公开(公告)号：CN107170842B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201710438883.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 马占洁

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/202 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。该光电探测结构包括：衬底基板；电极条，设置在衬底基板上；半导体层，设置在衬底基板面向电极条的一侧；绝缘层，设置在电极条与半导体层之间，其中，绝缘层包括厚度增加部，厚度增加部位于电极条的至少一个边缘处。采用该光电探测结构可以降低电极条边缘处对应的半导体光电转化层中的电场强度，一方面降低了暗电流，另一方面可以通过减小电极条的宽度来提升光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN109699193A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201780048953.7

申请日：2017-08-04

Applicant: 维深半导体公司

Inventor： 高朕 ,  N·M·S·贾赫德 ,  S·西沃斯萨曼

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/072

CPC classification number: H01L31/1085 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明教导了光电探测器的结构及其制造方法。本发明的光电探测器易于制造，可以通过低温工艺制造，具有高的响应性，高的切换速度和高的有源面积与器件面积之比，能够在光伏模式或反向偏压条件下操作。

公开(公告)号：CN109686822A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810657741.5

申请日：2018-06-25

Applicant: 博尔博公司

Inventor： 张剑平 ,  高英 ,  周瓴

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/105 ,  H01L33/025

Abstract: 一种用于发光器件或者光电探测器的空穴供给和p-接触结构包括p型III族氮化物结构以及在其上形成的空穴供给和p-接触层，所述空穴供给和p-接触层由含Al的III族氮化物制成，并且处于双轴面内张应力应变下，所述空穴供给和p-接触层的厚度在0.6-10nm的范围内，并且所述p型III族氮化物结构形成在发光器件或者光电探测器的有源区上。还提供了一种具有空穴供给和p-接触结构的发光器件和光电探测器。

公开(公告)号：CN109417084A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040945.8

申请日：2017-06-26

Applicant: 艾利迪公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： 弗洛里安·杜邦 ,  伯努瓦·阿姆施塔特 ,  文森特·贝 ,  托马斯·拉卡韦 ,  菲利普·吉莱 ,  埃文·赫纳夫 ,  贝朗杰·霍伊特 ,  休伯特·博诺

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及一种光电器件(1)，该光电器件包括：-包括彼此相对的称为后表面(3a)和前表面(3b)的支承件；-形成第一极化电极的多个成核导电带(6i)；-覆盖所述成核导电带(6i)的中间绝缘层(7)；-多个二极管(2)，其每个包括三维的第一掺杂部分(9)和第二掺杂部分(11)；-形成第二极化电极的多个上部导电带(14j)，其支承在所述中间绝缘层(7)上，每个所述上部导电带(14j)设置为与其第一掺杂部分(9)与不同成核导电带(6i)接触的二极管(2)集合的第二掺杂部分(11)接触。

公开(公告)号：CN108701737A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680081193.5

申请日：2016-02-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岛谷政彰 ,  小川新平 ,  藤泽大介 ,  奥田聪志

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/101 ,  H01L31/103 ,  H01L31/112 ,  H01L31/1804

Abstract: 对电磁波进行光电变换而检测的电磁波检测器包括：基板；绝缘层，设置于基板之上；石墨烯层，设置于绝缘层之上；一对电极，设置于绝缘层之上，分别与石墨烯层的两端连接；以及接触层，被设置成与石墨烯层接触，接触层由具有极性基团的材料构成，接触层与石墨烯层接触，从而在石墨烯层中形成有电荷。

公开(公告)号：CN108649076A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810461454.7

申请日：2018-05-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 陈鑫龙 ,  唐光华 ,  杨杰 ,  杨佩佩 ,  刘昌春

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明涉及一种具有超薄GaAs发射层的变Al组分透射式GaAlAs光电阴极，该阴极自下而上由Corning 7056#玻璃基底、SiO2保护层、Si3N4增透层、Ga1-x1Alx1As窗口层、变Al组分Ga1-x2Alx2As吸收层、超薄GaAs发射层以及Cs/O激活层组成，采用超高真空Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。制备得到的具有超薄GaAs发射层的变Al组分GaAlAs光电阴极的光谱响应对蓝绿光敏感，结合微通道板构成蓝绿光响应像增强器，可应用于海洋探测、水下通信、水下搜救等领域。

公开(公告)号：CN108417647A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810155602.2

申请日：2018-02-23

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 李正 ,  刘曼文

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明所采用的技术方案为，一种超快响应的抗辐照三维探测器，包括柱状的半导体基体，半导体基体通过深离子刻蚀得到柱状电极，探测器厚度及电极的厚度均为100μm至200μm，柱状电极的上表面均设有Al金属层，Al金属层与外围读出电路用bonding-bonding技术连接；探测器上表面、柱状电极之间的部分覆盖有1μm的绝缘体层，探测器的底部覆盖有1μm的绝缘体层。本发明探测器的电极宽度为5μm，电极间距为5-10μm，使得探测器的电荷收集性能更加优越。强辐照情况下，因半导体的晶格损伤形成缺陷，直接降低电子和空穴的有效漂移长度。

公开(公告)号：CN107887455A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710977868.0

申请日：2017-10-17

Applicant: 中山大学

Inventor： 王凯 ,  徐杨兵

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/119 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/119 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/18 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开了一种X射线探测器件及其制作方法，该X射线探测器件包括衬底；底部栅电极，其形成在所述衬底上；栅绝缘层，形成在底部栅电极上；源电极和漏电极，形成在栅绝缘层上且相互隔开；光电半导体层，其形成在所述源电极和漏电极上；顶部电极，其形成在所述光电半导体层上，且所述顶部电极为导体材料，或者重掺杂的半导体材料。本发明的X射线探测器件通过调节栅极可以达到调节灵敏度的目的，并具有传感和开关的功能。

公开(公告)号：CN107831523A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710857181.3

申请日：2017-09-15

Applicant: KA成像股份有限公司

Inventor： 卡里姆·S·卡里姆 ,  西纳·甘巴尔扎德

IPC: G01T1/164 ,  A61B6/00

CPC classification number: H01L27/14663 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/241 ,  G01T1/247 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/115 ,  G01T1/1645 ,  A61B6/4266

Abstract: 本发明涉及一种用于数字成像系统中的多传感器像素架构，并具体描述了一种用于数字成像系统中的多传感器像素架构的系统和方法。系统包括至少一个半导电层，以用于吸收入射到至少一个半导电层的对侧上的辐射；以及在半导电层的一侧上的电极组，以用于传送与半导电层所吸收的辐射相关联的信号。

公开(公告)号：CN104637970B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510095303.0

申请日：2015-03-03

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 舒适 ,  高锦成 ,  徐传祥 ,  张锋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器和摄像系统，所述阵列基板被划分为多个检测单元，每个所述检测单元内均设置有第一电极和光电转换结构，所述光电转换结构与所述第一电极电连接，其中，所述第一电极和所述光电转换结构之间还包括有能够导电的反射层，所述反射层朝向所述光电转换结构的表面为反射面。本发明的阵列基板能够提高光线的利用率，使得X射线平板探测器的检测精度提高。