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公开(公告)号：CN105679895A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610196094.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 河北工业大学 , 同辉电子科技股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0054 , H01L33/10 , H01L33/14 , H01L33/405
Abstract: 本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法，涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法，采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层，其中，金属电流扩展层Ni/Ag中Ni的厚度控制在5～10？，Ag的厚度控制在10～40？，DBR是用电子束蒸发的方法先蒸镀一层厚度为4200～4400？ 的SiO2，然后将TiO2和SiO2交替蒸发，蒸发4～20周期，每个蒸发周期中TiO2的厚度均为278～348？ ，SiO2的厚度均为477～596？，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN205428984U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620254324.2
申请日：2016-03-30
Applicant: 河北工业大学 , 同辉电子科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属Au层b、键合金属Cr层b、硅片和N电极；本实用新型采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替现有技术中的垂直紫外LED芯片的金属反射层，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN114085616A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111135758.2
申请日：2021-09-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种基于二氧化硅纳米磨料的钽酸锂材料化学机械抛光液及其制备方法。抛光液包括下述组分：纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为5‑40%；一价阳离子无机盐或者一价阳离子有机盐的浓度为0.014‑0.35mol/L，余量为水。本申请将基于二氧化硅纳米磨料的钽酸锂材料化学机械抛光液中加入一价阳离子无机盐或者一价阳离子有机盐从而使一价阳离子与钽酸锂表面的锂离子发生交换作用，使得表面层特性与钽酸锂体材料产生差异，有利于材料表面借助机械摩擦作用被去除。
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公开(公告)号：CN110484387A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863092.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种碱性集成电路布线抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、两性表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是水的质量的0.3％-2％；两性表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％-1.5％；清洗剂的pH值为9-10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
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公开(公告)号：CN106006848A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610399154.1
申请日：2016-06-06
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明蓝宝石晶体抛光废液的处理方法,涉及废水的处理，步骤是：设置电化学处理装置，主要包括一个化学处理槽、阳极、阴极和直流电源；调节蓝宝石晶体抛光废液的初始pH值为6～12；电化学处理，控制直流电源电压在10～40V范围内，电流在0.5A以上；后处理，收集得到的沉淀物用于制作硅酸盐材料，液体则重新应用于蓝宝石晶体抛光工艺。本发明方法克服了现有技术中存在的二次污染，运行周期长，处理成本高等缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117417696A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311354445.5
申请日：2023-10-19
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306 , B24B29/02
Abstract: 本发明为一种用于获得极平滑氮化镓薄膜的高效化学机械抛光液。该抛光液的组成包括：氧化剂的质量百分浓度为3.5～4.5％，表面活性剂的质量百分浓度为0.15～0.35％，抛光液体系的pH值为1.0～2.0，磨料的质量百分浓度为15～25％；所述的氧化剂为过硫酸钾；所述的磨料为二氧化硅；所述的表面活性剂为乙酸钾和甲酸钾，二者质量比为1～2：1。本发明实现了对氮化镓晶圆去除厚度不超过100nm的前提下，获得表面极平滑的氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN115678437A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211380516.4
申请日：2022-11-04
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明为一种基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分：纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为1.0～10.0wt％；过氧化氢浓度为0.3～5.0wt％；唑类缓蚀剂的浓度为50～500ppm，余量为水，pH值为2.0‑10.0；所述唑类缓蚀剂为2，2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)。本发明的低技术节点铜互连钼阻挡层酸性抛光液具有钼阻挡层材料去除速率慢()和静态腐蚀速率慢(低于)且成本低廉、使用安全的特点。
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公开(公告)号：CN106252481B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610753498.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直LED芯片制备方法，该方法通过在单抛面蓝宝石衬底上制备出带线条状沟槽的牺牲层，在显露蓝宝石衬底的沟槽底部生长GaN缓冲层，并以沟槽内缓冲层为基础在牺牲层表面横向生长未掺杂的GaN层，在未掺杂的GaN层表面依次生长N型GaN层、量子阱层、P型GaN层，再在P型GaN层表面制备金属反射层与金属键合层，硅片衬底上制备金属键合层，然后两者之间进行键合，键合结束用HF溶液将牺牲层腐蚀掉实现单抛面蓝宝石衬底的去除，最后对蓝宝石衬底进行CMP处理，实现其重复利用。以此方法制备的垂直LED芯片实现了衬底的重复利用节约了生产开支。
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公开(公告)号：CN104451690A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410685583.6
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量百分比1～5％；表面活性剂的含量为重量百分比0.01～1％；过氧化氢的含量为重量百分比0.5～3％；用水补足含量至重量百分比100％。本发明抛光液适用于下压力不大于5.516kPa时铜的精抛光，不包含腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN118835250A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410992866.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/06 , C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明为一种低去除速率铜布线钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分：氧化剂浓度为2.9～3.1mM，抑制剂总浓度为59.7～90.3mM，纳米级二氧化硅固体浓度为0.6～1.8wt.％，额外添加剂浓度为9.9～20.1mM，pH调节剂，pH为3.9～4.1，余量为水；所述氧化剂为碘酸钾(KIO3)；所述抑制剂为2，2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)、L‑组氨酸(L‑Histidine)和醋酸铈(Ce(Ac)3)。本发明是低技术节点下铜互连钼阻挡层酸性抛光液，抛光液具有静态腐蚀速率低#imgabs0#电偶腐蚀差小(低于20mV),且可以在低去除速率的条件下，实现钼、铜和TEOS去除速率可调控的特点。
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