公开(公告)号：CN102956514A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210282425.7

申请日：2012-08-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木遥 ,  山本敦史 ,  小谷和也 ,  久里裕二 ,  栂嵜隆 ,  北泽秀明

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C9/02 ,  C22C28/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/488 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，通过通用性较高、能够得到良好的高温环境下的可靠性的方法进行半导体芯片的安装，能够进行半导体装置的高温动作。在安装基板与半导体芯片之间夹装如下的接合层，并在熔融层的熔点以上的温度下保持，通过液相扩散形成比熔融层熔点高的合金层，使安装基板与半导体芯片接合，上述接合层具有：含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层；和夹着接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从该金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层，上述接合层至少在最外层形成有熔融层。

公开(公告)号：CN104465579A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061293.4

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木遥 ,  久里裕二 ,  小谷和也 ,  山本敦史 ,  松村仁嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B23K35/24

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L24/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/26152 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83206 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置，包含半导体元件、布线层以及接合层。所述布线层包含Cu。所述接合层包含第一合金，该第一合金以实质上均匀的组分在所述半导体元件与所述布线层之间设置，是Cu与Cu以外的第一金属的合金。所述第一合金的熔点比所述第一金属的熔点高。

公开(公告)号：CN102332364B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110219982.X

申请日：2011-07-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅利直纪 ,  佐佐木遥 ,  捧浩资 ,  大竹史郎

IPC: H01H33/66 ,  H01H33/664

CPC classification number: H01H33/66207 ,  H01H33/66261 ,  H01H2033/66269 ,  H01H2033/66284

Abstract: 本发明提供一种真空阀，具有真空绝缘容器(1)；被收纳在真空绝缘容器(1)内、接触分离自如的一对触点(6)、(7)；固定安装于触点(6)、(7)的通电轴(4)、(8)；以包围触点(6)、(7)的方式设置的电弧屏蔽件(11)，其中，在通电轴(4)、(8)的外表面及电弧屏蔽件(11)的内表面，设置有由比构成自身的金属的熔点高的金属材料构成的金属被膜(5)、(9)、(12)。

公开(公告)号：CN108282041A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810010156.6

申请日：2018-01-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 松崎荣仁 ,  冈本徹志 ,  泽史雄 ,  中村美纪 ,  山本敦史 ,  佐佐木遥 ,  藤田真史 ,  谷山贺浩 ,  原川崇 ,  高桥则雄 ,  广濑孝明 ,  石塚博明

IPC: H02K3/04 ,  H02K3/42

Abstract: 本发明提供一种旋转电机线圈，能够使与制作以及收纳相关的作业变得容易。实施方式的旋转电机线圈具有导体(60)以及覆盖于导体(60)周围的绝缘层(62)，该旋转电机线圈具有线圈直线部(20)、以及相对于线圈直线部(20)能够分离且能够电连接的线圈端部(23)。

公开(公告)号：CN104465578A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410053381.X

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  关谷洋纪 ,  佐佐木遥 ,  小谷和也 ,  田多伸光 ,  松村仁嗣 ,  井口知洋

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/24 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，上述半导体装置包括半导体元件和金属膜。上述半导体元件具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面。上述金属膜设置在上述半导体元件的上述第2面。上述金属膜含Cr。上述半导体元件也可以含有动作确保温度比Si的动作确保温度高的材料。

公开(公告)号：CN103681527A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310061142.4

申请日：2013-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  山本敦史 ,  小谷和也 ,  久里裕二 ,  松村仁嗣

IPC: H01L23/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76841 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/2917 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供耐热性、可靠性高并且能够以低成本制造的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置(10)具有安装基板(11)、半导体芯片(12)、接合层(13)以及软质金属层(14b)。半导体芯片(12)通过接合层(13)以及软质金属层(14b)来与安装基板(11)接合。接合层(13)具有合金层，该合金层以（A）成分以及（B）成分为主成分来构成，所述（A）成分是选自Sn、Zn、In中的任意一种金属或者Sn、Zn、In的合金，所述（B）成分是选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属或者选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属与选自Sn、Zn、In中的任意一种金属的合金。软质金属层(14b)包含选自Cu、Al、Zn、Ag中的任意一种金属。

公开(公告)号：CN108282041B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201810010156.6

申请日：2018-01-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 松崎荣仁 ,  冈本徹志 ,  泽史雄 ,  中村美纪 ,  山本敦史 ,  佐佐木遥 ,  藤田真史 ,  谷山贺浩 ,  原川崇 ,  高桥则雄 ,  广濑孝明 ,  石塚博明

IPC: H02K3/04 ,  H02K3/42

Abstract: 本发明提供一种旋转电机线圈，能够使与制作以及收纳相关的作业变得容易。实施方式的旋转电机线圈具有导体(60)以及覆盖于导体(60)周围的绝缘层(62)，该旋转电机线圈具有线圈直线部(20)、以及相对于线圈直线部(20)能够分离且能够电连接的线圈端部(23)。

公开(公告)号：CN104916557A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410287004.2

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  小谷和也 ,  佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  松村仁嗣 ,  北泽秀明 ,  田多伸光 ,  关谷洋纪

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/26 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/564 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33

Abstract: 实施方式提供一种具有使抗热疲劳性提高的接合部的高可靠的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基座部、设置在所述基座部上的基板、以及设置在所述基板上的半导体元件。并且，还具备接合部，该接合部设置在所述基座部与所述基板之间、以及所述基板与所述半导体元件之间的至少某一方，包含锡、锑以及钴。

公开(公告)号：CN104458788A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410068978.1

申请日：2014-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  小谷和也 ,  佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  松村仁嗣 ,  北泽秀明 ,  安达健二

IPC: G01N25/00

CPC classification number: G01N25/72 ,  G01R31/311

Abstract: 一种半导体装置的检查方法，具备：边对将半导体元件和基板以包含金属微颗粒的接合件进行了接合的半导体装置进行加热、边随时间推移地取得所述半导体装置中的热分布的图像数据的工序；基于所述图像数据，求出分形维数的时间变化的工序；求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序；以及对所述斜率与预先设定的基准的斜率进行比较来判定所述半导体装置的好坏的工序。

公开(公告)号：CN104064476A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310308392.3

申请日：2013-07-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  关谷洋纪 ,  佐佐木遥 ,  小谷和也 ,  田多伸光 ,  松村仁嗣 ,  井口知洋

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49866 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够通过抑制冷热循环引起的热膨胀以及热收缩来提高产品的可靠性的功率半导体装置的制造方法以及通过该制造方法制造的功率半导体装置。本实施方式涉及的功率半导体装置的制造方法，是包括表面具有导体层的基底基板以及安装于上述基底基板的半导体元件的功率半导体装置的制造方法，具有在上述导体层的表面形成硬化层的工序。