公开(公告)号：CN108192594A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810066277.2

申请日：2018-01-24

Applicant: 内蒙古民族大学

Inventor： 梁志辉 ,  孙宝权 ,  张志伟 ,  王伟华

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/74

Abstract: 本发明公开了一种提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，属于InAs单量子点发光的提取技术领域。通过分子束外延的方法在砷化镓衬底上生长GaAs缓冲层，再依次生长100nm的砷化铝层、GaAs层、砷化铟量子点及GaAs覆盖层。将黑色蜡状物质Apiezon W涂在上述样品的上表面作为保护，然后放在氢氟酸溶液中，并在溶液中放置金属钛加速氢氟酸酸与AlAs牺牲层的化学反应，在AlAs牺牲层被腐蚀后，将包含有InAs的GaAs-InAs量子点-GaAs三明治结构薄层通过范德瓦尔斯力的作用吸附在金纳米颗粒的金膜上，形成附着在金纳米颗粒的金膜上的量子点样品。

公开(公告)号：CN107316920A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710556011.1

申请日：2017-07-01

Applicant: 内蒙古民族大学

Inventor： 王伟华 ,  王旭颖 ,  韩艳丽 ,  梁志辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054

Abstract: 本发明公开了一种掺杂型石墨烯纳米带光电子器件的制备方法，该方法包括以下步骤：掺杂型石墨烯纳米带的制备；纳米材料的转移；电极图案的转移；电极的制备。本发明提供的掺杂型石墨烯纳米带光电子器件的制备方法操作流程简单，节省了器件的制作时间，提高了工作效率，适合推广应用。