公开(公告)号：CN104918878B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201380056223.3

申请日：2013-10-25

Applicant: 艾利迪公司 ,  原子能与替代能源委员会

Inventor： 娜塔莉·德绍克斯 ,  伯努瓦·阿姆斯塔特 ,  菲力浦·吉莱

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。

公开(公告)号：CN107316920A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710556011.1

申请日：2017-07-01

Applicant: 内蒙古民族大学

Inventor： 王伟华 ,  王旭颖 ,  韩艳丽 ,  梁志辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054

Abstract: 本发明公开了一种掺杂型石墨烯纳米带光电子器件的制备方法，该方法包括以下步骤：掺杂型石墨烯纳米带的制备；纳米材料的转移；电极图案的转移；电极的制备。本发明提供的掺杂型石墨烯纳米带光电子器件的制备方法操作流程简单，节省了器件的制作时间，提高了工作效率，适合推广应用。

公开(公告)号：CN107248885A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710348552.5

申请日：2017-05-17

Applicant: 西安科锐盛创新科技有限公司

Inventor： 张亮

IPC: H04B10/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H04B10/40 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0054

Abstract: 本发明涉及一种基于红外发光源的光模块，包括：红外发光源、接收器、合成芯片、存储器和光接口；其中，合成芯片包括驱动器、放大器和处理器，且分别与发光源和接收器相连接；发光源和接收器分别与光接口相连接。本发明提供的基于红外发光源的光模块，采用高发光率的发光源，进而降低了光模块的功耗；同时发光源的生产成本低于现有激光光源，即降低了光模块的生产成本。

公开(公告)号：CN103579049B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201310320164.8

申请日：2013-07-26

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 林徐振 ,  邱静宜 ,  房蓓珊 ,  陈俊昌

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/82 ,  H01L22/22 ,  H01L23/544 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1876 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/54 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的排列包装结构及其形成方法，包含：第一层，具有第一表面及第二表面；第二层，具有第一区域及第二区域；以及多个半导体元件，位于第一层及第二区域之间，其中，第二区域的形状包含一曲线及一标记。

公开(公告)号：CN107170859A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710347695.4

申请日：2017-05-17

Applicant: 厦门科锐捷半导体科技有限公司

Inventor： 刘晶晶

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/34 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/0054 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/34

Abstract: 本发明涉及一种基于横向结构发光二极管，包括：SOI衬底；Ge外延层，设置于SOI衬底的上表面；GeSn层，设置于Ge外延层的上表面的中间位置处；N型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于GeSn层一侧；P型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于GeSn层另一侧；P型Ge区域、GeSn层和N型Ge区域形成脊形横向的PiN结构：正电极，设置于P型Ge区域的上表面；负电极，设置于N型Ge区域的上表面，以形成基于横向结构发光二极管。本发明提供的基于横向结构发光二极管，利用Ge外延层位错密度低的优点，利用p+‑Ge/直接带隙GeSn/n+‑Ge的横向结构发光二极管，极大地提高发光二极管的发光效率。

公开(公告)号：CN107170858A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710347694.X

申请日：2017-05-17

Applicant: 厦门科锐捷半导体科技有限公司

Inventor： 刘晶晶

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/34 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/0054 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L33/34

Abstract: 本发明涉及一种横向结构LED及其制备方法，所述制备方法包括：选取SOI衬底；在所述SOI衬底上生长外延层；制作晶化Ge层；在所述晶化Ge层上生长制作脊状Ge‑Sn合金层；在所述脊状Ge‑Sn合金层中制作N型Ge‑Sn合金层及P型Ge‑Sn合金层；制作电极以完成所述LED的制备。本发明利用激光再晶化工艺，处理SOI衬底上的Ge外延层，使其熔化再结晶，横向释放Ge外延层的位错缺陷，获得低位错密度的Ge外延层；同时，由于LRC工艺可精确控制晶化区域，Si与Ge之间材料界面特性好，从而提高了器件性能。

公开(公告)号：CN107123711A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710346428.5

申请日：2017-05-17

Applicant: 西安科锐盛创新科技有限公司

Inventor： 张亮

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/34

CPC classification number: H01L33/0054 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/34

Abstract: 本发明涉及一种脊状LED及其制备方法。其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；利用CVD工艺在SOI衬底表面生长Ge外延层；利用CVD工艺在Ge外延层表面生长氧化层；利用LRC工艺晶化Ge外延层形成改性Ge外延层；利用干法刻蚀工艺刻蚀氧化层；在改性Ge外延层表面生长本征Ge层；选择性刻蚀本征Ge层形成脊型结构；在脊型结构的两侧分别注入P离子和B离子形成N型Ge区域和P型Ge区域；制备金属接触电极以完成脊状LED的制备；本发明利用激光再晶化工艺，在SOI衬底上制备位错密度低Ge外延层，并制备高质量直接带隙Ge外延层，然后实现一种脊状LED及其制备方法。

公开(公告)号：CN106057641A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610366292.X

申请日：2016-05-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王子巍 ,  肖磊 ,  王敬 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1808 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：提供衬底，所述衬底为玻璃；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。并且，稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列具有择优取向性。

公开(公告)号：CN105914258A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610365953.7

申请日：2016-05-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 肖磊 ,  王子巍 ,  王敬 ,  梁仁荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054

Abstract: 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第一氮化物半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的第一氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN105679895A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610196094.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 河北工业大学 ,  同辉电子科技股份有限公司

Inventor： 张保国 ,  周朝旭 ,  甄珍珍 ,  李晓波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/0054 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法，涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法，采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层，其中，金属电流扩展层Ni/Ag中Ni的厚度控制在5～10？，Ag的厚度控制在10～40？，DBR是用电子束蒸发的方法先蒸镀一层厚度为4200～4400？ 的SiO2，然后将TiO2和SiO2交替蒸发，蒸发4～20周期，每个蒸发周期中TiO2的厚度均为278～348？ ，SiO2的厚度均为477～596？，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。