公开(公告)号：CN107394014A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710572608.5

申请日：2017-07-14

Applicant: 成都新柯力化工科技有限公司

Inventor： 陈庆 ,  曾军堂 ,  陈兵

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0083

Abstract: 本发明提供一种LED量子点涂布液的制备方法，以镉离子前躯体溶液、螯合剂与胶体作为原料，将三者组成混合液，辅助聚硅氧烷，在氮气保护条件下利用胶体磨研磨，在研磨过程中缓慢加入硒前躯体溶液，所述硒前躯体溶液与螯合的镉离子发生反应，形成分散的硒化镉量子点涂布液。该发明由于在反应过程中，螯合剂使硒化镉量子点以独立的均态纳米微粒形态存在，最终导致硒化镉量子点具有良好的成膜性，而且该方法制备工艺简单，可重复性好，适合于工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN107123709A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710315022.0

申请日：2017-05-07

Applicant: 佛山市领卓科技有限公司

Inventor： 杨昱

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/28 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L33/0029 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1828 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开了一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法，该材料由一种异质结纳米棒经封装而来，具体包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'‑四氟‑2,3,5,6‑四氰二甲基对苯醌、TCNQF4等部分。本发明还公开了这种器件的制备方法。

公开(公告)号：CN107123708A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710315021.6

申请日：2017-05-07

Applicant: 佛山市领卓科技有限公司

Inventor： 杨昱

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/28 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L33/0029 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1828 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明是一种异质结纳米棒及其制备方法。本发明公开了一种硫化镉/硒化镉纳米棒，该异质结同时具备光电效应与电致发光的功能，其中CdS、CdSe的晶粒直径在15纳米以内。本发明还公开了这种器件的制备方法。

公开(公告)号：CN104277852B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410097333.0

申请日：2014-03-17

Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 ,  罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

Inventor： M·沈 ,  N·吴 ,  Y·翟 ,  S·南 ,  P·特雷福纳斯 ,  K·德什潘德 ,  J·朱

IPC: C09K11/88 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/127 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/18 ,  H01L33/28 ,  H01L51/502

Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包含具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、与所述第一端部或所述第二端部中的一个端部接触的第一端盖、以及与所述第一端盖接触的第二端盖；其中所述第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维纳米颗粒延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中所述第二端盖包含第二半导体，并且所述第二端盖从所述第一端盖延伸，形成了第二纳米晶体异质结；其中所述第一半导体不同于所述第二半导体。

公开(公告)号：CN106783906A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611167711.3

申请日：2016-12-16

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 谢华飞

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/06 ,  H01L33/285

Abstract: 本发明公开了一种显示面板用基板的制作方法，包括：准备透明衬底；在所述透明衬底上形成Mn掺杂ZnS量子点发光体的色阻层。通过实施本发明，采用Mn掺杂ZnS量子点发光体，形成耐高温的量子点色阻层，降低了基板在烘烤制程中高温造成荧光淬灭的可能性。

公开(公告)号：CN104046359B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410098085.1

申请日：2014-03-17

Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 ,  罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

Inventor： M·沈 ,  N·吴 ,  Y·翟 ,  S·南 ,  K·德什潘德 ,  J·朱

IPC: C09K11/88 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/127 ,  H01L29/22 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035227 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/28 ,  H01L51/50 ,  H01L51/502 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/95

Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、包含第一半导体的第一结点、以及包含第二半导体的第二结点；其中，所述第二端部与所述第一端部相反；其中所述第一结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第一异质结；其中所述第二结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。

公开(公告)号：CN106486571A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610968220.2

申请日：2016-10-26

Applicant: 武汉大学

Inventor： 郑怀 ,  刘胜 ,  雷翔 ,  刘洁 ,  周尚儒

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开了一种高导热量子点薄膜的制备方法，包括：S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂，并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂，获得量子点溶液；S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中，利用电纺丝设备制备电纺丝膜；S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜；S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中，真空脱泡后取出，经加热固化，即得到高导热量子点薄膜。本发明简单有效，环保经济，显著提高提升了量子点薄膜的导热性能，从而可改善量子点LED的散热性能和光色稳定性。

公开(公告)号：CN104918878A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380056223.3

申请日：2013-10-25

Applicant: 艾利迪公司 ,  原子能与替代能源委员会

Inventor： 娜塔莉·德绍克斯 ,  伯努瓦·阿姆斯塔特 ,  菲力浦·吉莱

IPC: B82Y40/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L31/036 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。

公开(公告)号：CN103672609A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310664813.6

申请日：2013-12-09

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 丘永元 ,  张简圣哲 ,  康志聪 ,  苏赞加

IPC: F21S8/00 ,  F21V5/08 ,  F21V13/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L33/06 ,  G02F1/133606 ,  G02F1/133609 ,  G02F2001/133607 ,  G02F2001/133614 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/483 ,  H01L33/54

Abstract: 本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是对一种直下式背光源的结构改进。本发明提供一种使用量子点的发光源，其包括基板，所述基板上装设有灯条以及环绕所述灯条设置的混光体；在所述混光体顶部设有量子点条块，所述灯条的发射光线均经过所述量子点条块折射后出射，所述量子点条块的出光面呈曲面。本发明还提供这种量子点条块的制作方法，以及利用量子点条块组装成新的直下式背光源。本发明通过对量子点条块的结构改进，使量子点条块的出光面形成曲面。实现了增大灯条发射光穿过量子点条块后的光扩散角度，最终使发光源的出光角度增大。

公开(公告)号：CN106129191A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610508853.5

申请日：2016-06-29

Applicant: 中山大学

Inventor： 汤子康 ,  陈安琪 ,  朱海 ,  桂许春

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/285 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明涉及一种基于Be辅助掺杂技术的高亮度紫外发光LED及其制备方法。该高亮度紫外LED包括：生长衬底、衬底上先沉积缓冲层，接着生长n型薄膜层，在n型薄膜层上生长有源发光层，最后生长p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极。本发明通过引入与氮结合力强的铍原子(Be)，实现受主氮原子在氧化锌中的高效、稳定掺杂。从而实现稳定可重复的p型氧化锌，并将其应用在同质p‑i‑n型二极管中以实现高效、高亮度的紫外电致发光。