第二释压结构。由于纳米银膜转移工装和银烧结工装中均设置了释压结构，可以避免工装内金属元件在芯片银烧结封装的热处理过程中产生形变，从而提高芯片的烧结封装效率。
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公开(公告)号：CN115843388A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202180041843.4
申请日：2021-07-19
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/051
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置1，包括：壳体，其包括内部空间；至少一个半导体芯片20，其布置在壳体内；以及隔板13，其布置在壳体内并且被构造为将壳体的内部空间分隔成第一腔室11和第二腔室12，其中，至少一个半导体芯片20布置在第一腔室11内；隔板13包括可变形部分15，并且可变形部分15被构造为当第一腔室11和第二腔室12之间的压力差超过阈值压差或者可变形部分15处的温度超过阈值温度时发生变形，以便将第一腔室11从气密密封的腔室转变为与第二腔室12流体连通的开放腔室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114600238A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080016627.X
申请日：2020-11-02
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 我们在此描述了包括至少两个功率半导体器件和第一类型的触点的半导体器件子组件。第一功率半导体器件位于第一类型的触点的第一侧上，第二功率半导体器件位于第一类型的触点的第二侧上，其中，第二侧与第一侧相反。
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公开(公告)号：CN111239576B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811445962.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于功率损耗线性控制的恒定功率循环测试电路及方法，该恒定功率循环测试电路包括恒流源、第一和第二待测半导体功率器件、第一和第二驱动单元、第一和第二温控单元、电压测量与存储单元。本发明还提供了基于该恒定功率循环测试电路的测试方法。本发明的恒定功率循环测试电路和测试方法可以使待测功率器件的结温度摆幅仅与导通时间成单一的正比例关系，简化了功率循环测试的控制方法，消除了待测功率器件在长期功率循环测试当中结温度不可精确控制的问题。
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公开(公告)号：CN109755300B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201811435318.7
申请日：2018-11-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种沟槽IGBT芯片，包括：N型衬底；多个条形沟槽栅极，其沿N型衬底表面延伸且平行分布；多个辅助栅极，其垂直于条形沟槽栅极的长度方向，以将多个条形沟槽栅极之间的区域隔离为多个有源区和多个陪区，有源区和陪区交替排列；其中，有源区设置有N+区、P+区、P阱区和N阱区：陪区未设置N+区、P+区、P阱区和N阱区；发射极金属层，其与N+区和P+区接触。本发明可以通过在沟槽IGBT芯片单胞内有源区和陪区之间引入辅助栅极，从而对有源区和陪区两者间进行有效隔离，避免二者之间工作中相互干扰，进而可以分别对有源区和陪区有针对性设计以实现芯片性能的总体优化。
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公开(公告)号：CN116157662A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180042313.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
Inventor： 王彦刚 , 保罗·泰勒 , R·A·辛普森 , 卡勒姆·塔尔 , 迈克尔·尼科尔森 , 丹尼尔·贝尔 , 孙彤 , 肯尼斯·托马斯·维克多·格拉坦 , 马蒂亚斯·法比安 , 布鲁诺·塞奎拉·伦特·里贝罗
IPC: G01K11/3206 , G01K1/143 , G01K1/18
Abstract: 提供了一种半导体器件(100)，包括：至少一个半导体芯片(5)和热耦合到至少一个半导体芯片(5)的结构(2)以及传感器(16)，其中，该结构(2)包括位于半导体器件内部的表面，并且该表面包括凹槽(12)；传感器(16)包括穿过凹槽(12)的光纤(13)，其中，该传感器(16)被配置为感测至少一个半导体芯片(5)的温度。
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公开(公告)号：CN110828413B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201810888827.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供的一种引线框架，该引线框架通过连接杆将各引出端子相对外部框架固定，各引出端子与外部框架形成一个整体，各引出端子的具体位置根据实际情况预先设计布置，陶瓷衬板和引线框架间采用工装定位，通过陶瓷衬板相对引线框架的一次性定位就能准确定位出所有引出端子与陶瓷衬板的连接位置，简化了定位和连接工艺流程并提高了定位的准确性，提高了生产效率和产品成品率，降低了制造周期及自动化生产的复杂性，为实现一体化自动定位连接提供可能性。本发明还提供一种制作转模功率模块的方法，通过先将引出端子定位固定再将引出端子折弯的方式降低了烧结工艺的复杂度，保证了引出端子尺寸的精度，使操作及加工更为方便。
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